Квантовые ямы GaInNAs выращивались методом металлорганической газофазной эпитаксии. Для улучшения оптических свойств с обеих сторон квантовой ямы встраивались барьеры GaNAs, компенсирующие упругие напряжения. Характеристики оптических переходов оценивались из измерений фотолюминесценции и фототока. Для изготовления светоизлучающих диодов использовались невплавные омические контакты на основе сильно легированных delta-слоев. Электролюминесценция наблюдалась на длине волны~ 1.2 мкм при температурах77 и300 K, ее интенсивность зависела линейно от инжектирующего тока, выше некоторого порогового значения.
Мурель А.В., Данильцев В.М., Дроздов Ю.Н., Гапонова Д.М., Шашкин В.И., Шмагин В.Б., Хрыкин О.И. Электролюминесцентные свойства гетероструктур сквантовыми ямамиGaInNAs // ФТП, 2005, том 39, выпуск 1, Стр. 38

Изучалось влияние магнитного поля на кинетику низкотемпературной фотолюминесценции квантовых точек InAs/AlAs. Обнаружено ускорение кинетики затухания фотолюминесценции при включении магнитного поля. Полученные результаты объяснены в рамках модели, учитывающей тонкую структуру экситонных уровней и их зеемановское расщепление в магнитном поле.
Шамирзаев Т.С., Гилинский А.М., Бакаров А.К., Торопов А.И., Фигуренко С.А., Журавлев К.С. Долговременная кинетика фотолюминесценции квантовых точек InAs/AlAs в магнитном поле // ФТП, 2005, том 39, выпуск 1, Стр. 35

Исследовалась остаточная фотопроводимость гетероструктур AlSb / InAs / AlSb с двумерным электронным газом в квантовых ямах InAs при T=4.2 K. При подсветке ИК излучением homega=0.6-1.2 эВ наблюдалась положительная остаточная фотопроводимость, связываемая с фотоионизацией глубоких доноров. Вкоротковолновой области наблюдается отрицательная остаточная фотопроводимость, связанная с межзонной генерацией электронно--дырочных пар с последующим разделением электронов и дырок встроенным электрическим полем, заxватом электронов на ионизованные доноры и рекомбинацией дырок с двумерными электронами в InAs. При homega>3.1 эВ обнаружено резкое падение отрицательной фотопроводимости, связываемое с включением нового канала фотоионизации глубоких доноров в AlSb за счет переходов электронов в вышележащую над зоной проводимости энергетическую зону.
Алешкин В.Я., Гавриленко В.И., Гапонова Д.М., Иконников А.В., Маремьянин К.В., Морозов С.В., Садофьев Ю.Г., Johnson S.R., Zhang Y.-H. Спектры остаточной фотопроводимости вгетероструктурах InAs/AlSb сквантовыми ямами // ФТП, 2005, том 39, выпуск 1, Стр. 30

Исследовано влияние различных способов обработки поверхности квантово-размерных гетероструктур GaAs/In(Ga)As/GaAs на эффективность электролюминесценции изготовленных на их основе диодов с барьером Шоттки. Установлено, что наибольший эффект увеличения интенсивности электролюминесценции наблюдается от экспонирования поверхности в CCl4 при температуре 580oC с последующим анодным окислением. Показано, что промежуточный туннельно-тонкий анодный окисел играет важную роль в обеспечении инжекции неосновных носителей из металла в арсенид галлия. Эффективность электролюминесценции существенно зависит от толщины анодного окисла.
Байдусь Н.В., Демина П.Б., Дорохин М.В., Звонков Б.Н., Малышева Е.И., Ускова Е.А. Влияние промежуточного окисного слоя в гетероструктурах металл--квантово-размерный полупроводник In(Ga)As/GaAs наэффективность электролюминесценции // ФТП, 2005, том 39, выпуск 1, Стр. 25

Изучен спектр равновесного межподзонного поглощения в селективно легированных асимметричных двойных туннельно-связанных квантовых ямах, предназначенных для исследования модуляции инфракрасного излучения в продольном электрическом поле. Проведено сравнение рассчитанных и экспериментальных спектров при разных температурах. Врасчетах учтено влияние объемного заряда на энергетический спектр электронов, а также различие эффективных масс электронов в разных подзонах. По результатам исследования спектров межподзонного поглощения в равновесных условиях и при возбуждении электронов мощными пикосекундными импульсами излучения среднего инфракрасного диапазона уточнен энергетический спектр электронов в реальной структуре.
Зерова В.Л., Капаев В.В., Воробьев Л.Е., Фирсов Д.А., Schmidt S., Зибик Е.А., Seilmeier A., Towe E. Межподзонное поглощение света вселективно легированных асимметричных двойных туннельно-связанных квантовых ямах // ФТП, 2004, том 38, выпуск 12, Стр. 1455

Получены стекла, содержащие наночастицы полупроводниковых соединений состава CuInSe2xTe2(1-x) (0=<q x=<q 1) путем высокотемпературного плавления смесей компонентов матрицы стекла и соответствующих соединений. Образуются частицы со средним размером 15-30 нм, характеристики которых подобны для соединений с разнымx. Изучено оптическое поглощение стекол в области фундаментального края в ближней инфракрасной и в видимой областях спектра, а также влияние на оптические свойства дополнительной термообработки стекол. Природа наблюдаемых изменений спектров при вариации состава соединений (соотношения [Se]/[Te]) связывается с возможными трансформациями кристаллической структуры наночастиц.
Боднарь И.В., Соловей Н.П., Гурин В.С., Молочко А.П. Формирование и оптические свойства наночастиц CuInSe2xTe2(1-x) вматрице силикатного стекла // ФТП, 2004, том 38, выпуск 12, Стр. 1447

Теоретически изучено влияние резонансного лазерного импульса на квантовую динамику электронов в системе из 3 полупроводниковых квантовых точек, имеющих форму параллелепипедов. Показано, что в несимметричной структуре перенос электрона между крайними точками описывается двухуровневой схемой с диагональными переходами. Энергии рабочих уровней, а также матричные элементы для соответствующих электронных переходов получены в приближении высоких барьеров. Найдены параметры лазерного импульса, при которых вероятность резонансного перехода электрона из основного состояния одной квантовой точки в основное состояние другой квантовой точки является максимальной.
Цуканов А.В. Резонансные переходы электрона между тремя полупроводниковыми квантовыми точками под действием лазерногоизлучения // ФТП, 2004, том 38, выпуск 11, Стр. 1382

Экспериментально и расчетным путем показано, что структуры, в которых при комнатных температурах проявляются свойства двумерного и одномерного электронного газа, могут быть сформированы на основе соединений CdHgTe в системе полупроводник--электролит. Представлена методика формирования квантово-размерных структур и рассмотрен метод контроля электрофизических свойств таких структур непосредственно в процессе их образования.
Божевольнов В.Б., Яфясов А.М., Коноров П.П. Формирование двумерных и одномерных твердофазных квантовых наноструктур всистеме CdHgTe--электролит // ФТП, 2004, том 38, выпуск 11, Стр. 1374

Исследовано магнетосопротивление в слабых магнитных полях структур AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs с двойными квантовыми ямами, разделенными тонким центральным барьером AlAs. Проведен стравнительный анализ точности описания наблюдающегося отрицательного магнетосопротивления по теории слабой локализации и в рамках кинетического подхода с помощью матрицы плотности. Показано, что кинетический подход в ряде случаев позволяет точнее описать экспериментальные зависимости.
Галиев Г.Б., Каминский В.Э., Васильевский И.С., Кульбачинский В.А., Лунин Р.А. Электронный магнетотранспорт всвязанных квантовых ямах сдвухсторонним легированием // ФТП, 2004, том 38, выпуск 11, Стр. 1368

Исследованы особенности газофазной эпитаксии из металлорганических соединений гетероструктур AlGaN/GaN. Получены структуры с двумерным электронным газом с подвижностью 1290 см2/(В · с) и концентрацией в канале 1.2· 1013 см-2 (при комнатной температуре). Рассмотрено влияние чистоты исходных компонентов на параметры полученных слоев и гетероструктур.
Лундин В.В., Заварин Е.Е., Бесюлькин А.И., Гладышев А.Г., Сахаров А.В., Кокорев М.Ф., Шмидт Н.М., Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н., Алферов Ж.И., Каканаков Р. Гетероструктуры AlGaN/GaN с высокой подвижностью электронов, выращенные методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений // ФТП, 2004, том 38, выпуск 11, Стр. 1364