Экспериментально исследована зависимость спектрального положения линии фотолюминесценции квантовых ям InGaAsN от химического состава четверного соединения. Предложено эмпирическое выражение, позволяющее с хорошей точностью описать наблюдаемые закономерности и предсказать требуемый состав соединения для достижения заданной длины волны.
Жуков А.Е., Ковш А.Р., Семенова Е.С., Устинов В.М., Wei L., Wang J.-S., Chi J.Y. Зависимость длины волны излучения квантовых ям InGaAsN отсостава четверного соединения // ФТП, 2002, том 36, выпуск 8, Стр. 964

Фотолюминесцентные свойства GaAs / AlAs-сверхрешеток второго типа, выращенных на поверхности(311), определяются ее полярностью. Ранее электронно-микроскопические исследования показали наличие в образцах, выращенных на поверхности (311)A, гофрировки ( corrugation) обоих GaAs / AlAs- иAlAs / GaAs-интерфейсов с высотой1 нм и периодом3.2 нм. Внастоящей работе в электронно-микроскопических картинах и их фурье-изображениях сверхрешетки, выращенной на поверхности(311)B, латеральная периодичность в3.2 нм также выявляется, однако выражена она слабо, что связано с нечетким гофрированием и наличием длинноволнового(>10 нм) беспорядка. Спектры фотолюминесценции сверхрешетки GaAs / AlAs на поверхности (311)A сильно поляризованы относительно направления гофрирования интерфейса в отличие от сверхрешетки(311)B, где гофрировка выражена слабо. Нами обнаружено, что гигантское замешиваниеGamma- иX-минимумов зоны проводимости имеет место только для сверхрешоток с сильно гофрированными интерфейсами и позволяет получить ярко-красную люминесценцию вблизи 650 нм вплоть до комнатной температуры. Обнаруженные отличия для сверхрешеток, выращенных на поверхностях(311)A и(311)B, подтверждают, что именно гофрирование интерфейса, а не кристаллографическая ориентация играет определяющую роль в оптических свойствах сверхрешоток(311).
Любас Г.А., Леденцов Н.Н., Литвинов Д., Семягин Б.Р., Сошников И.П., Устинов В.М., Болотов В.В., Gerthsen D. Структура гетерограниц ифотолюминесцентные свойства GaAs / AlAs-сверхрешеток, выращенных на(311)A- и(311)B-ориентированных поверхностях: сравнительный анализ // ФТП, 2002, том 36, выпуск 8, Стр. 959

Рассмотрен вопрос о связи между статистическим распределением по форме и размерам квантовых точек и плотностью электронных состояний. Показано, что для массива нетождественных квантовых точек плотность состояний вблизи основного уровня имеет вид асимметричного пика, положение и форма которого определяются статистическими параметрами массива: равновесным радиусом, а также дисперсией и асимметрией распределения квантовых точек по рамерам. Установлены общие соотношения между формой пика и этими параметрами.
Белявский В.И., Шевцов С.В. Неоднородное уширение основного электронного уровня вмассиве квантовых точек // ФТП, 2002, том 36, выпуск 7, Стр. 874

Впервые сообщается о получении методом молекулярно-пучковой эпитаксии нового типа гетероструктур GaAs/GaSb, содержащих ультратонкие (0.8-3монослоя) слои GaAs вGaSb, и исследовании их методами рентгеновской дифрактометрии, просвечивающей электронной микроскопии и фотолюминесценции. Втаких структурах, в отличие от изученных к настоящему времени структур с самоорганизующимися квантовыми точками, слой GaAs в GaSb находится под воздействием растягивающих упругих напряжений (рассогласование решеток 7%). Вструктурах GaAs/GaSb обнаружена интенсивная фотолюминесценция в области волн вблизи 2 мкм при низких температурах. Показано образование квантово-размерных островков при номинальной толщине слоя GaAs 1.5монослоя и более. Установлено, что предложенные структуры имеют зонную диаграмму типаII.
Соловьев В.А., Торопов А.А., Мельцер Б.Я., Терентьев Я.В., Кютт Р.Н., Ситникова А.А., Семенов А.Н., Иванов С.В., Motlan , Goldys E.M., Копьев П.С. GaAs в GaSb--- напряженные наноструктуры дляоптоэлектроники среднего инфракрасного диапазона // ФТП, 2002, том 36, выпуск 7, Стр. 869

Проведен расчет продольной и поперечной подвижностей квазидвумерных электронов сверхрешетки GaAs/Al0.36Ga0.64As вобласти температуры жидкого азота и концентраций электронов от 1013 до 1015 см-3. Учтено рассеяние электронов на полярных оптических фононах, акустических фононах и ионах примеси. Уравнение Больцмана влинейном приближении по электрическому полю сучетом неупругого характера рассеяния на полярных оптических фононах решалось методом подгонки. Получены аналитические формулы для низкотемпературного продольного и поперчного времени релаксации на оптических фононах. Исследован вопрос о применимости уравнения Больцмана канализу продольной проводимости врассматриваемых сверхрешетках.
Борисенко C.И. Расчет низкополевой подвижности квазидвумерных электронов сверхрешетки GaAs/Al0.36Ga0.64As вобласти температуры77 K // ФТП, 2002, том 36, выпуск 7, Стр. 861

Предложена схема лазера, способного генерировать излучение в дальнем инфракрасном диапазоне (lambda~ 150 мкм). Для создания инверсии населенностей подзон предлагается использовать электронный транспорт в трех туннельно-связанных квантовых ямах в сильном электрическом поле, лежащем в плоскости квантовых ям. Важной особенностью предлагаемой структуры является присутствие одной шероховатой гетерограницы. Проведенное моделирование электронного транспорта методом Монте--Карло в гетероструктуре AlxGa1-xAs/GaAs (x=0.2,0.3) показало, что в поле свыше1.2 кВ/см при T=4.2 и77 K реализуется инверсная заселенность первой и второй подзон размерного квантования.
Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Инверсия электронной населенности подзон размерного квантования припродольном транспорте втуннельно-связанных квантовых ямах // ФТП, 2002, том 36, выпуск 6, Стр. 724

Предложена модель туннельно-резонансного переноса носителей заряда через дискретный ловушечный уровень в диэлектрике в периодических наноразмерных структурах Si/CaF2. Необходимым требованием туннельно-резонансного переноса при приложении внешнего смещения к структуре является совпадение энергии носителей заряда в яме кремния с энергетическим положением уровня ловушек в диэлектрике. Показано, что заполнение ловушечных состояний в диэлектрике и нарушение условий туннельно-резонансного переноса носителей через уровень ловушек при превышении энергии носителей в яме уровня ловушек в диэлектрике приводит к спаду токопереноса через структуру и образованию области отрицательного дифференциального сопротивления на вольт-амперных характеристиках периодических структур Si/CaF2. Врезультате моделирования данного эффекта было обнаружено, что преимуществами приборов на основе периодических структур кремний/диэлектрик являются широкий диапазон рабочих температур 77-300 K и возможность совмещения с кремниевой технологией изготовления интегральных схем.
Берашевич Ю.А., Данилюк А.Л., Борисенко В.Е. Резонансный перенос носителей заряда через ловушечные состояния вдиэлектрике впериодических наноструктурахSi/CaF2 // ФТП, 2002, том 36, выпуск 6, Стр. 718

Экспериментально установлено осциллирующее изменение подвижности электронов с изменением толщины квантовой ямы гетероструктуры AlGaAs / GaAs / AlGaAs с модулированным двухсторонним легированием. Установлено резкое падение подвижности с ростом концентрации электронов в квантовой яме. Определены условия увеличения подвижности при введении в квантовую яму тонкого барьера. Впервые экспериментально наблюдалось увеличение подвижности в1.3раза в квантовой яме толщинойL=26 нм при введении тонкого (1-1.5 нм) барьера AlAs.
Мокеров В.Г., Галиев Г.Б., Пожела Ю., Пожела К., Юцене В. Подвижность электронов в квантовой яме AlGaAs / GaAs / AlGaAs // ФТП, 2002, том 36, выпуск 6, Стр. 713

-1 Исследованы электронные состояния для энергий взоне проводимости сверхрешеток (AlAs)M(AlxGa1-xAs)N (111). Расчеты проведены на основе обобщенной на рассматривaемые структуры модели сшивания огибающих функций на гетерограницах. Исследованы минизонные спектры, симметрия и локализация волновых функций, а также вероятности межминизонного инфракрасного поглощения. Показано, что последние имеют значительную величину не только при поляризации света внаправлении оси роста сверхрешетки, но также и при нормальном кповерхности структуры падении световой волны. Отмечена перспективность изученных сверхрешеток вкачестве материала для фотоприемников инфракрасного излучения.
Караваев Г.Ф., Чернышов В.Н., Егунов Р.М. Электронные состояния всверхрешетках (AlAs)M(AlxGa1-xAs)N // ФТП, 2002, том 36, выпуск 6, Стр. 709

Исследованы спектры отражения в дальней инфракрасной области спектра (область частот 20-700 см-1) и комбинационного рассеяния света в образцах пористого теллурида свинца. Форма полученных спектральных зависимостей значительно отличается от наблюдаемых в случае объемного монокристаллического PbTe. Кроме продольной оптической (LO) и поперечной оптической (TO) фононных мод, частоты которых близки к частотам в объемном материале, в спектрах обнаружены дополнительные колебательные моды. Их количество и спектральное положение удовлетворительно согласуются с результатами теоретических расчетов, выполненных для нахождения частот колебательных мод нанокристаллитов с учетом граничных условий на их поверхности. Использование данной модели позволяет рассчитать частоты колебаний смешанных фононных мод в квантовых точках при взаимном рассмотрении амплитуды смещений атомов и вызванного этим изменения электростатического потенциала. Экспериментально подтвержден вывод о смешанном (LO-TO) характере обнаруженных дополнительных мод колебаний. Использование методов атомно-силовой микроскопии позволило оценить значение среднего радиуса квантовых точек, формирующих нанорельеф слоя пористого PbTe.
Белогорохов А.И., Белогорохова Л.И., Хохлов Д.Р., Лемешко С.В. Смешанные оптические моды колебаний внанокристаллитах PbTe // ФТП, 2002, том 36, выпуск 6, Стр. 701