Сообщается о результатах исследований с помощью нестационарной спектроскопии глубоких уровней процессов эмиссии и захвата электронов квантовыми точками вp-n-гетероструктурах InGaAs/GaAs в зависимости от условий изохронного отжига при включенном/выключенном напряжении смещения (Ura
Соболев М.М., Кочнев И.В., Лантратов В.М., Леденцов Н.Н. Исследование захвата электронов квантовыми точками спомощью нестационарной спектроскопии глубоких уровней // ФТП, 2001, том 35, выпуск 10, Стр. 1228

Приводятся результаты по электронной структуре непрямого в пространстве экситона, многочастичных экситонных комплексов, отрицательной фотопроводимости в структурах Ge/Si с квантовыми точками. Проводится сравнение с данными для гетеросистем 2типа с квантовыми точками на основе соединений AIIIBV и AIIBVI. Фундаментальные физические явления в изучаемых структурах заключаются в увеличении энергии связи экситона по сравнению с энергией связи свободных экситонов в объемных однородных полупроводниках; в коротковолновом сдвиге энергии экситонного перехода при образовании многочастичных комплексов (типа заряженный экситон, биэкситон); захвате равновесных носителей на локализованные состояния, формируемые электрическим полем заряженных квантовых точек.
Двуреченский А.В., Якимов А.И. Квантовые точки 2типа всистеме Ge/Si // ФТП, 2001, том 35, выпуск 9, Стр. 1143

Впервые методом молекулярно-лучевой эпитаксии получены массивы квантовых точек германия в ненапряженной гетеросистеме GaAs / ZnSe / Ge. Проведены исследования пространственных характеристик островков при помощи сканирующей туннельной микроскопии и их электронной структуры методом рамановской спектроскопии.
Неизвестный И.Г., Супрун С.П., Талочкин А.Б., Шумский В.Н., Ефанов А.В. Квантовые точки Ge вненапряженной гетеросистеме GaAs / ZnSe / Ge / ZnSe // ФТП, 2001, том 35, выпуск 9, Стр. 1135

Рассмотрена ориентация спинов двумерных электронов латеральным электрическим полем. Предполагается, что закон дисперсии электронов содержит линейные члены, обусловленные спин-орбитальным расщеплением зон в асимметричной квантовой яме. Найден коэффициент спиновой ориентации в стационарном электрическом поле. Средний спин электронов оказывается ориентированным в плоскости образца перпендикулярно электрическому полю. Изучено взаимодействие переменного электрического поля со спинами двумерных электронов. Показано, что переходы между разными спиновыми состояниями приводят к узкой линии поглощения. Вобласти частот, соответствующих этим переходам, происходит их смешивание с двумерными плазмонами, в результате чего спектр плазмонов модифицируется и возникает новый тип колебаний--- спин-плазмонный поляритон. Решена задача о возбуждении спин-плазмонных поляритонов внешним полем.
Магарилл Л.И., Чаплик А.В., Энтин М.В. Спиновый отклик двумерных электронов налатеральное электрическое поле // ФТП, 2001, том 35, выпуск 9, Стр. 1128

Исследованы спектры фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света тонких слоев германия на кремнии, выращенных при низкой температуре (250oC). Показано, что в таких структурах, в отличие от структур, выращенных при высокой температуре, люминесценция квантовых ям наблюдается при толщине германия, превышающей ~9монослоев. Сразвитием дислокаций несоответствия линии люминесценции квантовых ям сдвигаются в область больших энергий, а поперечные оптические фононы, участвующие в люминесценции, распространяются в квазидвумерном слое германия. Показано, что введение дополнительного релаксированного подслоя Si0.95Ge0.05 в многослойную структуру Ge / Si приводит к значительному росту интенсивности и сужению линии люминесценции квантовых точек (до 24 мэВ), что указывает на их существенное упорядочение.
Бурбаев Т.М., Заварицкая Т.Н., Курбатов В.А., Мельник Н.Н., Цветков В.А., Журавлев К.С., Марков В.А., Никифоров А.И. Оптические свойства монослоев германия накремнии // ФТП, 2001, том 35, выпуск 8, Стр. 979

Методы высокоразрешающей рентгеновской и синхротронной дифрактометрии и просвечивающей электронной микроскопии применены для исследования многослойных структур In(Ga)As--GaAs с массивом вертикально совмещенных квантовых точек In(Ga)As в матрице GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Показано, что в кристаллически совершенных структурах дополнительное (вертикальное и латеральное) пространственное упорядочение квантовых точек, вызывающее изгиб кристаллографических плоскостей и квазипериодическое распределение упругой деформации, существенно анизотропно по отношению к кристаллографическим направлениям типа[110]. Анизотропия формирующейся системы квантовых точек объясняется тем, что пространственное упорядочение квантовых точек и изгиб кристаллографических плоскостей являются начальными стадиями процесса релаксации упругих напряжений, вносимых в структуру квантовыми точками. Показано, что анизотропный рельеф кристаллографических плоскостей (гофрированная ростовая поверхность) обусловлен формированием системы пространственно упорядоченных квантовых квази-проволок, однородно заполненных квантовыми точками. Вмногослойной кристаллически совершенной гетероструктуре анизотропный рельеф кристаллографических плоскостей наследуется вышележащими слоями, постепенно уменьшаясь по амплитуде по мере удаления от источника упругих напряжений, в данном случае сверхструктуры, содержащей квантовые точки In(Ga)As.
Фалеев Н.Н., Мусихин Ю.Г., Суворова А.А., Егоров А.Ю., Жуков А.Е., Ковш А.Р., Устинов В.М., Tabuchi M., Takeda Y. Исследование анизотропии пространственного распределения квантовых точек In(Ga)As в многослойных гетероструктурах In(Ga)As/GaAs методами рентгеновской дифрактометрии ипросвечивающей электронной микроскопии // ФТП, 2001, том 35, выпуск 8, Стр. 969

Рассмотрено Xx-Xy-смешивание состояний электронов X-долин в гетероструктурах AlAs / GaAs(001). Получены связанные с симметрией структуры общие условия на параметры матрицы сшивания огибающих функций и предложена модель для описания процессов Xx-Xy-смешивания. Найденная нами структура матрицы сшивания существенно отличается от используемых ранее. Параметры модели определены на основе псевдопотенциальных расчетов. Проведены как модельные, так и псевдопотенциальные расчеты дисперсии уровней в квантовых X-ямах AlAs, электронных спектров сверхрешеток (AlAs)M(GaAs)N(001), коэффициентов прохождения X-электронов в структурах с одной X-ямой и двумя X-барьерами. Хорошее совпадение результатов обоих расчетов показывает эффективность предложенной модели для огибающих функций с определенными нами параметрами.
Караваев Г.Ф., Чернышов В.Н. Смешивание электронных состояний Xx и Xy-долин в гетероструктурах AlAs / GaAs(001) // ФТП, 2001, том 35, выпуск 7, Стр. 841

Методами поляризованной фотолюминесценции горячих электронов исследовано влияние формирования минизон в сверхрешетках на правила отбора при оптических переходах. Показано, что в диапазоне параметров минизон в сверхрешетках можно выделить две области, для каждой из которых характерны свои правила отбора. Особенности правил отбора для каждой из областей проявляются в линейной и циркулярной поляризации фотолюминесценции, функции распределения фотовозбужденных электронов по квазиимпульсам и их поведении в магнитном поле.
Акимов И.А., Мирлин Д.Н., Перель В.И., Сапега В.Ф. Выстраивание импульсов иориентация спинов фотовозбужденных электронов вGaAs припереходе отдвумерных ктрехмерным структурам // ФТП, 2001, том 35, выпуск 6, Стр. 758

Для выяснения роли размерного квантования в широких легированных квантовых ямах подробно исследованы осцилляции Шубникова--де-Гааза в модулированно легированных структурах GaAs:Si. Показано, что размерное квантование проявляется и в структурах, в которых средняя длина свободного пробега в 3 раза меньше ширины ямы.
Шерстобитов А.А., Миньков Г.М. Проявление размерного квантования вшироких легированных ямах // ФТП, 2001, том 35, выпуск 6, Стр. 754

Исследование транспорта горячих электронов в естественной сверхрешетке карбида кремния позволило впервые получить практически все ранее предсказанные теоретически эффекты ванье--штарковской локализации: блоховские осцилляции, штарк-фононные резонансы, локализацию минизоны, резонансное межминизонное туннелирование. В структурах n+-n--n+, оптимизированных для сверхвысокочастотных измерений, в области электрических полей, соответствующих режиму блоховских осцилляций, наблюдался эффект подвижного электрического домена, что позволило с большой степенью вероятности прогнозировать наличие в естественной сверхрешетке 6H-SiC колебаний сверхвысокочастотного диапазона.
Санкин В.И., Шкребий П.П. Электронный транспорт в естественной сверхрешетке карбида кремния в режиме квантования Ванье--Штарка: фундаментальные и прикладные аспекты // ФТП, 2001, том 35, выпуск 5, Стр. 594