Исследована фотолюминесценция нанокластеров CdS, сформированных в матрице пленки Ленгмюра-Блоджетт, а также после ее удаления. Спектр фотолюминесценции нанокластеров в матрице состoит из широкой (ширина на полувысоте ~ 0.6 эВ) полосы смаксимумом при 2.4 эВ. После удаления матрицы гексаном спектр фотолюминесценции состоит из высокоэнергетической полосы смаксимумом при 2.9 эВ (ширина ~ 0.2 эВ) и двух низкоэнергетических полос с максимумами при 2.4 и 2.0 эВ (ширина ~ 0.5 эВ). Мы считаем, что высокоэнергетическая полоса связана с рекомбинацией экситонов в нанокластерах, а полосы с максимумами при 2.4 и 2.0 эВ срекомбинацией через уровни дефектов, расположенных вобъеме матрицы и на границе раздела нанокластер--матрица соответственно.
Багаев Е.А., Журавлев К.С., Свешникова Л.Л., Бадмаева И.А., Репинский С.М., Voelskow M. Фотолюминесценция нанокластеров сульфида кадмия, сформированных вматрице пленки Ленгмюра-Блоджетт // ФТП, 2003, том 37, выпуск 11, Стр. 1358

Исследовалось воздействие импульсов излучения рубинового лазера на нанокластеры Ge, сформированные на подложке Si(100). Плотность энергии облучения соответствовала порогу плавления поверхности Si. Изменение структуры нанокластеров анализировалось на основании данных спектроскопии комбинационного рассеяния света всопоставлении срасчетами на основе моделей Борна--фон-Кармана и Волькенштейна. Установлено, что воздействие одного импульса изменяет структуру нанокластеров. Наблюдается изменение их размеров и частичная релаксация напряжений сжатия. Еще более существенные изменения происходят при воздействии 10 импульсов. Нанокластеры Ge трансформируются вкластеры твердого раствора GexSi1-x, предположительно за счет диффузионных процессов, стимулированных механическими напряжениями и вакансионными дефектами. Проведено численное моделирование динамики теплового воздействия лазерного излучения на нанокластеры германия вкремнии.
Володин В.А., Гацкевич Е.И., Двуреченский А.В., Ефремов М.Д., Ивлев Г.Д., Никифоров А.И., Орехов Д.А., Якимов А.И. Модифицирование нанокластеров германия вкремнии поддействием импульсного лазерного излучения // ФТП, 2003, том 37, выпуск 11, Стр. 1352

Рассмотрена система, состоящая из двух тяжелых дырок вдвумерной квантовой яме, связанных посредством электрона из соседней двумерной квантовой ямы. Спомощью простой качественной пробной функции получена энергия основного состояния такого X+-триона вприближении бесконечно тяжелой дырки во всем диапазоне расстояний между ямами. Для различных значений расстояния между ямами вычислена координатная зависимость эффективного потенциала, связывающего дырки друг сдругом. Вадиабатическом приближении получена серия зависимостей энергии связи X+-триона от отношения масс электрона идырки. Предложены несколько оценок энергии связи триона вструктурах сдвойной квантовой ямой на основе GaAs иZnSe.
Сергеев Р.А., Сурис Р.А. X+-трион всистеме спространственным разделением носителей заряда // ФТП, 2003, том 37, выпуск 10, Стр. 1235

Проведен теоретический анализ характеристик многоостровковых одноэлектронных цепочек взависимости от параметров конструкции, материалов, фонового заряда итемпературы окружающей среды спомощью разработанной модели, основанной на решении уравнения Пуассона ииспользовании метода Монте-Карло. Показано, что основным параметром, определяющим температурную стабильность эффекта кулоновской блокады, является высота потенциального барьера туннельных переходов. Исследования трех систем материалов (Co--Al--O; Au--Al2O3; Cr--Cr2O3) показало, что наиболее предпочтительны по рабочей температуре многоостровковые одноэлектронные цепочки на Co--Al--O, анаименее--- на Cr--Cr2O3.
Абрамов И.И., Игнатенко С.А., Новик Е.Г. Характеристики многоостровковых одноэлектронных цепочек взависимости от различных факторов // ФТП, 2003, том 37, выпуск 10, Стр. 1231

Рассмотрено поглощение поверхностной акустической волны ансамблем квантовых колец с одним и двумя электронами в магнитном поле. Рассчитаны зависимости коэффициента поглощения от магнитного потока сквозь кольцо и от частоты волны при учете кулоновского взаимодействия электронов. Показано, что коэффициент поглощения поверхностной акустической волны как функция магнитного потока осциллирует с периодом, равным кванту магнитного потока.
Ковалев В.М., Чаплик А.В. Электронное поглощение поверхностных акустических волн квантовыми кольцами вмагнитном поле // ФТП, 2003, том 37, выпуск 10, Стр. 1225

Наноостровки германия, сформированные на поверхностиSi сориентацией (111), покрытой ультратонким слоем окисла, были исследованы сприменением методики спектроскопии комбинационного рассеяния света. Для анализа экспериментальных данных проведены численные расчеты спектров для реальных островков, содержащих несколько сотен атомов германия. Обсуждены эффекты резонансного усиления интенсивности комбинационного рассеяния света всистеме <наноостровок германия>-окисел-кремний ивлияния латеральных размеров наноостровков на частоты локализованных вних фононов.
Володин В.А., Ефремов М.Д., Никифоров А.И., Орехов Д.А., Пчеляков О.П., Ульянов В.В. Резонансное комбинационное рассеяние света внаноостровкахGe, сформированных на подложке Si(111), покрытой ультратонким слоемSiO2 // ФТП, 2003, том 37, выпуск 10, Стр. 1220

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs созданы метаморфные модулированно-легированные гетероструктуры всистеме материалов InGaAs / InAlAs. Проведена оптимизация условий выращивания градиентного буферного слоя при низкой температуре осаждения, позволяющая резко снизить количество структурных дефектов врабочих слоях структуры. Подвижность электронов вдвумерном канале метаморфных структур, выращенных воптимизированных условиях, (8100 см2/В·с при 300 K) значительно превосходит значения, достижимые внапряженных гетероструктурах InGaAs / AlGaAs на подложках GaAs.
Семенова Е.С., Жуков А.Е., Васильев А.П., Михрин С.С., Ковш А.Р., Устинов В.М., Мусихин Ю.Г., Блохин С.А., Гладышев А.Г., Леденцов Н.Н. Метаморфные модулированно-легированные гетероструктуры InAlAs / InGaAs / InAlAs свысокой подвижностью электронов наподложкахGaAs // ФТП, 2003, том 37, выпуск 9, Стр. 1127

Измерены эффективное сечение возбуждения фотолюминесценции ивремя жизни ионов эрбия ввозбужденном состоянии для структур Si : Er/Si/Si : Er/Si.../Si, изготовленных впроцессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. Полученные результаты показывают, что значительное повышение интенсивности фотолюминесценции ионов эрбия вселективно легированном кремнии посравнению соднородно легированным несвязано сизменениями излучательного времени жизни, эффективного сечения возбуждения ивремени жизни ионов эрбия ввозбужденном состоянии.
Гастев С.В., Емельянов А.М., Соболев Н.А., Андреев Б.А., Красильник З.Ф., Шмагин В.Б. Эффективное сечение возбуждения фотолюминесценции ивремя жизни ввозбужденном состоянии ионовEr3+ вмногослойных селективно легированных Si : Er-структурах // ФТП, 2003, том 37, выпуск 9, Стр. 1123

Решается задача о расчете продольной и поперечной подвижности, ограниченной рассеянием на ионах примеси, для электронов сверхрешетки с легированными квантовыми ямами. Рассматривается случай низких температур и малых концентраций носителей заряда. При решении уравнения Больцмана для невырожденного электронного газа в области слабой экранировки кулоновского потенциала ионов примеси используется гипотеза Конуэлл--Вайскопфа о минимальном угле рассеяния. Численные расчеты проведены для симметричной сверхрешетки GaAs/Al0.36Ga0.64As с периодом 10 нм и концентрацией электронов 1014 см-3 при T=20 K.
Борисенко С.И. Рассеяние электронов на ионах примеси при низких температурах всверхрешетке слегированными квантовыми ямами // ФТП, 2003, том 37, выпуск 9, Стр. 1117

Проведены люминесцентные измерения структур снесколькими квантовыми ямами GaAs/AlGaAs, содержащими A(+)-центры, при разных ширинах квантовых ям сцелью определения зависимости энергии активации A(+)-центров отширины квантовых ям. Показано, что суменьшением ширины ям энергия активации A(+)-центров значительно возрастает, причем вямах шириной10 нм энергия активации в10раз больше, чем вобъемном материале. Замечено, что энергия активации A(+)-центров зависит отихконцентрации.
Иванов Ю.Л., Петров П.В., Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Устинов В.М. Зависимость энергии активации A(+)-центров отширины квантовых ям вструктурах GaAs/AlGaAs // ФТП, 2003, том 37, выпуск 9, Стр. 1114