В рамках метода огибающей рассчитаны спектры стационарной и нестационарной фотолюминесценции кремниевых наноструктур. Особенностью расчета является учет: 1) дополнительного квантово-размерного эффекта, проявляющегося в немонотонном (осциллирующем) характере изменения времени излучательных псевдопрямых (бесфононных) экситонных переходов с уменьшением размера нанокристаллов из-за осцилляций интеграла перекрытия электронных волновых функций X-долин зоны проводимости и дырочных волновых функций Gamma-долины валентной зоны кремния соответственно, а также 2) мезоскопического эффекта, заключающегося в сильном уширении энергетического спектра нанокристаллов малых размеров из-за существенного усиления роли флуктуаций структуры гетерограниц и расположения атомов нанокристаллов. Продемонстрированы возможности предложенного подхода для объяснения экспериментально наблюдаемых спектров фотолюминесценции низкоразмерного кремния.
Саченко А.В., Крюченко Ю.В., Соколовский И.О., Сресели О.М. Проявление квантово-размерных осцилляций времени излучательной экситонной рекомбинации вфотолюминесценции кремниевых наноструктур // ФТП, 2004, том 38, выпуск 7, Стр. 877

Сверхизлучение Дике рассмотрено в качестве промежуточной фазы при переходе от спонтанного излучения к лазерной генерации в полупроводниковых лазерных гетероструктурах. Предложена феноменологическая модель, описывающая формирование в активной области гетероструктуры сверхизлучающих доменов (\glqq макродиполей\grqq). Показано, что характеристическое время излучения доменов лежит в субпикосекундном диапазоне.
Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Гордеев Н.Ю., Зегря Г.Г. Механизм сверхизлучения Дике в полупроводниковых гетероструктурах // ФТП, 2004, том 38, выпуск 7, Стр. 872

Исследованы структурные и оптические свойства квантовых точекInAs, осажденных на поверхности толстого метаморфного слояInGaAs, выращенного на подложкеGaAs. Показано, что плотность квантовых точек и их латеральный размер увеличиваются по сравнению со случаем роста непосредственно на подложкеGaAs. Увеличение концентрации индия в слоеInGaAs приводит к сдвигу линии фотолюминесценции в сторону больших длин волн и при концентрации индия в метаморфном слое30 ат% длина волны максимума линии фотолюминесценции составляет1.55 мкм. Исследования электронного спектра квантовых точек методом спектроскопии возбуждения фотолюминесценции позволяют сделать вывод об уменьшении разности энергий между подуровнями носителей заряда в квантовых точках при увеличении концентрации индия в матрицеInGaAs.
Крыжановская Н.В., Гладышев А.Г., Блохин С.А., Мусихин Ю.Г., Жуков А.Е., Максимов М.В., Захаров Н.Д., Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н., Werner P., Guffart F., Bimberg D. Оптические иструктурные свойства массивов квантовых точекInAs, осажденных вматрицуInxGa1-xAs наподложкеGaAs // ФТП, 2004, том 38, выпуск 7, Стр. 867

Показано, что продольный эффект Капицы в кристаллах со сверхрешеткой может быть объяснен при учете квантования Ландау и его влияния на рассеяние носителей тока на деформационном потенциале акустических фононов. Получены формулы для коэффициента Капицы при различных степенях вырождения электронного газа.
Горский П.В. Эффект Капицы вкристаллах сосверхрешеткой // ФТП, 2004, том 38, выпуск 7, Стр. 864

Проведен расчет времени релаксации квазидвумерных электронов нижней мини-зоны сверхрешетки GaAs/Al0.35Ga0.65As за счет рассеяния на акустических фононах. Показано, что учет размерного квантования фононного спектра, выполненный в рамках теории упругости, слабо влияет на рассеяние электронов. Данное рассеяние хорошо описывается в рамках фононного спектра объемных полупроводников, входящих в состав сверхрешетки.
Борисенко С.И. Влияние размерного квантования спектра акустических фононов нарассеяние электронов всверхрешетке GaAs/AlxGa1-xAs // ФТП, 2004, том 38, выпуск 7, Стр. 858

Исследованы спектры фотолюминесценции и спектры возбуждения фотолюминесценции при комнатной температуре в пленкахSiO2, имплантированных ионамиGe+ и отожженных в условиях гидростатического сжатия при температуре Ta=450-1100oC и давлении P=12 кбар. Установлено, что появление особенностей в спектрах эмиссии и спектрах возбуждения фиолетовой и зеленой полос фотолюминесценции коррелирует с формированием однородно напряженных нанокристалловGe. Выскокоэнергетичный сдвиг полос фотолюминесценции с ростом Ta>=800oC объясняется смещением энергетических уровней формирующихся центров излучательной рекомбинации за счет возрастающих деформационных потенциалов. Наблюдаемая фотолюминесценция объясняется увеличением вероятности прямых излучательных переходов в нанокристаллах Ge с X-подобной зоной проводимости.
Тысченко И.Е., Реболе Л. Излучательная рекомбинация впленках SiO2, имплантированных ионами Ge+ иотожженных вусловиях гидростатического сжатия // ФТП, 2004, том 38, выпуск 7, Стр. 852

Исследованы энергетические и кинетические характеристики просветления кварцевых золь--гель-стекол, содержащих наночастицы селенида меди различной стехиометрии. Установлена зависимость нелинейно-оптических свойств образцов стекол от химического состава частиц селенида меди, определяющего появление и спектральное положение дополнительной полосы поглощения в ближней инфракрасной области спектра. Сосдвигом максимума полосы поглощения в низкоэнергетическую область спектра время релаксации просветления увеличивается, а пиковое поперечное сечение поглощения уменьшается.
Золотовская С.А., Поснов Н.Н., Прокошин П.В., Юмашев К.В., Гурин В.С., Алексеенко А.А. Нелинейные свойства фототропных сред наоснове наночастиц селенидов меди CuxSe вкварцевом стекле // ФТП, 2004, том 38, выпуск 7, Стр. 846

С помощью акустических методов исследована комплексная высокочастотная проводимость гетероструктур GaAs/Al0.3Ga0.7As, delta- и модулированно легированныхSi, в режиме целочисленного квантового эффекта Холла. Позависимостям поглощения и скорости поверхностных акустических волн от магнитного поля определены как активнаяsigma1, так и реактивнаяsigma2 части комплексной проводимости sigma(omega,H)=sigmai-isigma2. Показано, что в гетероструктурах с электронной концентрацией ns=(1.3-7)· 1011 см-2 и подвижностью mu=(1-2)· 105 см2/(В·с) ВЧ проводимость вблизи центров холловских плато является прыжковой. Установлено, что при факторах заполнения2 и4 проводимость слоя Al0.3Ga0.7As<Si> существенно шунтирует прыжковую ВЧ проводимость двумерного интерфейсного слоя. Разработан метод разделения вкладов в прыжковую проводимость sigma(omega,H) от интерфейсного слоя и слоя Al0.3Ga0.7As<Si>. Определена длина локализации электронов в интерфейсном слое на основе модели одноэлектронных прыжков на ближайший узел. Показано, что в гетероструктурах GaAs/Al0.3Ga0.7As вблизи центров холловских плато как sigma(omega,H), так иns зависят от скорости охлаждения образца. Врезультате образец \glqq помнит\grqq условия охлаждения. Величины sigma(omega,H) и ns чувствительны также к инфракрасному облучению и к статической деформации образца. Мысвязываем эти факты с присутствием в слое Al0.3Ga0.7As<Si> двухэлектронных дефектов--- так называемых DX--центров.
Дричко И.Л., Дьяконов А.М., Смирнов И.Ю., Гальперин Ю.М., Преображенский В.В., Торопов А.И. Роль слоев Al0.3Ga0.7As, легированныхSi, ввысокочастотной проводимости гетероструктур GaAs/Al0.3Ga0.7As врежиме квантового эффектаХолла // ФТП, 2004, том 38, выпуск 6, Стр. 729

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии синтезированы туннельно-связанные пары квантовых точек (квантовые молекулы) InAs в матрице GaAs. Проведено исследование структурных и оптических свойств полученных квантовых молекул. Обнаружены четыре экситонных состояния молекул, формирующих спектр фотолюминесценции. Времена спада фотолюминесценции указывают на вероятность межуровневой излучательной рекомбинации со второго возбужденного состояния, что особенно важно при конструировании приборов, работающих в среднем инфракрасном диапазоне.
Талалаев В.Г., Tomm J.W., Zakharov N.D., Werner P., Новиков Б.В., Цырлин Г.Э., Самсоненко Ю.Б., Тонких А.А., Егоров В.А., Поляков Н.К., Устинов В.М. Спектроскопия экситонных состояний квантовых молекул InAs // ФТП, 2004, том 38, выпуск 6, Стр. 723

Предложен метод расчета вероятности межподзонного электрон-электронного рассеяния в квантовых ямах сложной формы. Численные значения получены для ступенчатых квантовых ям InGaAs/AlGaAs. Установлены основные механизмы электрон-электронного рассеяния, наиболее сильно влияющие на межподзонную инверсию населенности в лазерной структуре.
Зерова В.Л., Воробьев Л.Е., Зегря Г.Г. Электрон-электронное рассеяние вступенчатых квантовых ямах // ФТП, 2004, том 38, выпуск 6, Стр. 716