Жуков А.Е., Васильев А.П., Ковш А.Р., Михрин С.С., Семенова Е.С., Егоров А.Ю., Одноблюдов В.А., Малеев Н.А., Никитина Е.В., Крыжановская Н.В., Гладышев А.Г., Шерняков Ю.М., Максимов М.В., Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Алферов Ж.И.
- Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2003
Сообщается о реализации лазерной генерации на длине волны1488--1515 нм в диапазоне температур 20-83oC в структурах с активной областью на основе многослойных массивов самоорганизующихся квантовых точек, выращенных на подложках GaAs. Влазере с четырьмя сколотыми гранями пороговая плотность тока со...
Сообщается о реализации лазерной генерации на длине волны1488--1515 нм в диапазоне температур 20-83oC в структурах с активной областью на основе многослойных массивов самоорганизующихся квантовых точек, выращенных на подложках GaAs. Влазере с четырьмя сколотыми гранями пороговая плотность тока составила 800 А/см2 при комнатной температуре. Метод увеличения длины волны основан на использовании метаморфного переходного слоя с содержанием индия около20%, предназначенного для релаксации напряжения рассогласования.
Жуков А.Е., Васильев А.П., Ковш А.Р., Михрин С.С., Семенова Е.С., Егоров А.Ю., Одноблюдов В.А., Малеев Н.А., Никитина Е.В., Крыжановская Н.В., Гладышев А.Г., Шерняков Ю.М., Максимов М.В., Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Алферов Ж.И. Лазерная генерация надлине волны 1.5 мкм вструктурах сквантовыми точками наподложкахGaAs // ФТП, 2003, том 37, выпуск 12, Стр. 1461