Исследовано квантовое магнитосопротивление двумерного электронного газа вслабом магнитном поле на гетерогранице In0.53Ga0.46As/InP врежиме замороженной фотопроводимости. Знакопеременный характер зависимостей магнитосопротивления от магнитного поля свидетельствует овлиянии спин-орбитального взаимодействия на проводимость квантовой ямы. Показано, что основным вкладом ввеличину частоты спин-орбитального рассеяния 1/tauso является механизм, определяемый встроенным на гетерогранице электрическим полем,--- линейным по волновому вектору электрона механизмом Рашбы. Полученные данные позволяют на основе существующих теорий оценить параметры спин-орбитального расщепления энергетического спектра alpha=(84± 10) Angstrem2 (по механизму Рашбы) и gamma=(73± 5) эВ·\AA3 (по механизму Дьяконова--Переля иДрессельхауза).
Быканов Д.Д., Новиков С.В., Полянская Т.А., Савельев И.Г. Слабая антилокализация испин-орбитальное взаимодействие вквантовой яме In0.53Ga0.47As/InP врежиме замороженной фотопроводимости // ФТП, 2002, том 36, выпуск 12, Стр. 1475

Гетероструктуры с одиночными квантовыми ямами InAs1-xSbx / AlSb1-yAsy были получены методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaSb (001) иисследованы методами рентгеновской дифрактометрии, просвечивающей электронной микроскопии ифотолюминесценции. Вструктурах обнаружена интенсивная люминесценция при температуре80 K сполушириной пика 30-50 мэВ идлиной волны вдипапзоне 2-4.5 мкм взависимости от толщины квантовой ямы, которая варьировалась от4 до20 нм соответственно. Проведен расчет края фундаментального поглощения таких квантовых ям вшироком диапазоне составовx иy. Получено хорошее соответствие между экспериментальными итеоретическими зависимостями ширины запрещенной зоны InAsSb / AlSbAs-квантовой ямы от ее толщины.
Соловьев В.А., Терентьев Я.В., Торопов А.А., Мельцер Б.Я., Семенов А.Н., Ситникова А.А., Иванов С.В., Meyer J.R., Копьев П.С. Рост методом молекулярно-пучковой эпитаксии ифотолюминесцентные свойства квантовых ям InAsSb / AlSbAs // ФТП, 2002, том 36, выпуск 12, Стр. 1470

Впредыдущей работе авторов вформализме матрицы плотности построено квантовое кинетическое уравнение, описывающее затухание блоховских осцилляций видеальных сверхрешетках из квантовых точек различной размерности (1D, 2D, 3D) ивыявлены условия, когда единственным каналом рассеяния носителей на фононах вдвумерных(2D) и трехмерных(3D) сверхрешетках из квантовых точек, ответственным за затухание блоховских осцилляций, остается рассеяние на акустических фононах внутри поперечных минизон штарковской лестницы состояний носителей. Настоящая работа посвящена анализу возможностей подавления рассеяния вэтом канале. Показано, что время жизни блоховских осцилляций в двумерных и трехмерных сверхрешетках из квантовых точек при комнатной температуре может всотни раз превосходить период осцилляций, инайдены условия, при которых возможно столь сильное подавление рассеяния. Это существенным образом отличает сверхрешетки из квантовых точек от сверхрешеток из квантовых ям, где при комнатной температуре блоховские осцилляций затухают фактически за один период осцилляций.
Дмитриев И.А., Сурис Р.А. Затухание блоховских осцилляций всверхрешетках изквантовых точек различной размерности // ФТП, 2002, том 36, выпуск 12, Стр. 1460

Вформализме матрицы плотности построено квантовое кинетическое уравнение, описывающее затухание блоховских осцилляций видеальных сверхрешетках из квантовых точек различной размерности (1D, 2D, 3D). Продемонстрирована возможность полного подавления однофононного рассеяния на оптических фононах исущественного подавления рассеяния на акустических фононах всверхрешетках из квантовых точек благодаря эффективному управлению спектром путем изменения величины иориентации постоянного электрического поля. Получены условия, при соблюдении которых единственным каналом рассеяния на фононах, ответственным за затухание блоховских осцилляций, остается рассеяние на акустических фононах внутри поперечных минизон штарковской лестницы состояний носителей.
Дмитриев И.А., Сурис Р.А. Затухание блоховских осцилляций всверхрешетках из квантовых точек. Общий формализм // ФТП, 2002, том 36, выпуск 12, Стр. 1449

Получены формулы для расчета эффективного времени релаксации импульса и подвижности квазидвумерных электронов сверхрешетки с учетом неупругого рассеяния на акустических фононах и дисперсии энергетического спектра минизоны по продольному волновому вектору. Проведен численный расчет для невырожденного газа квазидвумерных электронов симметричной сверхрешетки GaAs/Al0.36Ga0.64As с шириной квантовой ямы5 нм при T=77 K. Показано, что учет неупругости рассеяния и дисперсии энергетического спектра минизоны приводит к сущестенному увеличению подвижности электронов.
Борисенко С.И. Анализ неупругого рассеяния квазидвумерных электронов сверхрешетки наакустических фононах сучетом дисперсии минизоны // ФТП, 2002, том 36, выпуск 12, Стр. 1445

Исследованы структурные свойства нанообъектов вгетероэпитаксиальной системе Si / Ge0.3Si0.7 / Ge методом атомно-силовой микроскопии. Установлено, что образование нанометровых островков происходит при меньших толщинах осажденногоGe, чем вслучае Si / Ge гетероэпитаксии. Обнаружены эффекты пространственного упорядочения наноструктур: образование hut-кластерами групп вокруг кратеров на начальной стадии образования трехмерных объектов ивыстраивание dome-кластеров вряды при повышении количества осажденногоGe.
Цырлин Г.Э., Егоров В.А., Соколов Л.В., Werner P. Эффекты упорядочения наноструктур всистеме Si / Ge0.3Si0.7 / Ge примолекулярно-пучковой эпитаксии // ФТП, 2002, том 36, выпуск 11, Стр. 1379

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии изготовлен образец сполумагнитной сверхрешеткой типаII ZnSSe/ZnMnSe. Образец выращен псевдоморфно на подложке GaAs, причем составы твердых растворов итолщины слоев выбраны таким образом, чтобы деформации сжатия вслое ZnMnSe компенсировали деформации растяжения вслое ZnSSe. Вспектрах фотолюминесценции вмагнитном поле наблюдается эффект \glqq гигантского зеемановского расщепления экситона\grqq. Моделирование величины сдвига линии люминесценции вмагнитном поле позволило уточнить разрывы зон на границе ZnSSe/ZnMnSe.
Торопов А.А., Лебедев А.В., Сорокин С.В., Салнышков Д.Д., Иванов С.В., Копьев П.С., Буянова И.А., Чен В.М., Монемар Б. Полумагнитные сверхрешетки типаII ZnMnSe/ZnSSe: рост имагнитолюминесцентные свойства // ФТП, 2002, том 36, выпуск 11, Стр. 1372

На примере кремниевых транзисторных структур типа металл--нитрид--окисел--полупроводник с инверсионным n-каналом и предельно высокой (<=1013 см-2) концентрацией встроенных зарядов (источников электростатического флуктуационного потенциала) обсуждаются экспериментальные зависимости проводимости мезоскопических квазидвумерных электронных систем от температуры (4.2--300 K) в условиях перколяционного перехода диэлектрик--металл. Врамках формализма Ландауэра--Буттикера анализируются перевальные области флуктуационного потенциала, которые, представляя собой точечные квантовые контакты между ямами хаотического потенциального рельефа, определяют как характер электронного переноса, так и условия перехода диэлектрик--металл. Показано соответствие результатов анализа температурных и полевых (от потенциала затвора) зависимостей проводимости. Восстановлена форма эффективного потенциального барьера для туннельного транспорта электронов через перевальные области.
Давыдов А.Б., Аронзон Б.А., Бакаушин Д.А., Веденеев А.С. О температурной зависимости проводимости электростатически разупорядоченных квазидвумерных полупроводниковых систем вобласти перколяционного перехода диэлектрик--металл // ФТП, 2002, том 36, выпуск 10, Стр. 1241

Проведен численный анализ времени релаксации квазидвумерных электронов сверхрешетки GaAs/AlxGa1-xAs при рассеянии на акустических фононах взависимости от ширины квантовой ямы, толщины ивысоты потенциального барьера. Вероятность рассеяния электронов нижней минизоны рассчитывалась сприближенной огибающей волновой функцией, не учитывающей дисперсию периодической части функции Блоха по волновому вектору. Проведен сравнительный анализ рассчитанных значений времени релаксации со значением, полученным по известной приближенной формуле.
Борисенко С.И. Зависимость акустического рассеяния квазидвумерных электронов от параметров сверхрешетки типа GaAs / AlxGa1-xAs // ФТП, 2002, том 36, выпуск 10, Стр. 1237

Врамках приближения огибающей получена зависимость ширины оптической щели кремниевых квантовых точек, имплантированных вдиэлектрическую матрицу диоксида кремния, от их размера. Показано, что учет конечности ширины запрещенной зоны вSiO2 и скачка эффективной массы на границе раздела Si/SiO2 существенно понижает значение оптической щели по сравнению смоделью, вкоторой потенциальные барьеры для электронов и дырок считаются бесконечно высокими. Установлено хорошее согласие сэкспериментальными данными.
Бурдов В.А. Зависимость ширины оптической щели кремниевых квантовых точек отихразмера // ФТП, 2002, том 36, выпуск 10, Стр. 1233