Развита математическая модель, описывающая когерентное туннелирование электронов в трехбарьерных квантово-размерных структурах в высокочастотном электрическом поле терагерцового диапазона. На основе разработанной модели качественно и количественно исследованы частотные зависимости отрицательной динамической проводимости (интенсивности квантовых переходов) трехбарьерных наноструктур с когерентным туннелированием электронов по близко лежащим расщепленным энергетическим уровням. Показано, что на основе таких структур могут быть созданы когерентные квантовые лазеры дальнего инфракрасного диапазона, с длиной волны вплоть до 60 мкм (5 ТГц). При этом время жизни электронов на нижнем резонансном уровне оказывается в 5раз меньше характерного времени рассеяния, влияние пространственного заряда несущественно, а полезная мощность, выделяемая в структуре, в несколько раз превосходит мощность потерь внутри оптического волновода.
Голант Е.И., Пашковский А.Б. Резонансные переходы между расщепленными уровнями трехбарьерных наноструктур иперспективы ихприменения вприборах субмиллиметрового диапазона // ФТП, 2002, том 36, выпуск 3, Стр. 330

Исследовано влияние электрического поля нелинейной (кноидальной) электромагнитной волны (поля накачки) на форму уединенной электромагнитной волны (солитона) в квантовой полупроводниковой сверхрешетке, энергетический спектр электронов которой содержит вторую гармонику. Показано, что распространение электромагнитных волн в данной ситуации описывается модифицированным двойным уравнением sine-Gordon. Отмечено, что в облучаемой кноидальной электромагнитной волной сверхрешетке возможны усиление импульса и трансформация его в диссипативный солитон, на значения скорости и ширины которого влияет учет второй гармоники в электронном энергетическом спектре сверхрешетки. Отмечена также зависимость параметров диссипативного солитона от температуры и амплитуды поля накачки. Выявлено, что при определенных условиях в сверхрешетке с рассматриваемым спектром возможно распространение электромагнитных волн, описываемых решениями модифицированного уравнения sine-Gordon.
Крючков С.В., Федоров Э.Г. Стабилизация формы солитона всверхрешетке соспектром, выходящим зарамки учета "ближайших соседей", вполе нелинейной волны // ФТП, 2002, том 36, выпуск 3, Стр. 326

Ультрадисперсные частицы состава CdSexTe1-x (0=<q x=<q 1) были сформированы в матрице силикатного стекла путем введения соответствующих готовых соединений в смесь SiO2 и оксидов Ca, Na, K, Li. Первоначально образующиеся частицы среднего размера 10--15 нм увеличиваются в 2--3 раза при дополнительной термообработке стекол; спектры оптического поглощения заметно изменяются только в случае твердых растворов CdSexTe1-x (x=0.8 или 0.4), но не в случае бинарных соединений CdSe иCdTe. Все синтезированные стекла обнаруживают схожие полосы люминесценции в видимой области. Наблюдаемые закономерности интерпретируются в предположении разделения двух кристаллических модификаций (вюрцита и сфалерита) при термообработке стекол, активированных твердыми растворами.
Боднарь И.В., Гурин В.С., Молочко А.П., Соловей Н.П., Прокошин П.В., Юмашев К.В. Оптические свойства ультрадисперсных частиц CdSexTe1-x (0=&lt;q x=&lt;q 1) вматрице силикатного стекла // ФТП, 2002, том 36, выпуск 3, Стр. 317

Исследовалась электролюминесценция квантово-каскадной структуры, состоящей из 40 периодов туннельно-связанных квантовых ям GaAs/Al0.15Ga0.85As. При напряжении смещения свыше 1.5--2.0 В наблюдалась полоса терагерцового излучения в области 1.0--1.8 ТГц. Положение максимума полосы линейно сдвигается в высокочастотную область с ростом напряжения на структуре. Эффект объяснен пространственно непрямыми переходами электронов между состояниями в соседних квантовых ямах.
Зиновьев Н.Н., Андрианов А.В., Некрасов В.Ю., Беляков Л.В., Сресели О.М., Хилл Г., Чемберлен Дж.М. Электролюминесценция квантово-каскадных структур AlGaAs/GaAs втерагерцовом диапазоне // ФТП, 2002, том 36, выпуск 2, Стр. 234

Вдиапазоне 4.2-500 K исследована температурная зависимость оптической энергетической щели Eg(T) квантовых точек CdSXSe1-X, синтезированных в боросиликатной стеклянной матрице. Показано, что при r>aB ( r--- средний радиус точек, aB--- радиус боровской орбиты экситона в массивном кристалле) она повторяет зависимость Eg(T) массивных кристаллов и описывается формулой Варшни во всем исследованном диапазоне температур. При переходе к точкам с r
Кунец В.П., Кулиш Н.Р., Кунец Вас.П., Лисица М.П., Малыш Н.И. Температурная зависимость оптической энергетической щели квантовых точек CdSXSe1-X // ФТП, 2002, том 36, выпуск 2, Стр. 227

Предложена модель рекомбинации неравновесных носителей заряда в многослойных структурах нанокристаллический Si--диэлектрик. Установлено, что ограничение переноса носителей заряда через локализованные состояния в диэлектрике ведет к нелинейному росту интенсивности электролюминесценции с увеличением протекающего через структуру тока. Последующий переход этой зависимости в режим насыщения связан с возрастанием роли рекомбинации Оже при увеличении тока. Снижение вклада безызлучательного процесса Оже можно достичь увеличением концентрации наноразмерных кластеров в кремнии и числа периодов структуры. Показано, что одним из основных путей увеличения интенсивности электролюминесценции является увеличение концентрации дырок на инжектирующем их контакте.
Берашевич Ю.А., Каменев Б.В., Борисенко В.Е. Инжекционное возбуждение люминесценции вмногослойных структурах nc-Si/диэлектрик // ФТП, 2002, том 36, выпуск 2, Стр. 221

В рамках модели потенциала нулевого радиуса вприближении эффективной массы рассмотрено примесное поглощение света вквантовой точке со сферически-симметричным потенциальным профилем. Показана динамика формирования локализованного D--состояния суперпозицией состояний квантовой точки сразличными значениями орбитального квантового числа. Рассчитан коэффициент примесного поглощения света сучетом дисперсии размеров квантовых точек. Показано, что учет дисперсии приводит кразмытию дискретных линий впримесном поглощении света. Численные оценки энергии связи D--состояния и коэффициента примесного поглощения света приведены для случая гетерофазной системы <квантовые точки CdS>--<прозрачная матрица силикатного стекла>. Исследована чувствительность края полосы примесного поглощения кглубине залегания примесного уровня и квеличине среднего радиуса квантовых точек.
Кревчик В.Д., Левашов А.В. Энергетический спектр иоптические свойства комплекса квантовая точка--примесный центр // ФТП, 2002, том 36, выпуск 2, Стр. 216

Выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs/AlGaAs-гетероструктуры с одиночными квантовыми ямами вблизи поверхности, антимодулированно легированныеSi, обработаны в водородной плазме при260oC и исследованы методами низкотемпературной фотолюминесценции, возбуждения фотолюминесценции и фотоотражения. Обнаружено гашение экситонной люминесценции из квантовой ямы при возбуждении ниже ширины запрещенной зоны AlGaAs вследствие усиления электрического поля в структуре. Эффект связан с откреплением уровня Ферми от середины запрещенной зоны специально не легированного верхнего слоя GaAs (p-типа) в результате пассивации водородом поверхностных состояний при отсутствии нейтрализации мелких примесей в слоях структуры (из-за распада комплексов с водородом в условиях освещения и наличия сильных электрических полей).
Бумай Ю.А., Гобш Г., Гольдхан Р., Штайн Н., Голомбек А., Наков В., Ченг Т.С. Фотолюминесценция антимодулированно легированных GaAs/AlGaAs-структур содиночными квантовыми ямами, обработанных вводородной плазме // ФТП, 2002, том 36, выпуск 2, Стр. 211

Electron spin relaxation by the D'yakonov--Perel' mechanism is investigated theoretically in asymmetrical AIIIBV heterostructures. Spin relaxation anisotropy for all three dimensions is demonstrated for a wide range of structural parameters and temperatures. Dependences of spin relaxation rates are obtained both for aGaAs-based heterojunctions and a triangular quantum wells. The calculations show a several-orders-of-magnitude difference between spin relaxation times for heterostructure parameters realized in experiments.
Averkiev N.S., Golub L.E., Willander M. Spin relaxation in asymmetrical heterostructures // ФТП, 2002, том 36, выпуск 1, Стр. 97

Предложена кинетическая модель переноса носителей заряда в периодических наноразмерных структурах Si/CaF2 по локализованным состояниям в диэлектрике. Показано, что возникновение встроенного электрического поля в диэлектрике в результате поляризации захваченного локализованными центрами заряда и последующий разряд этих центров объясняют гистерезис вольт-амперных характеристик при смене полярности приложенного внешнего напряжения и приводят к появлению участка отрицательного дифференциального сопротивления на этих характеристиках. Наиболее значимым фактором в появлении отрицательного дифференциального сопротивления в исследуемых структурах является плотность носителей заряда на контактах и величина зарядового напряжения. При температуре ниже250 K участок отрицательного дифференциального сопротивления исчезает. Показано, что при экспериментальной регистрации вольт-амперных характеристик эффект от заряда--разряда локализованных центров должен уменьшаться при увеличении временного интервала измерения тока при постоянном напряжении и увеличении шага изменения приложенного напряжения и практически исчезает при20 с и0.6 В соответственно.
Берашевич Ю.А., Данилюк А.Л., Холод А.Н., Борисенко В.Е. Зарядовые эффекты, контролирующие токовый гистерезис иотрицательное дифференциальное сопротивление впериодических наноразмерных структурахSi/CaF2 // ФТП, 2002, том 36, выпуск 1, Стр. 91