Показано, что энергетический спектр электрона в потенциальной яме дискообразной формы имеет уровни двух типов: первый тип характеризуется квантовым числом, соответствующим движению носителя в основном вдоль короткого измерения диска. Расстояния между такими уровнями оказываются большими. Вквантовой точке состава InAs и в обкладках GaAs у электронов помещается, как правило, лишь один такой уровень. Уровни второго типа образуют субструктуру с квантовыми числами, соответствующими вращению носителя вокруг полярной оси и движению вдоль длинной оси диска. Расстояния между такими уровнями оказываются относительно малыми. Теория позволяет определить число таких уровней как функцию толщины и диаметра диска и установить условия перехода квантовой точки в квантовую яму с большим числом уровней субструктуры.
Зегря Г.Г., Константинов О.В., Матвеенцев А.В. Структура энергетических квантовых уровней вквантовой точке, имеющей форму сплюснутого тела вращения // ФТП, 2003, том 37, выпуск 3, Стр. 334

Исследованы люминесцентные свойства слоев ZnO различной толщины, нанесенных на поверхности синтетического опала. Обнаружены узкие пики свечения вэкситонной области спектра, обусловленные размерным квантованием электронных волновых функций. Методом атомно-силовой микроскопии иисследованием угловой зависимости спектров люминесценции установлено формирование квантовых точек оксида цинка внутри пор опала на втором приповерхностном слое.
Грузинцев А.Н., Волков В.Т., Емельченко Г.А., Карпов И.А., Масалов В.М., Михайлов Г.М., Якимов Е.Е. Люминесценция квантовых точек ZnO, полученных спомощью синтетического опала // ФТП, 2003, том 37, выпуск 3, Стр. 330

Проведен расчет колебательных спектров сверхрешеток (GaAs)n(Ga1-xAlxAs)m в модели Китинга с учетом дальнодействующих сил. Рассчитанные сложенные продольные акустические ветви хорошо согласуются с соответствующими экспериментально наблюдаемыми дублетами. Наблюдаемая как в наших расчетах, так и экспериментально тенденция к высокочастотному сдвигу продольных оптических колебаний с ростом числа монослоевGaAs обусловлена их локализацией в слоеGaAs.
Прыкина Е.Н., Полыгалов Ю.И., Копытов А.В. Колебательные спектры сверхрешеток (GaAs)n(Ga1-xAlxAs)m вмодели Китинга // ФТП, 2003, том 37, выпуск 3, Стр. 328

Методом Монте-Карло проведено моделирование электронного транспорта вдвойных квантовых ямах гетероструктуры AlxGa1-xAs/GaAs/InyGa1-yAs всильном электрическом поле, лежащем вплоскости квантовых ям. Показано, что вусловиях междолинного Gamma-L-переноса электронов возникает инверсная заселенность между первой и второй подзонами размерного квантования Gamma-долины. Инверсная заселенность этих подзон возникает начиная сполей 4 кВ/см при 77 K и 5.5 кВ/см при 300 K. Оценка коэффициента усиления излучения всверхрешетке, содержащей такие квантовые ямы, дала значение порядка 100 см-1 для длины волны 12.6 мкм.
Алешкин В.Я., Андронов А.А., Дубинов А.А. Инверсия заселенности Gamma -подзон вквантовых ямах вусловиях междолинного Gamma -L-переноса // ФТП, 2003, том 37, выпуск 2, Стр. 224

Исследовались структурные и оптические свойства сверхтонких внедрений Ge в матрице кремния. Просвечивающая электронная микроскопия указывает на спонтанное формирование массива дискообразных квантовых точек малого латерального размера (3-10 нм) в диапазоне номинальных толщин вставок Ge от субмонослойных до близких к критическим для перехода ктрехмерному росту по механизму Странского--Крастанова. Оптические исследования показывают, что такие структуры являются структурами первого рода из-за сильного вклада кулоновского взаимодействия между электроном и дыркой, пересиливающего отталкивающий потенциал для электрона, существующий в зоне проводимостиGe. Малый латеральный размер квантовых точек снимает запрет на непрямую рекомбинацию в обратном k-пространстве. Сдругой стороны, высокая поверхностная плотность квантовых точек (1012-1013 см-2) и возможность их складирования с использованием сверхтонких разделяющих прослоек Si позволяет получать сверхвысокую объемную плотность квантовых точек (до 1019 см-3), необходимую для получения достаточного модального усиления для реализации стимулированного излучения в Si. Образец со складированными квантовыми точками, полученными 0.7 нм внедрениями, показал сверхлинейный рост интенсивности фотолюминесценции, сопровождающийся сужением линии фотолюминесценции. Легирование Si--Ge-структур донорной примесью позволяет кардинально увеличить интенсивность фотолюминесценции при высоких температурах наблюдения, препятствуя обеднению активной области слаболокализованными электронами.
Макаров А.Г., Леденцов Н.Н., Цацульников А.Ф., Цырлин Г.Э., Егоров В.А., Устинов В.М., Захаров Н.Д., Werner P. Исследование оптических свойств структур со сверхплотными массивами квантовых точек Ge в матрице Si // ФТП, 2003, том 37, выпуск 2, Стр. 219

Исследована низкотемпературная (при 2 K) фотолюминесценция Si/Ge-структур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии при низких температурах (250-350oC) осаждения германия. Обнаружены существенные изменения в спектрах люминесценции, когда средняя толщина слоя германия превышает 6монослоев: линия излучения псевдоморфного слоя (квантовой ямы), сохраняя свое спектральное положение, возрастает по интенсивности за счет линии люминесценции островков (квантовых точек), которая при этом полностью исчезает. Полученные результаты показывают, что механизм низкотемпературного эпитаксиального роста заметно отличается от реализующегося при обычно используемых температурах роста (500-700oC).
Бурбаев Т.М., Курбатов В.А., Погосов А.О., Рзаев М.М., Сибельдин Н.Н. Фотолюминесценция квантовых ям иквантовых точек германия вкремнии, полученных при низких температурах молекулярно-пучковой эпитаксии // ФТП, 2003, том 37, выпуск 2, Стр. 216

Врамках подхода, основанного на сведении 6x 6 и 8x 8 кейновских матричных уравнений куравнению шредингеровского типа, проведены самосогласованные расчеты расщепления Рашбы винверсионных и обогащенных слоях InAs. Пренебрежение вкладом зоны Gamma7 приводит в InAs кзавышению расщепления более чем на 50%. Существенно нелинейный характер зависимости расщепления от двумерного волнового вектораk ограничивает применимость вкачестве характеристики величины эффекта параметра Рашбыalpha (коэффициента при линейном по k члене вспектре), в том числе его значения на уровне Ферми, ввиду сильной зависимости последнего от используемых аппроксимаций для двумерного спектра. Рассчитанные для инверсионного слоя относительные разницы заселенностей спиновых субподзон Delta n/n в2-3раза меньше измеренных Мацуямой и др.[Phys. Rev. B, 61, 15 588 (2000)]. Результаты проведенного вработе экспериментального исследования обогащенных слоев InAs указывают, что величинаDelta n/n вних не превышает расчетного значения ~ 0.02. Показана адекватность врамках использованного подхода описания двумерного спектра, включая спин-орбитальное расщепление, при квазиклассическом квантовании вклассически самосогласованном поверхностном потенциале.
Раданцев В.Ф., Иванкив И.М., Яфясов А.М. Эффект Рашбы винверсионных и обогащенных слоях InAs // ФТП, 2003, том 37, выпуск 2, Стр. 209

Исследовано распределение атомов индия вструктурах сдвойными квантовыми ямами InGaAs / GaAs, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии. Экспериментальные профили распределения индия были получены методом оже-электронной спектрометрии. Для вычисления профилей использовалась модель роста сучетом сегрегации индия имодель оже-профилирования. Согласование вычисленных иэкспериментальных профилей позволило оценить энергии активации процессов обмена In--Ga врамках кинетической модели сегрегации. Полученные значения оказались несколько выше, чем известные для молекулярно-пучковой эпитаксии, что связано со стабилизацией ростовой поверхности атомами водорода вгазофазном реакторе.
Дроздов Ю.Н., Байдусь Н.В., Звонков Б.Н., Дроздов М.Н., Хрыкин О.И., Шашкин В.И. Сегрегация индия привыращивании квантовых ям InGaAs / GaAs вусловиях газофазной эпитаксии // ФТП, 2003, том 37, выпуск 2, Стр. 203

В гетероструктурах со связанными квантовыми ямами и встроенным электрическим полем измерены спектры фотоотражения при комнатной температуре. Определены энергии оптических переходов. Изучены их зависимости от ширины ямы и толщины барьера. Проведено сравнение экспериментальных результатов с теоретически рассчитанными энергиями электронно-дырочных переходов. Для узких ям получено хорошее согласие. Вшироких ямах одному оптическому переходу соответствует несколько близко расположенных электронно-дырочных переходов.
Галиев Г.Б., Каминский В.Э., Мокеров В.Г., Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Червяков А.В., Кульбачинский В.А. Исследования электронных переходов всвязанных квантовых ямах совстроенным электрическим полем методом спектроскопии фотоотражения // ФТП, 2003, том 37, выпуск 1, Стр. 77

Исследованы температурные зависимости сопротивления в интервале температура 0.7 K
Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Рогозин В.А., Мокеров В.Г., Федоров Ю.В., Хабаров Ю.В., Нарюми Е., Киндо К., де Виссер А. Латеральный электронный транспорт вкороткопериодных сверхрешетках InAs/GaAs напороге образования квантовых точек // ФТП, 2003, том 37, выпуск 1, Стр. 70