Исследовано влияние водорода на фотоэлектрические свойства и фотолюминесценцию диодных структур с квантовыми ямами Pd/GaAs/InGaAs. Выяснено влияние толщины анодного окисла GaAs на характеристики этих структур, и определена его оптимальная толщина для водородных сенсоров. Установлено существенное влияние металлических мостиков в тонких слоях окисла на вольт-амперные характеристики структур. Показано, что квантовые ямы повышают чувствительность структур к водороду. Сиспользованием квантовых ям как индикаторов дефектов обнаружено и исследовано образование дефектов при нанесении Pd-электрода на естественную и окисленную поверхность GaAs. Установлена возможность пассивации дефектов в квантовых ямах диодных структур путем введения атомарного водорода через Pd-электрод при обработке структур в атмосфере молекулярного водорода.
Карпович И.А., Тихов С.В., Шоболов Е.Л., Звонков Б.Н. Влияние водорода насвойства диодных структур сквантовыми ямами Pd/GaAs/InGaAs // ФТП, 2002, том 36, выпуск 5, Стр. 582

Развит эффективный численно-аналитический метод расчета состояний непрерывного спектра в системах с квантовыми ямами с произвольным профилем потенциала, описываемых системой связанных уравнений Шредингера, таких как состояния дырок в полупроводниковых квантовых ямах. Состояния сплошного спектра находятся точно, в постановке, соответствующей задаче рассеяния. Построены состояния рассеяния ( in/out-решения) и S-матрица в случае многоканального рассеяния в одномерных системах с квантовыми ямами, получены и проанализированы их свойства симметрии. Метод применен для исследования рассеяния дырок на квантовых ямах GaInAs--InGaAsP с напряженными слоями. Вычислены зависимости коэффициентов прохождения и отражения дырок, а также времен задержки от энергии падающей дырки для различных значений параметров структур и величины компоненты импульса, параллельной гетерограницам. При энергиях, при которых закрыт канал с превращением тяжелой дырки в распространяющуюся легкую, рассеяние тяжелой дырки на квантовой яме имеет резонансный характер.
Галиев В.И., Круглов А.Н., Полупанов А.Ф., Голдис Е.М., Тансли Т.Л. Многоканальное рассеяние носителей заряда нагетероструктурах сквантовыми ямами // ФТП, 2002, том 36, выпуск 5, Стр. 576

Мы исследуем новые эффекты в резонансном туннелировании электронов в однобарьерной гетероструктуре GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs с учетом приложенного электрического смещения. Gamma-X-смешивание электронных состояний на границах раздела ответственно за резонансы Фано в прозрачности барьера. Исследовано движение резонансов Фано и их взаимодействие с резонансами Брейта--Вигнера в электрическом поле. Рассчитана вольт-амперная характеристика гетеробарьера. Показано, что дифференциальная проводимость позволяет получить профиль резонанса Фано и определить его параметры.
Ким Ч.С., Сатанин А.М., Штенберг В.Б. Резонансное туннелирование инелинейный ток вгетеробарьерах сосложным законом дисперсии носителей // ФТП, 2002, том 36, выпуск 5, Стр. 569

На кремниевой подложке с буферным слоем Si1-xGex выращены структуры GaAs / InxGa1-xAsсквантовыми точками, обладaющие интенсивной фотолюминесценцией в области1.3 мкм при комнатной температуре. Процесс выращивания осуществлялся последовательно в двух установках молекулярно-лучевой эпитаксии с перегрузкой структуры через атмосферу. Приводятся результаты исследования процесса роста структуры методом дифракции быстрых электронов.
Бурбаев Т.М., Казаков И.П., Курбатов В.А., Рзаев М.М., Цветков В.А., Цехош В.И. Фотолюминесценция (lambda =1.3 мкм) прикомнатной температуре квантовых точек InGaAs на подложкеSi (100) // ФТП, 2002, том 36, выпуск 5, Стр. 565

-1 Рассмотрены электронные состояния для энергий в зоне проводимости сверхрешеток (AlAs)M(GaAs)N (111) с M>=q N (N
Караваев Г.Ф., Чернышов В.Н., Егунов Р.М. Минизонные спектры всверхрешетках (AlAs)M(GaAs)N (111) // ФТП, 2002, том 36, выпуск 5, Стр. 558

Проведено детальное исследование температурных (0.1=<sssim T=<sssim 20 K) и магнитополевых (0=<sssim B=<sssim 12 Тл) зависимостей продольного(rhoxx) и холловского(rhoxy) сопротивлений для многослойных гетероструктур p-Ge/Ge1-xSix (x=0.07) с концентрацией дырок p=(2.4-2.6)· 1011 см-2 и подвижностями mu=(1.1-1.7)· 104 см2/B·с). Определены параметры энергетического спектра двумерного дырочного газа в режиме квантового эффекта Холла. Для факторов заполнения nu=1 и2 ширина щелей подвижности W=(2-2.5) мэВ, а величина фоновой плотности локализованных состояний gc=(5-7)· 1010 см-2мэВ-1. Полученные результаты интерпретируются на основе моделей крупномасштабного примесного потенциала в селективно-легированных двумерных системах.
Арапов Ю.Г., Кузнецов О.А., Неверов В.Н., Харус Г.И., Шелушинина Н.Г., Якунин М.В. Определение щелей подвижности иплотности локализованных состояний дырок для гетероструктур p-Ge/Ge1-xSix врежиме квантового эффектаХолла // ФТП, 2002, том 36, выпуск 5, Стр. 550

Теоретически исследован спектр электронов, дырок и экситонов всверхрешетке цилиндрических квантовых точек спредельно слабой связью квазичастиц между вертикальными слоями квантовых точек. Расчеты выполнены на примере цилиндрических квантовых точек beta-HgS, внедренных вbeta-CdS ввиде сверхрешетки. Показано, что электрон и дырка втакой системе образуют квазидвумерные минизоны энергии, аэкситоны описываются моделью Сугано--Шиноды. Исследована зависимость спектров квазичастиц от геометрических параметров сверхрешетки сцилиндрическими квантовыми точками и показано, что положения минизон всех квазичастиц очень чувствительны кизменению высоты квантовых точек, что должно проявляться экспериментально вэкситонном спектре поглощения.
Ткач Н.В., Маханец А.М., Зегря Г.Г. Электроны, дырки иэкситоны всверхрешетке цилиндрических квантовых точек спредельно слабой связью квазичастиц между слоями квантовых точек // ФТП, 2002, том 36, выпуск 5, Стр. 543

Проведено экспериментальное исследование излучательной рекомбинации экситонов вdelta-легированных сверхрешетках второго рода GaAs/AlAs. Обнаружено, что при увеличении концентрации примеси в delta-слоях от2· 1010 до7.5· 1011 см-2 наблюдается уменьшение интегральной интенсивности фотолюминесценции сверхрешеток в4-6раз при значительном (до70-80раз) падении интенсивности экситонной фотолюминесценции, сопровождаемом ростом темпа излучательной рекомбинации экситонов. При однородном легировании сверхрешетки тушения экситонной фотолюминесценции не наблюдается. Исследование температурной зависимости и кинетики фотолюминесценции показало, что концентрационное тушение экситоной фотолюминесценции в delta-легированных структурах не связано с уменьшением энергии локализации экситонов и не может быть объяснено увеличением концентрации центров безызлучательной рекомбинации. Мы заключаем, что основной причиной примесного тушения фотолюминесценции являются индуцированные ионизованными примесями встроенные электрические поля, препятствующие образованию экситонов.
Журавлев К.С., Сулайманов А.К., Гилинский А.М., Брагинский Л.С., Торопов А.И., Бакаров А.К. Рекомбинация экситонов вdelta -легированных сверхрешетках второго родаGaAs/AlAs // ФТП, 2002, том 36, выпуск 4, Стр. 484

Представлены данные исследований квантовой лестницы электронной и дырочной проводимости одномерных каналов, полученных с помощью методики расщепленного затвора внутри самоупорядоченных кремниевых квантовых ям. Сначала анализируются характеристики квантовых ям, спонтанно формирующихся между сильно легированными delta-барьерами на поверхности Si (100) в процессе неравновесной диффузии бора. Для этой цели используется вторичная ионная масс-спектрометрия, а также регистрация угловых зависимостей спектров циклотронного резонанса и ЭПР, которые позволяют идентифицировать как кристаллографическую ориентацию самоупорядоченных квантовых ям, так и сегнетоэлектрические свойства сильно легированных delta-барьеров. Поскольку полученные кремниевые квантовые ямы являются экстремально узкими (~ 2 нм), а ограничивающие их delta-барьеры обладают сегнетоэлектрическими свойствами, квантованная проводимость одномерных каналов впервые наблюдается при высокой температуре (T>= 77 K). Далее, ВАХ квантовой лестницы проводимости изучается в зависимости от кинетической энергии электронов и дырок, их концентрации в квантовых ямах, а также--- кристаллографической ориентации и степени модуляции электростатически индуцированных квантовых проволок. Полученные результаты показывают, что величина квантовых ступенек электронной проводимости кристаллографически ориентированных проволок n-типа определяется анизотропией зоны проводимости кремния и полностью согласуется со значением долинного фактора для осей [001] (G0=4e2/h, gv=2) и [011] (G0=8e2/h, gv=4) в плоскости Si (100). Всвою очередь квантовая лестница дырочной проводимости кремниевых проволок p-типа обусловлена независимыми вкладами одномерных подзон тяжелых и легких дырок, которые проявляются при исследовании проволок квадратного сечения в удвоении квантовых ступенек (G0=4e2/h), кроме первой (G0=2e2/h), вследствие отсутствия вырождения нижней одномерной подзоны. Анализ величины первой и второй квантовых ступенек свидетельствует о спонтанной спиновой поляризации тяжелых и легких дырок, что подчеркивает важнейшую роль обменного взаимодействия в процессах одномерного транспорта одиночных носителей. Кроме того, демонстрируется температурное и полевое тушение квантовой лестницы проводимости, когда kT и энергия полевого разогрева носителей становятся сравнимыми с величиной энергетического зазора между одномерными подзонами. Использование методики расщепленного затвора сделало возможным обнаружение эффекта резкого усиления квантовых ступенек проводимости при увеличении кинетической энергии электронов, который наиболее ярко проявляется в проволоках конечной длины, не описываемых в режиме квантового точечного контакта. Взаключительной части показано, что регистрация квантовой лестницы проводимости в условиях развертки кинетической энергии носителей может выполнять роль экспериментального теста, чтобы выделить эффекты квантовой интерференции в модулированных квантовых проволоках на фоне кулоновских осцилляций вследствие образования квантовых точек между delta-образными барьерами.
Баграев Н.Т., Буравлев А.Д., Клячкин Л.Е., Маляренко А.М., Гельхофф В., Иванов В.К., Шелых И.А. Квантованная проводимость вкремниевых квантовых проволоках // ФТП, 2002, том 36, выпуск 4, Стр. 462

В простом однозонном приближении исследовано влияние встроенных притягивающих или отталкивающих delta-образных потенциалов на энергетический спектр носителей заряда и силы осцилляторов для оптических переходов в квантовых ямах. Показано, что влияние delta-образных возмущений на величину и знак сдвига энергетических уровней существенно зависит от точки действия возмущения и от неоднородности эффективной массы. Расчет силы осцилляторов для межподзонных переходов подтверждает возможность создания таким путем спаренных квантовых ям с интересными нелинейными свойствами.
Дуринян К., Затикян А., Петросян С. Управление энергией межзонных имежподзонных переходов вквантовых ямах спомощью локализованных изоэлектронных возмущений // ФТП, 2002, том 36, выпуск 4, Стр. 457