Впервые исследованы спектры фотолюминесценции, возбуждения фотолюминесценции, рамановское рассеяние на фононах и вертикальный транспорт (вдоль направления роста) фотовозбужденных носителей и экситонов в слабонапряженных сверхрешетках CdSe/CdMgSe типаI, выращенных на подложках InAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Исследования проводились при различных температурах и интенсивностях возбуждения. Вертикальный транспорт исследовался чисто оптически по методу встроенной в сверхрешетку уширенной квантовой ямы, служившей резервуаром, в который попадают экситоны и носители заряда после туннелирования через сверхрешетку. При температурах 2--150 K транспорт преимущественно осуществляется свободными экситонами, но в сверхрешетках с периодами 5.9 и 7.3 нм он не является блоховским. Сравнение расчетных энергий межподзонных переходов в сверхрешетках с экспериментом дает относительную величину разрыва для валентной зоны в диапазоне 0.4--0.5. Из спектров рамановского рассеяния установлен двухмодовый характер поведения для оптических фононов в CdMgSe.
Решина И.И., Иванов С.В., Мирлин Д.Н., Седова И.В., Сорокин С.В. Экситонная фотолюминесценция и вертикальный транспорт фотовозбужденных носителей в сверхрешетках CdSe/CdMgSe // ФТП, 2005, том 39, выпуск 4, Стр. 456

Методами математического моделирования исследованы характерные особенности высокополевого дрейфа электронов в субмикронных n+-n-n+-структурах с существенным рельефом концентрации примеси в высокоомной части. Использовано квазигидродинамическое описание электронного дрейфа, включающее учет зависимостей подвижности и времени энергетической релаксации от электронной температуры, термодиффузионную составляющую электронного потока и дивергенцию потока электронной температуры. Показано, что секционирование высокоомной пролетной n-области дополнительными низкоомными n+-включениями наноразмерной протяженности существенно снижает температуру электронного газа, повышает эффективную подвижность носителей, а следовательно, и высокополевую электропроводность структуры за счет соответствующего повышения дрейфовой скорости.
Гергель В.А., Гуляев Ю.В., Курбатов В.А., Яку -пов М.Н. Квазигидродинамическое моделирование электропроводности селективно легированных наноразмерных слоистых структур иостровковых пленок всильных электрических полях // ФТП, 2005, том 39, выпуск 4, Стр. 453

Представлены результаты исследования транспорта электронов через двухбарьерные гетероструктуры AlAs/GaAs/AlAs, выращенные на подложках с ориентацией(001) и(311), анализ результатов которых позволяет получить информацию об анизотропии электронных подзон в квантовой ямеGaAs. Дисперсия в плоскости квантовой ямыE(k||) исследовалась с помощью магнитотуннельной спектроскопии при приложении магнитного поля B в плоскости квантовой ямы (т. е.перпендикулярно туннельному току). Амплитуда и изменение положения по напряжению резонансных пиков в туннельном токе оказались чувствительными как к величине, так и к ориентации магнитного поля относительно кристаллографических осей в плоскости квантовой ямы. Помещая монослой InAs в различные позиции внутри квантовой ямы GaAs, мы могли модифицировать волновые функции электронов и исследовать природу анизотропии электронных подзон в такой квантовой яме.
Вдовин Е.Е., Ханин Ю.Н. Анизотропия эффективной массы Gamma -электронов вквантовой ямеGaAs/(AlGa)As // ФТП, 2005, том 39, выпуск 4, Стр. 445

Теоретически исследованы эффекты пространственной неоднородности для плотности потока вероятности jx(x,z) (или плотности квантово-механического тока ejx(x,z), e--- заряд электрона ), возникающие в полупроводниковых двумерных наноструктурах, представляющих собой последовательно расположенные в направлении распространения электронной волны (осьx) узкую прямоугольную и широкую параболическую вдоль оси размерного квантованияz квантовые ямы. Неоднородное распределениеjx(x,z) возникает из-за интерференции электронных волн, распространяющихся в широкой квантовой яме одновременно по разным квантово-размерным подзонам. Особое внимание уделено эффектам пространственного повторения электронных волн в таких наноструктурах. Показано, что поперечное распределение jx(0,z), существующее на входе широкой квантовой ямы, с определенной точностью воспроизводится на расстоянииX1 от входа и периодически повторяется в сечениях Xp=pX1 (p--- целые числа). Приведены результаты численных расчетов этих эффектов в симметричных по осиz структурах и их модификация в несимметричных наноструктурах.
Петров В.А., Никитин А.В. Эффекты пространственной повторяемости при интерференции электронных волн вполупроводниковых двумерных наноструктурах спараболическими квантовыми ямами // ФТП, 2005, том 39, выпуск 4, Стр. 436

Исследовались электронно-оптические свойства светодиодных структур, содержащих в активной области несколько рядов квантовых точек InGaN/GaN, разделенных спейсерамиGaN. Показано, что заращивание слоя квантовых точек слоемInGaN более низкого состава с повышением температуры позволяет усилить глубину локализации носителей в квантовых точках. Кроме того, наблюдается неоднородная инжекция носителей преимущественно в области с большей глубиной локализации. Подробно исследованы электронно-оптические свойства p-n-перехода и влияние указанных неоднородностей на эти свойства и показано, что сдвиги линий излучения фото- и электролюминесценции при изменении условий измерений связаны с данными свойствами неоднородности в p-n-переходе.
Сизов Д.С., Сизов В.С., Заварин Е.Е., Лундин В.В., Фомин А.В., Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н. Кинетика и неоднородная инжекция носителей внанослояхInGaN // ФТП, 2005, том 39, выпуск 2, Стр. 264

Исследованы оптические свойства слоев пористого GaAs, полученных методом электрохимического травления монокристаллических пластинGaAs(100) n- иp-типа проводимости. Показано, что форма нанокристаллов, их средний диаметр и поверхностные состояния зависят от типа проводимости исходного кристалла. Обнаружено смещение пиков, соответствующих основным оптическим фононам, в низкочастотную область спектров комбинационного рассеяния света. Значения частот колебаний поверностных фононов, полученные из спектров комбинационного рассеяния света и спектров отражения в инфракрасном диапазоне длин волн, совпадают. При переходе от объемного GaAs к его пористой модификации изменяются формы спектральных зависимостей коэффициента отражения в области фононного резонанса, что обусловлено появлением дополнительных осцилляторов, связанных с пространственно ограниченными решеточными колебаниями в нанокристаллах GaAs. Методом атомно-силовой микроскопии проведено исследование морфологии поверхности образцов пористого GaAs, полученных на подложках n-типа проводимости. Наблюдался наноразмерный рельеф поверхности. Оценки значений среднего диаметра нанокристаллов GaAs, сделанные по результатам комбинационного рассеяния света, инфракрасной спектроскопии, фотолюминесценции и атомно-силовой микроскопии, хорошо согласуются друг с другом.
Белогорохов А.И., Гаврилов С.А., Белогорохов И.А., Тихомиров А.А. Оптические свойства пористого наноразмерного GaAs // ФТП, 2005, том 39, выпуск 2, Стр. 258

Теоретически изучено влияние резонансного электромагнитного импульса на когерентную динамику электрона в системе туннельно-связанных квнтовых точек, имеющей конфигурацию замкнутого кольца. Показана возможность селективного переноса электрона между двумя произвольными квантовыми точками. Найдено выражение для вероятности переноса как функции параметров квантовых точек и электромагнитного импульса. Показано, что эта вероятность может быть близка к единице. Обсуждаются факторы, влияющие на ее уменьшение в реальной системе. Полученные результаты могут быть использованы при разработке наноэлектронных устройств нового типа, предназначенных для операций с квантовыми битами.
Опенов Л.А., Цуканов А.В. Селективный перенос электрона между квантовыми точками поддействием резонансного импульса // ФТП, 2005, том 39, выпуск 2, Стр. 251

Получены выражения для времени релаксации, подвижности электронов и статической электропроводности вдоль полупроводниковой квантовой проволоки, обусловленные случайным полем гауссовых флуктуаций толщины проволоки. Для невырожденной статистики носителей тока при достаточно низких температурах(T) подвижность электронов un прапорционально T1/2. Впредельном случае сильного магнитного поляH, направленного вдоль длины проволоки, в подвижности возникает множитель H-1/2. Показано, что рассмотренный механизм релаксации носителей заряда является существенным для электропроводности достаточно тонкой и чистой проволоки при низких температурах.
Рувинский М.А., Рувинский Б.М. Овлиянии флуктуаций толщины настатическую электропроводность квантовой полупроводниковой проволоки // ФТП, 2005, том 39, выпуск 2, Стр. 247

В интервале температур 1.65--10.9 K обнаружено температурное смещение полюсов графиков Дингла, указывающее на трансформацию механизмов внутриподзонной и межподзонной релаксации энергии, что подтверждено непосредственно на зависимостях соответствующих времен от температуры.
Кадушкин В.И. Особенности межэлектронного взаимодействия впотенциальной яме сильно легированного гетероперехода AlxGa1-xAs(Si)/GaAs // ФТП, 2005, том 39, выпуск 2, Стр. 242

Проведено исследование разогрева двумерного электронного газа в структурах GaAs/InGaAs/GaAs в диапазоне температур0.4-4 K и концентраций (1.5-6)· 1015 м-2. Показано, что скорость релаксации энергии хорошо описывается теоретическими выражениями для релаксации энергии при рассеянии на деформационном и пьезоэлектрическом потенциале акустических фононов во всем исследованном диапазоне температур и концентраций. Показано, что используемые в большинстве работ аналитические выражения для скорости релаксации энергии, полученные для низко- и высокотемпературного режимов, работают только при строгом выполнении соотношения между квазиимпульсом Ферми и импульсом тепловых фононов. Показано, что скорость релаксации энергии немонотонно зависит от концентрации электронов. Так, при температуре решетки1.4 K она возрастает при уменьшении концентрации электронов до n=2.5· 1015 м-2, а затем падает при дальнейшем уменьшенииn.
Шерстобитов А.А., Миньков Г.М., Рут О.Э., Германенко А.В., Звонков Б.Н. Неомическая проводимость имеханизмы релаксации энергии2D электронного газа в гетероструктурах GaAs/InGaAs/GaAs // ФТП, 2005, том 39, выпуск 2, Стр. 237