Представленны результаты исследований структурных и оптических свойств гетероструктур на основе GaAs со слоями квантовых точек InAs, заращенных квантовыми ямами InGaAsN. Методами просвечивающей электронной микроскопии изучено влияние толщины слоя InGaAsN, а также содержания и распределения азота внем на размеры нановключений и характер и плотность дефектов вструктуре. Показано, что размеры нанодоменов InAs и констраст рассогласования постоянных решетки вструктурах, содержащих азот, выше, чем вструктурах, не содержащих азота. Продемонстрирована корреляция длины волны люминесценции сразмерами и составом нанодоменов. Показана корреляция интенсивности излучения и плотности дефектов вструктуре.
Сошников И.П., Крыжановская Н.В., Леденцов Н.Н., Егоров А.Ю., Мамутин В.В., Одноблюдов В.А., Устинов В.М., Горбенко О.М., Kirmse H., Neumann W., Bimberg D. Структурные и оптические свойства гетероструктур сквантовыми точками InAs вквантовой яме InGaAsN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии // ФТП, 2004, том 38, выпуск 3, Стр. 354

Рассмотрено влияние однородного внешнего электрического поля на состояния носителей заряда вквантованном сферическом слое. Получена зависимость величины энергетического сдвига от напряженности внешнего поля и геометрических размеров образца. Рассчитан коэффициент электрооптического поглощения для межзонных дипольных переходов.
Арутюнян В.А., Арамян К.С., Петросян Г.Ш. Размерный эффект Штарка иэлектропоглощение вполупроводниковом сферическом слое // ФТП, 2004, том 38, выпуск 3, Стр. 349

Проведены теоретические и экспериментальные исследования зависимости свойств ансамблей квантовых точек InAs на поверхности GaAs(100) от температуры поверхности и скорости роста InAs. Развита кинетическая теория формирования квантовых точек в процессе гетероэпитаксиального роста, позволяющая рассчитать зависимости среднего размера и поверхностной плотности островков от времени и условий роста. Экспериментально исследованы структурные и оптические свойства квантовых точек с эффективной толщиной 2монослоя, выращенных при различных температурах поверхности и скоростях роста. Проведено сравнение предсказаний теоретической модели с экспериментальными результатами и показано их хорошее соответствие. Полученные результаты показывают значительное увеличение латерального размера и уменьшение поверхностной плотности квантовых точек при повышении температуры и понижении скорости роста соответственно.
Дубровский В.Г., Мусихин Ю.Г., Цырлин Г.Э., Егоров В.А., Поляков Н.К., Самсоненко Ю.Б., Тонких А.А., Крыжановская Н.В., Берт Н.А., Устинов В.М. Зависимость структурных и оптических свойств ансамблей квантовыхточек всистеме InAs / GaAs оттемпературы поверхности искорости роста // ФТП, 2004, том 38, выпуск 3, Стр. 342

Проведен теоретический анализ уширения линий испускания при кулоновском взаимодействии носителей. Сиспользованием теории возмущений для невырожденной многочастичной электронно-дырочной системы получено приближенное аналитическое выражение для контура спектральных линий с экспоненциальными спадами и дано качественное объяснение известных экспериментальных данных, в том числе асимметрии контура, изменение его ширины при вариации температуры и уровня возбуждения.
Афоненко А.А. Уширение спектральных линий в квантовых ямах прикулоновском взаимодействии носителей заряда // ФТП, 2004, том 38, выпуск 3, Стр. 335

Изучались экситонные поляритоны в квантовых ямах ZnSe/ZnSxSe1-x, ширина которых превосходит боровский радиус экситона. Из оптических спектров отражения и пропускания, измеренных при температуре2 K, путем исключения модулирующего влияния интерференции Фабри--Перо получены спектры оптической плотности с несколькими экситонными пиками поглощения. Применительно к экситон-поляритонному переносу в изучаемых структурах развит метод матриц переноса, учитывающий наличие в квантовой яме двух близких по частоте экситонных резонансов, обладающих пространственной дисперсией. Вкачестве таких резонансов рассматривались экситоны тяжелой и легкой дырок, подзоны которых расщеплены вследствие деформации, возникающей из-за рассогласования постоянных кристаллической решетки составляющих полупроводников. Показано, что две серии пиков в спектрах поглощения принадлежат уровням размерного квантования тяжелого и легкого экситонов в широкой квантовой яме. Путем подгонки теоретических спектров под экспериментальные найдены эффективные экситонные параметры.
Марков С.А., Сейсян Р.П., Кособукин В.А. Спектроскопия экситонных поляритонов в напряженных полупроводниковых структурах A IIB VI с широкими квантовыми ямами // ФТП, 2004, том 38, выпуск 2, Стр. 230

Методом просвечивающей электронной микроскопии исследовано образование и модификация включений нанокристаллической фазы (nc-Si) в тонких пленках a-Si : H, полученных тремя способами: плазмохимическим осаждением a-Si : H, циклическим плазмохимическим осаждением с промежуточным отжигом слоев толщиной 10--20 нм в водородной плазме и плазмохимическим осаждением a-Si : H с отжигом пленок толщиной40 нм в водородной плазме. Показано, что размеры нанокристаллитов в пленках, полученных циклическим осаждением с промежуточным отжигом в водородной плазме, после термообработки при 750oC в течение 30 мин не превышают толщины слоя, осажденного за цикл, в то время как в однородных пленках после термообработки в тех же условиях размеры кристаллитов достигают 1 мкм и более. Предложены модели, объясняющие наблюдаемые эффекты, которые подтверждаются результатами расчетов диффузионных профилей водорода в пленке a-Si : H после ее отжига в водородной плазме и термообработки в вакууме.
Афанасьев В.П., Гудовских А.С., Казак-Казакевич А.З., Сазанов А.П., Трапезникова И.Н., Теруков Е.И. Исследование образования и модификации нанокристаллических включений кремния в пленках a-Si : H методом просвечивающей электронной микроскопии // ФТП, 2004, том 38, выпуск 2, Стр. 226

Рассмотрены состояния дырки, локализованной на акцепторе в квантовой яме, в модели потенциала нулевого радиуса. Аналитически получено дисперсионное уравнение дырки с учетом сложной валентной зоны с симметриейGamma8. Проведено сравнение с экспериментальными данными по зависимости энергии связи дырки на A+-центре от ширины квантовой ямы и продемонстрировано хорошее согласие с теоретическими расчетами.
Аверкиев Н.С., Жуков А.Е., Ивaнов Ю.Л., Петров П.В., Романов К.С., Тонких А.А., Устинов В.М., Цырлин Г.Э. Энергетическая структура A+-центров вквантовых ямах // ФТП, 2004, том 38, выпуск 2, Стр. 222

В последнее время для выращивания приборных структур с квантовыми ямами наряду с молекулярно-лучевой эпитаксией все больше используют газофазную эпитаксию из металлорганических соединений (МОС-гидридную эпитаксию). Наш опыт работы с фотоприемниками на основе структур с квантовыми ямами, выращенных методом МOС-гидридной эпитаксии, показывает, что они обладают рядом отличий от аналогов, полученных с использованием молекулярно-лучевой эпитаксии. К таким отличиям следует отнести более существенную асимметрию вольт-амперной характеристики, наличие значительной фоточувствительности при нормальном падении излучения без специальных устройств ввода. Указанные отличия связаны, на наш взгляд, с особенностями процесса эпитаксии. В настоящей работе представлены результаты экспериментального исследования таких фотоприемников на основе структур с квантовыми ямами, обсуждается их связь со структурными особенностями, обусловленными процессом МОС-гидридной эпитаксии.
Куликов В.Б., Аветисян Г.Х., Василевская Л.М., Залевский И.Д., Будкин И.В., Падалица А.А. Фоточувствительность структур сквантовыми ямами, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии, при нормальном падении излучения // ФТП, 2004, том 38, выпуск 2, Стр. 218

Квантово-химическим неэмпирическим методом ССП МО ЛКАО исследовано влияние индия и алюминия на свойства дефектного комплексаAsGa (мышьяк, замещающий галлий вузле кристаллической решетки) вквантовых точках на основе арсенида галлия. Показано, что дефектAsGa может существовать встабильном и метастабильном состояниях. Увеличение содержания индия или алюминия повышает вероятность формирования дефектаAsGa встабильном состоянии, причем данный эффект сильнее проявляется при введении вквантовые точки атомов индия. Энергия активации перехода между стабильным и метастабильным состояниями варьируется от0.886 до2.049 эВ взависимости от стехиометрического состава квантовых точек. Возникновение дефектаAsGa приводит кпоявлению взапрещенной зоне двух глубоких уровней.
Безъязычная Т.В., Зеленковский В.М., Рябцев Г.И., Соболев М.М. Влияние содержания In иAl на характеристики собственных дефектов вквантовых точках на основе арсенида галлия // ФТП, 2004, том 38, выпуск 2, Стр. 213

Проведен расчет продольной и поперечной подвижности электронов нижней минизоны сверхрешетки GaAs/Al0.35Ga0.65As в случае рассеяния на дальнодействующем потенциале полярных оптических фононов при T=300 K. Проведен анализ парциальных вкладов в подвижность и эффективное время релаксации от различных мод колебаний дальнодействующего потенциала таких фононов. Исследованы зависимости подвижности и эффективного времени релаксации как на полярных оптических, так и на акустических фононах от ширины квантовой ямы сверхрешетки и от температуры. Расчет выполнен с помощью линеаризованного уравнения Больцмана. Скалярный потенциал полярных оптических фононов рассчитывался в модели диэлектрического континуума.
Борисенко С.И. Рассеяние квазидвумерных электронов сверхрешетки GaAs/AlxGa1-xAs на фононах // ФТП, 2004, том 38, выпуск 2, Стр. 207