Рассмотрены магнитооптические свойства комплексов <квантовая точка>--<примесный центр>, синтезированных в прозрачной диэлектрической матрице. Для описания одноэлектронных состояний в квантовой точке использовалась параболическая модель потенциала конфайнмента. Врамках модели потенциала нулевого радиуса в приближении эффективной массы проведен расчет коэффициента примесного поглощения света для случаев продольной и поперечной по отношению к направлению магнитного поля поляризации с учетом дисперсии размеров квантовых точек. Показано, что в случае продольной поляризации край полосы примесного поглощения в магнитном поле сдвигается в коротковолновую область спектра, при этом величина коэффициента поглощения возрастает в несколько раз. Для спектра примесного поглощения света поперечной поляризации характерен квантово-размерный эффект Зеемана. Показано, что анизотропия магнитооптического поглощения является немонотонной функцией частоты света и слабо зависит от глубины залегания примесного уровня.
Кревчик В.Д., Грунин А.Б., Зайцев Р.В. Анизотропия магнитооптического поглощения комплексов квантовая точка--примесный центр // ФТП, 2002, том 36, выпуск 10, Стр. 1225

Методом фотолюминесценции и электронной микроскопии на просвет исследованы структуры с квантовыми точками In(Ga)As в матрице GaAs, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Структуры были подвергнуты технологии in-situ селективного термического удаления дефектных областей. На основе результатов анализа люминесцентных свойств предложен метод оценки кристаллографического совершенства структур при помощи измерения интенсивности фотолюминесценции матрицы GaAs при высоких температурах измерения (до 400 K). Исследованы методики удаления дефектов с применением как однократного селективного удаления дефектных островков InAs при 600oC, так и двухстадийной методики, дополнительно включающей в себя селективное заращивание тонким слоем AlAs и высокотемпературный (650-700oC) отжиг. Найдены оптимальные режимы процесса, позволяющие получать структуры со сравнительно малым количеством дефектов без значительного уменьшения плотности когерентных квантовых точек.
Сизов Д.С., Максимов М.В., Цацульников А.Ф., Черкашин Н.А., Крыжановская Н.В., Жуков А.Б., Малеев Н.А., Михрин С.С., Васильев А.П., Селин Р., Устинов В.М., Леденцов Н.Н., Бимберг Д., Алферов Ж.И. Влияние условий отжига на испарение дефектных областей вструктурах сквантовыми точками InGaAs вматрице GaAs // ФТП, 2002, том 36, выпуск 9, Стр. 1097

Сообщается о результатах исследований с помощью нестационарной спектроскопии глубоких уровней квантовых состояний дырок в вертикально сопряженных квантовых точках(ВСКТ) в p-n-гетероструктурах InAs/GaAs в зависимости от величины напряжения обратного смещения. Были обнаружены уровни связанных и антисвязанных s- иp-состоянийВСКТ, энергии которых находятся в сильной зависимости от величины приложенного внешнего электрического поля. Наблюдаемые изменения приписываются квантово-размерному эффекту Штарка для дырочных состояний вертикально сопряженных квантовых точек. Кроме того, обнаружена зависимость величины энергии термической активации носителей изВСКТ от условий изохронного отжига как при включенном, так и выключенном напряжении смещения, а также при наличии или отсутствии оптической подсветки. Эти изменения, как и в случае одиночных квантовых точек, являются отличительной чертой бистабильного электростатического диполя, образованного носителями, локализованными в квантовой точке и ионизованными точечными дефектами решетки. Встроенное электрическое поле этого диполя уменьшает барьер носителейВСКТ. Исследуемые структуры с вертикально сопряженными квантовыми точками выращивались методом молекулярно-пучковой эпитаксии за счет эффектов самоорганизации.
Соболев М.М., Устинов В.М., Жуков А.Е., Мусихин Ю.Г., Леденцов Н.Н. Исследования эффекта Штарка вертикально сопряженных квантовых точек вгетероструктурахInAs/GaAs // ФТП, 2002, том 36, выпуск 9, Стр. 1089

Исследованы возможности технологии вертикального анизотропного травления кремния ориентации (110) для изготовления одномерного фотонного кристалла с высоким контрастом показателя преломления. Показано, что продвижение в ближний инфракрасный диапазон ограничивается механической прочностью тонких кремниевых стенок. Получены приборные структуры, состоящие из 50 канавок глубиной 114 мкм и толщиной кремниевых стенок 1.8 мкм (период структуры 8 мкм). Проведенные измерения их спектров отражения в области длин волн 2.5-16.5 мкм показали хорошее согласие с результатами расчета, хотя основная фотонная зона, расположенная при lambda~ 28±10 мкм, осталась вне пределов измерений.
Толмачев В.А., Границына Л.С., Власова Е.Н., Волчек Б.З., Нащекин А.В., Ременюк А.Д., Астрова Е.В. Одномерный фотонный кристалл, полученный спомощью вертикального анизотропного травления кремния // ФТП, 2002, том 36, выпуск 8, Стр. 996

Исследовались фотолюминесцентные свойства структур множества квантовых ям на основе GaAs / AlGaAs, содержащие положительно заряженные акцепторные состояния мелкой примеси бериллия (так называемые A(+) центры). Обнаружена новая линия люминесценции, которая является результатом излучательной рекомбинации свободных электронов с A(+) центрами. Показано, что энерегтическое положение линии однозначно определяется энергией связи A(+) центров. Показано также, что энергия связи A(+) центров возрастает по мере уменьшения ширины квантовых ям в случае, когда размер ям сопоставим с радиусом локализации дырок на A(+) центрах.
Ив aнов Ю.Л., Агринская Н.В., Петров П.В., Устинов В.М., Цырлин Г.Э. Проявление A(+) центров влюминесценции двумерных структур GaAs / AlGaAs // ФТП, 2002, том 36, выпуск 8, Стр. 993

Из формулы Кубо получено общее выражение для статической электропроводности вмагнитном поле, направленном параллельно поверхности параболической квантовой ямы. Сиспользованием куммулянтного усреднения сформулированы условия \glqq приближения времени релаксации\grqq для расчета корреляционных функций. Вычислены тензоры продольной и поперечной электропроводности врассматриваемой размерно-ограниченной системе сучетом взаимодействия электрона сакустическими и оптическими колебаниями. Показано, что поперечная электропроводность значительно больше (на несколько порядков), чем вобъемных системах. Исследована зависимость продольной электропроводности вслучае сильно вырожденного электронного газа от величины магнитного поля.
Синявский Э.П., Хамидуллин Р.А. Особенности электропроводности параболической квантовой ямы вмагнитном поле // ФТП, 2002, том 36, выпуск 8, Стр. 989

Экспериметально исследован магнитотранспорт баллистической проволоки в режиме целочисленного и дробного квантования. Обнаружена нелинейная завиcимость фактора заполнения(nu) уровня Ландау в условиях ультраквантового предела от магнитного поля, возникающая при определенной реализации самосогласованного электростатического потенциала проволоки. Предположено, что обнаруженный эффект является результатом влияния взаимодействия между электронами на частично заполненном уровне Ландау на этот потенциал, приводящего к уменьшению концентрации электронов в проволоке с ростом магнитного поля приnu
Квон З.Д., Ольшанецкий Е.Б., Плотников А.Е., Торопов А.И., Порталь Ж.К. Аномалии дробного квантового эффекта Холла в широкой баллистической проволоке // ФТП, 2002, том 36, выпуск 8, Стр. 986

Теоретически изучены нелинейный отклик и когерентная генерация резонансно-туннельного диода вшироком интервале частот и амплитуд полей для реальных структур и при постоянном напряжении смещения. Показано, что результаты хорошо качественно согласуются с идеализированной моделью, если ширины резонансного уровняGamma в квантовых ямах одинаковы. Таким образом, в \glqq квантовом\grqq режиме генерация терагерцовых полей большой мощности возможна и в реальных условиях. Вработах также явно найдено, что время установления тока в резонансно-туннельном диоде равно обратной величинеGamma.
Елесин В.Ф., Катеев И.Ю., Подливаев А.И. Нелинейный отклик инелинейная когерентная генерация резонансно-туннельного диода вшироком интервале частот // ФТП, 2002, том 36, выпуск 8, Стр. 981

Произведен расчет термоэлектрической добротности многослойных структур с квантовыми ямами с учетом изменения времени релаксации носителей по сравнению с объемным образцом. Учитывались механизмы рассеяния на акустических фононах, близкодействующем потенциале примесей и полярного рассеяния в приближении изотропного параболического закона дисперсии носителей. Использованная модель основана на предположении, что фононный спектр в сверхрешетке не отличается от объемного. Кроме того, рассеяние считается упругим и используется приближение времени релаксации для всех трех рассмотренных механизмов рассеяния. Сравнение с расчетом для объемного образца показало, что учет уменьшения времени релаксации в двумерном случае приводит к тому, что выражения для термоэлектрической добротности в обоих случаях совпадают и их величины оказываются равными, если химический потенциал в каждом из случаев выбирается из условия максимума добротности.
Пшенай-Северин Д.А., Равич Ю.И. Расчет подвижности итермоэлектрической эффективности многослойных структур сквантовыми ямами // ФТП, 2002, том 36, выпуск 8, Стр. 974

Впервые предложена идея двумерного p-n-перехода, представляющего собой контакт между двумя областями квантово-размерной пленки с разным типом электропроводности. Вравновесных условиях найдено распределение потенциала и высота потенциального барьера. Получено выражение для ширины слоя поверхностного заряда, которая в отличие от трехмерного случая зависит линейно от контактной разности потенциалов (внешнего смещения). Удельная емкость двумерного p-n-перехода практически не зависит от внешнего смещения и определяется лишь диэлектрической проницаемостью окружающей среды. Показано, что, несмотря на слабость экранирования контактного электрического поля, для описания свойств таких p-n-переходов можно использовать приближение Шоттки.
Ачоян А.Ш., Есаян А.Э., Казарян Э.М., Петросян С.Г. Двумерный p-n-переход вравновесии // ФТП, 2002, том 36, выпуск 8, Стр. 969