Исследованы электронные ловушки в низкотемпературном GaAs (LT-GaAs), выращенном при 150oC. Кластеры As--Sb, возникающие в этом материале в результате отжига, были локализованы в плоскости, содержавшей один монослой атомов Sb, созданный в процессе выращивания, и достигали в диаметре20 нм. Для изме...
Исследованы электронные ловушки в низкотемпературном GaAs (LT-GaAs), выращенном при 150oC. Кластеры As--Sb, возникающие в этом материале в результате отжига, были локализованы в плоскости, содержавшей один монослой атомов Sb, созданный в процессе выращивания, и достигали в диаметре20 нм. Для измерений использовались барьеры Шоттки Au--n-GaAs, область объемного заряда которых при определенных смещениях охватывала узкий слой LT-GaAs с плоскостью кластеров. Зависимость емкости этой структуры от напряжения смещения показывает, что основная масса электронов, захваченных в этом слое, находится на ловушках, энергетический уровень которых лежит на~0.5 эВ ниже дна зоны проводимости. Энергетическая плотность состояний вблизи этой энергии составляет1014 см-2эВ-1 и быстро уменьшается к середине запрещенной зоны. Существование ловушек с энергией активации термической эмиссии электронов~0.5 эВ подтверждено методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней. Величина сечения захвата электронов, определенная этим методом, лежит в диапазоне 5·10-14-1·10-12 см2. Предполагается, что обнаруженный тип ловушек связан с крупными кластерами As--Sb.
Брунков П.Н., Гуткин А.А., Мусихин Ю.Г., Чалдышев В.В., Берт Н.Н., Конников С.Г., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р. Исследование центров рекомбинации, связанных снаноразмерными кластерами As--Sb в низкотемпературном арсениде галлия // ФТП, 2005, том 39, выпуск 1, Стр. 41