Изучено влияние низкоэнергетической плазмыCF4 на стационарную фотолюминесценцию и кинетику фотолюминесценции структур GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами. Установлено, что возрастание интенсивности фотолюминесценции квантовых ям, расположенных под областью индуцированных плазмой приповерхностных повреждений, сопровождается повышением времени затухания интенсивности фотолюминесценции при температурах выше30 K. Показано, что 40-секундная экспозиция структуры в плазме приводит к30-кратному уменьшению концентрации центров безызлучательной рекомбинации в квантовой яме, лежащей ниже области приповерхностных повреждений.
Шамирзаев Т.С., Соколов А.Л., Журавлев К.С., Kobitski A.Yu., Wagner H.P., Zahn D.R.T. Изменение концентрации центров безызлучательной рекомбинации вструктурах GaAs/AlGaAs сквантовыми ямами приобработке вплазмеCF4 // ФТП, 2002, том 36, выпуск 1, Стр. 87

Изучен новый тип комбинированной активной области лазера, которая содержит квантовую яму состава In0.2Ga0.8As и массив квантовых точек изInAs в окруженииGaAs. Квантовая яма является накопителем инжектированных носителей, а массив квантовых точек--- излучающей системой, расположенной в туннельной близости от квантовой ямы. Построена теория, позволяющая находить уровни энергии электронов и дырок в квантовой точке. Рассмотрены вопросы заполнения квантовых точек за счет резонансного туннелирования электронов и дырок из квантовой ямы в квантовую точку; выводы сопоставляются с результатами исследований экспериментального лазера с комбинированной активной областью.
Евтихиев В.П., Константинов О.В., Матвеенцев А.В., Романов А.Е. Излучение света полупроводниковой структурой сквантовой ямой имассивом квантовых точек // ФТП, 2002, том 36, выпуск 1, Стр. 79

Квантовая лестница проводимости одномерного канала анализируется при слабом заполнении нижних одномерных подзон, когда обменное электрон-электронное взаимодействие носителей тока доминирует над их кинетической энергией. Основное внимание уделяется рассмотрению поведения "0.7(2e2/h)" особенности, отщепленной от первой квантовой ступеньки, которая идентифицируется как результат cпонтанной поляризации одномерного электронного газа вследствие обменного взаимодействия внулевом магнитном поле. Врамках феноменологической теории определяется критическая линейная концентрация электронов, выше которой полностью поляризованный электронный газ начинает деполяризоваться, что приводит кэволюции высоты отщепленной подступеньки от e2/h до 2e2/h. Кроме того, предсказывается температурная зависимость высоты данной подступеньки винтервале 0.5(2e2/h)-0.75(2e2/h) из-за частичной деполяризации электронного газа вблизи дна одномерной подзоны. Квантово-механическое рассмотрение, которое проводится аналитически врамках приближения Хартри--Фока--Слэтера слокализованным обменным потенциалом, показывает, что учет межэлектронных взаимодействий вквантовой проволоке спроизвольным числом носителей тока приводит кспонтанной поляризации квазиодномерного электронного газа внулевом магнитном поле при их малых линейных концентрациях.
Шелых И.А., Баграев Н.Т., Иванов В.К., Клячкин Л.Е. Спонтанная спиновая поляризация электронов вквантовых проволоках // ФТП, 2002, том 36, выпуск 1, Стр. 70

Рассмотрена проблема модификации энергетического спектра электронных и фононных возбуждений в полупроводниковых квантовых точках в условиях колебательного резонанса. Получены аналитические выражения для энергии поляроноподобных состояний квантовых точек в форме сферы и прямоугольного параллелепипеда, учитывающие размерную зависимость электрон-фононного взаимодействия. Сиспользованием резонансной двухфотонной спектроскопии вторичного свечения получены экспериментальные данные о перенормировке энергии наинизших экситонных состояний квантовых точек на основе CuCl в матрице NaCl. Сопоставление с результатами расчетов показало количественное совпадение, свидетельствующее об адекватности теоретической модели. Установлено, что колебательный резонанс приводит к существенным изменениям энергетического спектра квантовых точек малых размеров.
Федоров А.В., Баранов А.В., Itoh A., Masumoto Y. Перенормировка энергетического спектра квантовых точек вусловиях колебательного резонанса // ФТП, 2001, том 35, выпуск 12, Стр. 1452

Измерены спектры фотолюминесценции с временным разрешением в видимой области спектра в диапазоне температур 90-300 K для пористых пленок нанокристаллического кремния, полученных лазерным осаждением. Энергетический и временной диапазоны спектров перекрывают соответственно пределы 1.4-3.2 эВ и50 нс--10 мкс. Изучены взимосвязи между характеристиками фотолюминесценции (интенсивностью, спектром излучения, временами релаксации, их температурными зависимостями) и структурными, диэлектрическими свойствами (размером и формой нанокристалловSi, оксидной фазой их оболочек, пористостью пленок). Принята модель фотолюминесценции, в которой поглощение и излучение фотонов происходит в квантово-размерных нанокристаллах, а в излучательной рекомбинации участвуют кинетически связанные подсистемы электронно-дырочных пар и экситонов. Предложены возможные механизмы экситонной оже-рекомбинации в низкоразмерных структурах кремния.
Саченко А.В., Каганович Э.Б., Манойлов Э.Г., Свечников С.В. Кинетика экситонной фотолюминесценции внизкоразмерных структурах кремния // ФТП, 2001, том 35, выпуск 12, Стр. 1445

Предложена схема формирования квантовых точек в процессе оствальдовского созревания трехмерных островков, полученных путем гетероэпитаксии в режиме Странского--Крастанова. Показано, что в условиях дислокационного роста, с последующим отрывом дислокаций от основания островков, функция распределения по размерам становится более узкой с заметным уменьшением дисперсии. Анализируются возможные причины затухания оствальдовского созревания островков.
Венгренович Р.Д., Гудыма Ю.В., Ярема С.В. Оствальдовское созревание наноструктур сквантовыми точками // ФТП, 2001, том 35, выпуск 12, Стр. 1440

Проведено теоретическое исследование вольт-амперных и частотных характеристик однозатворных интерференционных T-транзисторов на квантовых проволоках различных полупроводниковых материалов, а именноSi, Ge, GaAs, InAs, GaSb, InSb, GaP, InP. Осуществлен учет двух механизмов рассеяния в модели T-транзистора с целью оценки их влияния на электрические характеристики приборов. Адекватность предложенной модели проверена путем сравнения результатов моделирования с экспериментальными данными. Приведенные в работе расчеты выполнены с помощью подсистемы моделирования приборов на квантовых проволоках QW-NANODEV.
Абрамов И.И., Рогачев А.И. Электрические характеристики интерференционных транзисторов содним затвором наразличных полупроводниковых материалах // ФТП, 2001, том 35, выпуск 11, Стр. 1365

The calculations of electron scattering rates by polar optical(PO) phonons in an AlGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well (QW) with a different width and doping level are performed. The electron--PO-phonon scattering mechanisms which are responsible for the alternate dependence of electron mobility on a QW width, as well as for the decrease of conductivity in the QW with increasing sheet electron concentration are determined. It is shown that the enhancement of the scattering rate by PO-phonon absorption when the lower subband electron gas is degenerated is responsible for the decrease of QW conductivity with increasing sheet electron concentration. The competition between the decrease of the intrasubband scattering and the increase of the intersubband scattering by PO-phonon absorption is responsible for the alternate changes of the mobility with a QW width.
Pou zela K. Electron nonelastic scattering byconfined andinterface polar optical phonons inamodulation-doped AlGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well // ФТП, 2001, том 35, выпуск 11, Стр. 1361

Численно исследован электронный транспорт в гетероструктуре с туннельно-связанными квантовыми ямами в условиях сильной неодномерности потенциала в структуре. Рассчитаны вольт-амперные характеристики, распределение потенциала, подвижность и концентрация электронов в квантовых ямах. Численный метод основан на двумерном согласованном расчете квантовых и классических областей гетероструктуры. Впервые показано, что в таких гетероструктурах возможен эффект, аналогичный эффекту Ганна в однородном полупроводнике. Эффект обусловлен туннельным переходом электронов между квантовыми ямами с разной подвижностью и характеризуется образованием домена сильного поля и участком с отрицательным дифференциальным сопротивлением на вольт-амперной характеристике.
Бирюлин П.И., Горбацевич А.А., Капаев В.В., Копаев Ю.В., Трофимов В.Т. Аналог эффекта Ганна притуннельном переносе между квантовыми ямами сразной подвижностью // ФТП, 2001, том 35, выпуск 11, Стр. 1356

В слои SiO2 имплантировали ионыSi+ с энергией 25 кэВ дозами (1-4)·1016 см-2 и ионыN+ с энергией 13 кэВ дозами (0.2-2)·1016 см-2. Затем слои отжигались при900-1100oC для формирования люминесцирующих кремниевых нанопреципитатов. По спектрам фотолюминесценции следили за влиянием азота на этот процесс. Обнаружено, что при определенных соотношениях концентраций кремния и азота интенсивность фотолюминесценции заметно растет, а ее максимум смещается в коротковолновую сторону. Сделан вывод, что благодаря взаимодействию азота с избыточным кремнием увеличивается количество центров преципитации. Вконечном итоге это ведет к росту числа нанокристаллов и к уменьшению их средних размеров. Несмотря на введение дополнительных центров преципитации, для образования нанокристаллов по-прежнему требовались минимальные концентрации избыточного Si порядка 1021 см-3 и отжиги при температурах выше1000oC.
Качурин Г.А., Яновская С.Г., Журавлев К.С., Ruault М.-О. Роль азота вформировании люминесцирующих кремниевых нанопреципитатов приотжиге слоев SiO2, имплантированных ионамиSi // ФТП, 2001, том 35, выпуск 10, Стр. 1235