Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней исследована эмиссия дырок из состояний в системе вертикально сопряженных квантовых точек InAs, в p-n-гетероструктурах InAs/GaAs в зависимости от толщины прослойки GaAs между двумя слоями квантовых точек InAs и от величины напряжения обратного смещенияUr. Было установлено, что для квантовой молекулы, состоящей из двух вертикально сопряженных самоорганизующихся квантовых точек в гетероструктуре InAs / GaAs при толщинах прослойки GaAs 20 и 40 Angstrem между двумя слоями квантовых точек InAs, реализуется эффект локализации дырок в одной из квантовых точек. При толщинах прослойки GaAs 100 Angstrem было обнаружено неполное связывание двух слоев квантовых точек, что приводило к перераспределению локализации дырок между верхними и нижними квантовыми точками при изменении напряженияUr, прикладываемого к структуре. Исследуемые структуры с вертикально сопряженными квантовыми точками выращивались методом молекулярно-пучковой эпитаксии за счет эффектов самоорганизации.
Соболев М.М., Цырлин Г.Э., Самсоненко Ю.Б., Поляков Н.К., Тонких А.А., Мусихин Ю.Г. Локализация дырок вквантовой молекуле InAs / GaAs // ФТП, 2005, том 39, выпуск 1, Стр. 131

Проанализирована возможность создания лазера с вертикальным резонатором, в котором для генерации излучения дальнего инфракрасного диапазона используется трехволновое смешение на решеточной нелинейности системы GaAs / AlGaAs. Показано, что применение двойного брэгговского резонатора с параметрами, удовлетворяющими настройке как на частоты высокочастотных колебаний--- источников нелинейной поляризации,--- так и на разностную частоту позволяет увеличить интенсивность излучения в дальнем инфракрасном диапазоне. Плотность мощности оптического излучения с длиной волны 49.5 мкм составляет приблизительно 5·10-4 мкВт / мкм2 при плотности тока накачки 5 кА / см2. Для токовой накачки предложено использовать внутрирезонаторные контакты, расположенные вблизи узла волны на разностной частоте, что позволяет свести к минимуму поглощение излучения свободными носителями заряда.
Морозов Ю.А., Нефедов И.С., Алешкин В.Я., Красникова И.В. Генератор терагерцевого излучения, основанный нанелинейном преобразовании частоты вдвойном вертикальном резонаторе // ФТП, 2005, том 39, выпуск 1, Стр. 124

В магнитном поле, ориентированном параллельно слоям двойных квантовых ям, изготовленных в гетеросистеме n-InxGa1-xAs / GaAs (x~0.18), обнаружены и исследованы особенности магнитосопротивления, обусловленные прохождением краев туннельной щели через уровень Ферми. Показано, что для достижения согласия расчетных положений этих особенностей с экспериментальными нужно учитывать спиновые расщепления в энергетическом спектре. Ранее подобные особенности магнитосопротивления наблюдались только в гетеросистеме n-GaAs / AlxGa1-xAs с двойными квантовыми ямами, но спиновые эффекты в ней не проявлялись.
Якунин М.В., Альшанский Г.А., Арапов Ю.Г., Неверов В.Н., Харус Г.И., Шелушинина Н.Г., Звонков Б.Н., Ускова Е.А., де Виссер А., Пономаренко Л. Спиновые эффекты виндуцированном параллельным магнитным полем магнитосопротивлении двойной квантовой ямы n-InxGa1-xAs / GaAs // ФТП, 2005, том 39, выпуск 1, Стр. 118

Представлены экспериментальные результаты по изучению особенностей зависимости латеральной фотопроводимости структур AlGaAs / InGaAs с квантовыми точками и квантовыми ямами от интенсивности межзонного света при низких температурах. Обнаружено, что рост фотопроводимости происходит пороговым образом. Вобласти относительно больших тянущих полей наблюдались осцилляции фотопроводимости. Изучено влияние тянущего поля и температуры на фотопроводимость. Результаты анализируются в рамках теории протекания неравновесных носителей заряда по локализованным состояниям при учете релаксации механического напряжения вокруг квантовых точек.
Шегай О.А., Бакаров А.К., Калагин А.К., Торопов А.И. Латеральная фотопроводимость структур AlGaAs / InGaAs сквантовыми ямами исамоорганизующимися квантовыми точками примежзонной подсветке // ФТП, 2005, том 39, выпуск 1, Стр. 115

Проведены исследования структурных взаимодействий прорастающих дислокаций и слоев AlGaN и InGaN в гетероструктурах на основе GaN. Показано, что наиболее эффективная фильтрация дислокаций наблюдается на слоях InGaN промежуточного состава. Оценки структурных напряжений, создаваемых дислокациями и нанодоменами, показывают хорошее согласие теории и эксперимента.
Сошников И.П., Леденцов Н.Н., Цацульников А.Ф., Сахаров А.В., Лундин В.В., Заварин Е., Фомин А.В., Litvinov D., Hahn E., Gerthsen D. Особенности структурного взаимодействия вгетероструктурах (AlGaIn)N / GaN как дислокационных фильтрах // ФТП, 2005, том 39, выпуск 1, Стр. 112

Продемонстрированы необычные особенности остаточной фотопроводимости в квантовой структуре InAs/AlSb, снабженной обратным затвором. Отрицательная остаточная фотопроводимость позволила уменьшить концентрацию электронов на один полный порядок величины от6· 1011 см-2. Это наибольшее изменение концентрации электронов для данного эффекта. Вдополнение к сильной остаточной отрицательной фотопроводимости наблюдалась бистабильность релаксации сопротивления структуры при ее освещении квантами из видимой области спектра. Данные явления приписаны влиянию тонкой пленки германия, осажденной на поверхность структуры перед фотолитографией и формирующей область накопления дырок в слое GaSb из последовательности расположенных над квантовой ямой слоев Ge/GaSb/AlSb. Инфракрасное излучение инициирует биения осцилляций Шубникова-де-Гааза в области низких магнитных полей. Мы считаем, что эти биения обусловлены спиновым расщеплением в нулевом магнитном поле за счет асимметрии потенциального профиля квантовой ямы, индуцированной длительным освещением структуры.
Садофьев Ю.Г., Ramamoorthy A., Bird J.P., Johnson S.R., Zhang Y.-H. \glqq Необычная\grqq остаточная фотопроводимость вквантовой ямеInAs/AlSb // ФТП, 2005, том 39, выпуск 1, Стр. 106

Исследованы вольт-амперные и спектральные характеристики фототока при T=4.2 и300 K в ненапряженной структуре GaAs/ZnSe/КТ-Ge/ZnSe/Al с туннельно-прозрачными слоями ZnSe и Ge-квантовыми точками. При комнатной температуре без освещения на вольт-амперных характеристиках наблюдались особенности типа \glqq кулоновской лестницы\grqq. На основе анализа экспериментальных данных построена энергетическая зонная диаграмма структуры. Втранзисторной структуре GaAs/ZnSe/КТ-Ge/ZnSe/p-Ge с каналом из p-Ge и с плавающим затвором из Ge-квантовых точек при освещении светом разного спектрального состава наблюдалось как увеличение, так и уменьшение полного тока канала. Указанные изменения тока канала связаны с захватом положительного и отрицательного заряда на квантовых точках при разных оптических переходах. Накопление заряда ведет к изменению состояния канала вблизи гетерограницы от обеднения до инверсии и либо уменьшает, либо увеличивает полный ток.
Неизвестный И.Г., Супрун С.П., Шумский В.Н. Исследование фотоэлектрических свойств квантовых точекGe вматрице ZnSe наGaAs // ФТП, 2005, том 39, выпуск 1, Стр. 100

Исследованы особенности формирования квантовых точек InAs методом металлорганической газофазной эпитаксии в зависимости от времени роста или эквивалентной толщины слоя InAs. Методами просвечивающей электронной микроскопии и фотолюминесценции показано, что увеличение времени роста квантовых точек в матрице GaAs приводит к изменению не только их размеров, но и формы--- увеличивается отношение вертикальных и латеральных размеров. Изготовлены многослойные селективно-легированные структуры InGaAs/GaAs с квантовыми точками, и проведено исследование инфракрасной фотопроводимости в продольной и вертикальной геометрии электонного транспорта. Врежиме нормального падения излучения наблюдалась внутризонная фотопроводимость в среднем инфракрасном диапазоне (2.5-5 мкм) до температуры110 K.
Антонов А.В., Гапонова Д.М., Данильцев В.М., Дроздов М.Н., Молдавская Л.Д., Мурель А.В., Туловчиков В.С., Шашкин В.И. Гетероструктуры InGaAs/GaAs с квантовыми точками дляинфракрасных фотоприемников диапазона 3-5 мкм // ФТП, 2005, том 39, выпуск 1, Стр. 96

Показана возможность формирования методом металлорганической газофазной эпитаксии искусственной среды, представляющей собой матрицу монокристаллического GaAs с внедренными наночастицамиAl. Проведены исследования ее электрических и оптических свойств.
Востоков Н.В., Гусев С.А., Данильцев В.М., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Корытин А.И., Мурель А.В., Шашкин В.И. Изучение свойств структур с нанокластерамиAl, внедренными вматрицу GaAs // ФТП, 2005, том 39, выпуск 1, Стр. 92

Развит метод легирования GaAs марганцем с использованием лазерного испарения металлической мишени в процессе МОС-гидридной эпитаксии. Метод использован для формирования как однородно легированных слоев GaAs : Mn, так и двумерных структур, включающихdelta-легированный марганцем слой GaAs и квантовую яму InxGa1-xAs, разделенные спейсером GaAs толщиной d=3-6 нм. Показано, что полученные структуры обладают при комнатной температуре измерений магнитооптическими и магнитными свойствами, обусловленными, вероятнее всего, наличием кластеров MnAs. Вобласти низких температур (~30 K) выявлен аномальный эффект Холла, который объяснен обменным взаимодейтвием между ионами Mn посредством дырок 2Dканала.
Васильева Ю.В., Данилов Ю.А., Ершов Ант.А., Звонков Б.Н., Ускова Е.А., Давыдов А.Б., Аронзон Б.А., Гуденко С.В., Рыльков В.В., Грановский А.Б., Ганьшина Е.А., Перов Н.С., Виноградов А.Н. Свойства структур на основе GaAs, легированного Mn из лазерной плазмы в процессе МОС-гидридной эпитаксии // ФТП, 2005, том 39, выпуск 1, Стр. 87