Найдены собственные моды колебаний полупроводниковой AIIIBV нанотрубки с учетом кристаллической структуры и пьезоэффекта. Исследовано электронно-фононное взаимодействие и показано, что его пьезоэлектрическая часть сложным образом зависит от частоты фонона, что отличает нанотрубку от объемного образца.
Ведерников А.И., Чаплик А.В. Колебательные моды иэлектронно-фононное взаимодействие вполупроводниковых нанотрубках // ФТП, 2004, том 38, выпуск 11, Стр. 1358

С помощью исследований токового отклика в режиме реального времени изучена кинетика трансформации резонансно-туннельной доменной структуры сверхрешетки в резко меняющемся электрическом поле, и показано, что она преимущественно определяется инерционностью перераспределения пространственного заряда, формирующего доменную границу. Обнаружены немонотонная осциллирующая зависимость длительности переходного процесса от амплитуды импульса напряжения и эффект слабой зависимости времени трансформации от длины перемещения доменной границы, свидетельствующие о дискретном характере процессов трансформации. Обсуждаются возможности управления процессами переключения в мультистабильной системе токовых состояний в слабо связанных полупроводниковых сверхрешетках.
Митягин Ю.А., Мурзин В.Н., Ефимов Ю.А., Пищулин А.А., Пырков В.Н. Кинетика трансформации домена электрического поля вслабо связанных сверхрешетках впоперечном электрическом поле // ФТП, 2004, том 38, выпуск 11, Стр. 1353

Комбинированным методом вакуумного напыления и молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs(111)B синтезированы массивы нитевидных кристаллов (вискеров)GaAs. Структурные свойства поверхности полученных образцов исследованы с помощью сканирующего электронного микроскопа. Обнаружено, что поверхностная плотность вискеров составляет величину (1-2)· 109 см-2. Характерные размеры вискеров: 30--150 нм (диаметр) и 300--800 нм (длина). Показана возможность управлять размерами вискеров путем изменения условий роста и толщины напыленной пленки золота.
Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Самсоненко Ю.Б., Сошников И.П., Устинов В.М. Свойства нановискеров GaAs наповерхности GaAs(111)B, полученных комбинированным методом // ФТП, 2004, том 38, выпуск 10, Стр. 1256

Произведен расчет повышения термоэлектрической добротности в слоистой структуре с квантовыми ямами при полярном рассеянии носителей тока оптическими фононами. На основе выполненных ранее и новых расчетов для различных механизмов рассеяния сделан вывод, что увеличение добротности вследствие размерного квантования электронов возможно лишь при условии, что вероятность рассеяния носителей убывает при увеличении переданного волнового вектора.
Пшенай-Северин Д.А., Равич Ю.И. Расчет термоэлектрической эффективности многослойных структур сквантовыми ямами вслучае полярного рассеяния носителей наоптических фононах // ФТП, 2004, том 38, выпуск 10, Стр. 1251

Исследовано влияние дислокаций на интенсивность фотолюминесценции структур с квантовыми точками в системе InAs--GaAs. Структурные характеристики образцов, в том числе плотность дислокаций, исследовались электронной микроскопией как в режиме светлого поля, так и в режиме слабого пучка. При температурах ниже комнатной и умеренных плотностях мощности накачки структура, содержащая большие кластеры с дислокациями, и структура, в которой их плотность существенно меньше, имеют примерно одинаковую интенсивность фотолюминесценции. Впротивоположность этому интенсивности люминесценции, измеренные при больших плотностях накачки и повышенных температурах, позволяют адекватно оценить кристаллическое качество структур с квантовыми точками. Отжиг квантовых точек после заращивания их тонким (1--2 нм) слоем GaAs позволяет уменьшить плотность кластеров с дислокациями и существенно увеличить температурную стабильность интенсивности фотолюминесценции.
Максимов М.В., Сизов Д.С., Макаров А.Г., Каяндер И.Н., Асрян Л.В., Жуков А.Е., Устинов В.М., Черкашин Н.А., Берт Н.А., Леденцов Н.Н., Bimberg D. Влияние центров безызлучательной рекомбинации на эффективность фотолюминесценции структур с квантовыми точками // ФТП, 2004, том 38, выпуск 10, Стр. 1245

Методами атомно-силовой микроскопии и дифракции быстрых электронов на отражение проведено исследование морфологических особенностей массива островковGe нанометрового диапазона, сформированных на поверхности Si (100) при молекулярно-пучковой эпитаксии. Показано, что присутствие сурьмы на поверхности подложки во время осаждения Ge значительно повышает плотность конечного массива островков, а также подавляет образование dome-кластеров при температурах 550-600oC. Полученные результаты предложено интерпретировать в рамках кинетической модели формирования упругонапряженных островков в гетероэпитаксиальных системах, рассогласованных по параметру решетки.
Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Дубровский В.Г., Устинов В.М., Werner P. Овозможностях подавления формирования dome-кластеров примолекулярно-пучковой эпитаксии Ge наSi (100) // ФТП, 2004, том 38, выпуск 10, Стр. 1239

Рассмотрен новый механизм внутризонной релаксации носителей заряда в квантовых точках, встроенных в гетероструктуру на относительно большом расстоянии от ее легированных элементов. Процесс релаксации обусловлен связью электронной подсистемы квантовой точки с плазмон-фононными возбуждениями легированных компонент гетероструктуры через электрический потенциал, индуцированный этими возбуждениями. Показано, что взаимодействие такого типа с объемными плазмон-LO-фононными модами возможно лишь благодаря их пространственной дисперсии. Проведенные оценки скоростей релаксации показали, что рассматриваемый механизм достаточно эффективен даже в случае, когда квантовые точки удалены от легированных областей гетероструктуры на расстояния вплоть до100 нм. Если же это расстояние составляет несколько десятков нанометров, то он может стать доминирующим.
Федоров А.В., Баранов А.В. Релаксация носителей заряда вквантовых точках сучастием плазмон-фононных мод // ФТП, 2004, том 38, выпуск 9, Стр. 1101

Предложен подход к учету влияния процессов разрушения когерентности электронных волн в квантовой яме симметричных двухбарьерных резонансно-туннельных структур на основе арсенида галлия на их вольт-амперные характеристики. Вкачестве основных причин, ответственных за рузрушение когерентности, рассматривались процессы рассеяния электронов на полярных оптических фононах, ионизированных примесных центрах и шероховатостях поверхностей в квантовой яме, а также тепловые флуктуации энергии частиц. Рассчитаны вольт-амперные характеристики симметричной двухбарьерной резонансно-туннельной структуры на основе арсенида галлия для трехмерного, двумерного и одномерного электронного газа, находящегося в ее эмиттере и коллекторе при различных температурах.
Поздняков Д.В., Борздов В.М., Комаров Ф.Ф. Расчет вольт-амперных характеристик симметричных двухбарьерных резонансно-туннельных структур наоснове арсенида галлия сучетом процессов разрушения когерентности электронных волн вквантовой яме // ФТП, 2004, том 38, выпуск 9, Стр. 1097

Исследовалось влияние межподзонного электронно-электронного (e-e) и электронно-дырочного (e-h) рассеяния на внутризонную инверсную населенность электронов в ступенчатой квантовой яме InGaAs/AlGaAs. Вычислены времена наиболее вероятных e-e и e-h процессов, влияющих на концентрации электронов на возбужденных уровнях, в диапазоне температур от 80 до 300 K. Исследованы зависимости этих времен от концентрации электронов и дырок на основных уровнях. Для двух значений неравновесных концентраций рассчитаны температурные зависимости внутризонной инверсной населенности путем решения системы скоростных уравнений. Показано, что при концентрациях электронов менее 1· 1012 cм-2 межподзонное e-e и e-h рассеяние слабо влияет на инверсию населенности.
Зерова В.Л., Зегря Г.Г., Воробьев Л.Е. Влияние электронно-электронных и электронно-дырочных столкновений на внутризонную инверсную населенность электронов вступенчатых квантовых ямах // ФТП, 2004, том 38, выпуск 9, Стр. 1090

Проведены расчеты потенциала в полупроводнике вокруг сферических и цилиндрических металлических наноконтактов. Проанализированы электрические свойства наноконтактов с малыми характерными размерами a<< S (S--- ширина обедненной области в плоской геометрии). Показано, что наноконтакты имеют слабую зависимость емкости от напряжения, большее, чем в плоском случае, снижение высоты барьера Шоттки за счет сил изображений, а также малую инерционность отклика до частот терагерцового диапазона.
Востоков Н.В., Шашкин В.И. Электрические свойства наноконтактов металл--полупроводник // ФТП, 2004, том 38, выпуск 9, Стр. 1084