Развита теория нелинейного высокочастотного отклика для двухъямной наноструктуры в постоянном электрическом поле. Такая структура является простейшей на пути от одноямной (резонансно-туннельный диод--- РТД) к сверхрешетке с однозонной \glqq штарковской лестницей\grqq. Вработе с помощью численного решения уравнения Шредингера найден ток поляризации в широком интервале частот и полей (включая сильные поля) для модельных и реальных структур. Показано, что отклик двухъямной наноструктуры значительно превосходит (на1-2порядка) отклик резонансно-туннельного диода. Предсказывается новый оптимальный режим генерации, аналогичный режиму в когерентном лазере на межуровневых переходах.
Елесин В.Ф., Катеев И.Ю. Высокочастотный нелинейный отклик двухъямных наноструктур // ФТП, 2005, том 39, выпуск 9, Стр. 1106

Приводятся результаты теоретических исследований энергетических спектров экситона, движущегося в полупроводниковых сферических квантовых точках. Анализируется вклад в энергетический спектр экситона в квантовой точке, вносимый кинетической энергией электрона и дырки, энергией кулоновского взаимодействия между ними и энергией поляризационного взаимодействия электрона и дырки со сферической поверхностью раздела (квантовая точка)--(диэлектрическая среда).
Покутний С.И. Экситонные состояния в полупроводниковых сферических наноструктурах // ФТП, 2005, том 39, выпуск 9, Стр. 1101

Предложены атомные модели квазиодномерных(1D) плоских (наноленты) и цилиндрических (нанотрубки) наноструктур 1T- и 2H-фаз TiS2. Самосогласованным зонным методом функционала электронной плотности в схеме сильной связи исследованы особенности электронного строения и факторы устойчивости этих наноструктур в сравнении с двумерной(2D,молекулярный монослой) и трехмерной (3D, кристалл) формами дисульфида титана. Впервые выполнен анализ возможности фазовых переходов (1T=<ftrightarrow 2H) в наноструктурах. Установлено, что октаэдрический тип атомного окружения, присущий устойчивой фазе1T кристаллическогоTiS2, в2D, 1D наноструктурах сохраняется. Вотличие от3D TiS2, все стабильные2D и1D наноструктуры являются полупроводниками; определены закономерности изменений зонного спектра наноструктурTiS2 в зависимости от их типа и атомного строения.
Ивановская В.В., Зейферт Г., Ивановский А.Л. Электронное строение наноструктур дисульфида титана: монослои, наноленты, нанотрубки // ФТП, 2005, том 39, выпуск 9, Стр. 1093

Сообщается о результатах исследований с помощью нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) эмиссии носителей из состояний одиночных квантовых точек p-n-гетероструктур InAs/GaAs, полученных на ориентированных подложках (100) и (311)A GaAs, в зависимости от величины напряжения обратного смещенияU. Установлено, что эти структуры имеют различные зависимости смещения Штарка для уровней энергий квантовых состояний точек от величиныU.
Соболев М.М., Цырлин Г.Э., Самсоненко Ю.Б., Поляков Н.К., Тонких А.А. Смещение Штарка состояний дырок одиночных квантовых точек InAs/GaAs, выращенных на подложках(100) и(311)AGaAs // ФТП, 2005, том 39, выпуск 9, Стр. 1088

В рамках предложенного квантово-механического описания дырочного транспорта в баллистическом режиме проанализированы возможности использования квантового точечного контакта в разбавленном магнитном полупроводнике в качестве спинового фильтра. На примере ферромагнитного разбавленного полупроводника GaxMn1-xAs установлено, что даже сглаживание формы потенциала не позволяет достичь 100%-й спиновой поляризации тока, в частности при ширине сужения3.5 нм составляет 82%. Показано, что рабочая область такого спинового фильтра лежит в узком диапазоне размеров сужения ~3.5-4.0 нм, а при больших размерах сужения имеют место затухающие осцилляции спиновой поляризации тока. Спин-орбитальное расщепление в GaxMn1-xAs является достаточным для реального функционирования квантового точечного контакта в этом материале в качестве спинового фильтра. Его увеличение не даст существенного прироста степени поляризации приходящего тока.
Игнатенко С.А., Борисенко В.Е. Спиновой фильтр наквантовом точечном контакте вразбавленном магнитном полупроводнике // ФТП, 2005, том 39, выпуск 9, Стр. 1083

Исследована фотолюминесценция при комнатной температуре в сверхрешетках AlGaN/GaN и эпитаксиальных слояхGaN, имплантированных ионами эрбия с энергией1 МэВ и дозой3·1015 см-2 и отожженных в аргоне. Интенсивность фотолюминесценции ионовEr3+ всверхрешетке выше, чем в эпитаксиальном слое при температурах отжига700-1000oC. Максимальное различие в интенсивностях для эпитаксиального слоя и сверхрешетки (~2.8раза) имаксимальная интенсивность фотолюминесценции сверхрешетки наблюдаются после отжига при900oC. При увеличении температуры отжига до1050oC интенсивность излучения, связанного с эрбием, в сверхрешетке существенно уменьшается, что может быть связано с термодеструкцией сверхрешетки.
Емельянов А.М., Соболев Н.А., Шек Е.И., Лундин В.В., Усиков А.С., Паршин Е.О. Влияние увеличения дозы имплантации ионов эрбия и температуры отжига нафотолюминесценцию всверхрешеткахAlGaN/GaN иэпитаксиальных слояхGaN // ФТП, 2005, том 39, выпуск 9, Стр. 1080

Проведены исследования электрофизических характеристик структур металл--окисел--полупроводник (МОП) со встроенными кремниевыми наночастицами в слое диоксида кремния. Формирование нанокристаллов осуществлялось путем распада пересыщенного твердого раствора имплантированного кремния в процессе термообработок при температурах ~1000oC. При азотной температуре экспериментально обнаружена ступенеобразная вольт-амперная характеристика МОП структуры с нанокристаллами кремния в окисном слое. Ступенеобразная вольт-амперная характеристика впервые количественно описана в рамках модели, предполагающей осуществление транспорта заряда по цепочке локальных состояний, содержащей нанокристалл кремния в своем составе. Наличие ступеней объясняется одноэлектронной зарядкой нанокристалла кремния и кулоновским блокированием вероятности прыжка с ближайшего локального состояния в цепочке проводимости. Предполагается, что локальные состояния в окисном слое связаны с избыточной концентрацией кремния внем. Наличие таких состояний в окисле кремния подтверждается данными измерений дифференциальных проводимости и емкости. Для имплантированных кремнием МОП структур наблюдается увеличение дифференциальных емкости и проводимости по отношению к контрольным структурам в области смещений более 0.2 В. Вэтой же области напряжений при воздействии ультрафиолетовым излучением изменение заполненния состояний в цепочках проводимости обусловливает уменьшение проводимости структур.
Ефремов М.Д., Камаев Г.Н., Володин В.А., Аржанникова С.А., Качурин Г.А., Черкова С.Г., Кретинин А.В., Малютина-Бронская В.В., Марин Д.В. Кулоновское блокирование проводимости пленок SiOx приодноэлектронной зарядке кремниевой квантовой точки всоставе цепочки электронных состояний // ФТП, 2005, том 39, выпуск 8, Стр. 945

Обнаружены резонансные включения магнитным полем межподзонной электронной релаксации при сканировании уровня Ферми уровнями Ландау подзон размерного квантования одиночного гетероперехода. Монотонное уменьшение времени межподзонной релаксации с магнитным полем объяснено примешиванием электрон-фононного взаимодействия к электрон-электронному.
Кадушкин В.И. Резонансная модуляция электрон-электронной релаксации квантующим магнитным полем // ФТП, 2005, том 39, выпуск 7, Стр. 859

Представлены результаты экспериментального и теоретического исследования процессов формирования квантовых точек в системе InAs / GaAs(100) при докритической толщине осажденного InAs (1.5-1.6монослоев). Показано, что в докритической области толщин (менее 1.6монослоев InAs) плотность квантовых точек возрастает, а их размер убывает с увеличением температуры и не зависит от скорости осаждения. Взакритической области (более 1.8монослоев InAs) плотность квантовых точек возрастает, а их размер убывает при уменьшении температуры и увеличении скорости осаждения. Наблюдаемый эффект связан с переходом от термодинамического режима формирования квантовых точек вблизи критической толщины к кинетическому.
Мусихин Ю.Г., Цырлин Г.Э., Дубровский В.Г., Самсоненко Ю.Б., Тонких А.А., Берт Н.А., Устинов В.М. Переход оттермодинамического режима формирования квантовых точек всистеме InAs / GaAs(100) ккинетическому // ФТП, 2005, том 39, выпуск 7, Стр. 853

Исследованы неомические свойства квазидвумерного канала прыжковой проводимости, формируемого при помощи эффекта поля, в слоях p-Si в области пересечения уровня Ферми с примесной зоной. Установлено, что зависимость электропроводностиsigma от продольного электрического поляE имеет пороговый характер и подчиняется закону: lnsigma(E) прапорционально E1/2. Температурная и полевая зависимости проводимости квазидвумерного канала хорошо объясняются представлениями о нелинейном экранировании и неомических свойствах неупорядоченных систем со случайным кулоновским потенциалом. Данный механизм нелинейности подтверждается особенностями мезоскопических флуктуаций недиагольнальной компоненты сопротивления, отражающими перестройку перколяционного кластера под действием продольного поля. Обнаружены долговременные релаксации проводимости при переходе от неомического режима к омическому, свидетельствующие о проявлении данной системой свойств электронного стекла и существенном изменении токовых путей в сильном электрическом поле.
Аронзон Б.А., Ковалев Д.Ю., Рыльков В.В. Неомическая прыжковая квазидвумерная проводимость икинетика ее релаксации // ФТП, 2005, том 39, выпуск 7, Стр. 844