Наблюдалось спиновое расщепление нулевого уровня Ландау для верхней подзоны размерного квантования с энергией дна зоныEp в осцилляциях магнитосопротивления гетеросистемы Al0.28Ga0.72As(Si)Ga/As. Явление связано с межподзонными переходами электронов из нижней, основной Em-подзоны размерного квантования на опустошенные магнитным полем состояния верхней Ep-подзоны. Найдена величина фактора спектроскопического расщепления электронов Ep-подзоны: |g|=8.2-12.2 для концентрации в диапазоне np=(0.52-1.04)· 1011 см-2. PACS: 73.63.Hs, 7547.-m, 72.15.Gd
Кадушкин В.И. Спиновое расщепление и g-фактор электронов возбужденной подзоны размерного квантования // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 439

Рассмотрены состояния электрона, локализованного на доноре в квантовом сужении с параболическим электронным потенциалом при наличии продольного по отношению к оси сужения магнитного поля. Врамках модели потенциала нулевого радиуса аналитически получено дисперсионное уравнение электрона с учетом влияния магнитного поля на D(-)-состояние в квантовом сужении. Найдено, что особенность электронного спектра в квантовом сужении проявляется в зависимости энергии связи D(-)-состояния и края полосы примесного поглощения от эффективной длины сужения. Исследована эволюция энергии связи D(-)-состояния, а также спектра примесного магнитооптического поглощения в квантовом сужении с изменением величины продольного магнитного поля и проведено сравнение со случаем D(-)-состояний в квантовой проволоке. PACS: 73.21.Hb, 78.67.Lt, 73.63.Nm
Кревчик В.Д., Марко А.А., Грунин А.Б. Энергетический спектр и магнитооптические свойства D(-)-центра вквантовом сужении // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 433

Исследованы выращенные на подложках GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктуры с квантовыми ямами InGaNAs, содержащими монослойные внедрения InAs и ограниченными сверхрешетками InGaNAs/GaNAs. При больших концентрациях индия наблюдался вызванный увеличением напряжения рассогласования переход от двумерного к островковому режиму роста. Наибольшая длина волны излучения при комнантной температуре, достигнутая в структурах с квантовыми ямами, составила1.59 мкм, вструктурах с квантовыми точками---1.76 мкм. PACS: 78.67.Hc, 78.67.De, 78.55.Cr
Михрин В.С., Васильев А.П., Семенова Е.С., Крыжановская Н.В., Гладышев А.Г., Мусихин Ю.Г., Егоров А.Ю., Жуков А.Е., Устинов В.М. Гетероструктуры с квантовыми ямами и квантовыми точками InAs/InGaNAs/GaNAs, излучающие вспектральном диапазоне1.4--1.8 мкм // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 347

Исследовано влияние предосаждения напряженных слоев Si1-xGex (x=<20%) на фотолюминесценцию самоформирующихся островков Ge(Si)/Si (001). Обнаружено смещение пика фотолюминесценции от куполообразных островков в сторону меньших энергий по сравнению с пиком фотолюминесценции от пирамидальных островков, которое связывается со значительно большей высотой куполов по сравнению с пирамидами. Выявлено, что с увеличением содержания Ge в слое Si1-xGex более10% в широкой полосе фотолюминесценции от островков появляются два отдельных пика, которые связываются с бесфононным и фононным оптическими переходами в островках. Их появление вызвано изменением типа TO-фотона, участвующего в оптической рекомбинации, с TOGe-Ge-фонона на более коротковолновый TOSi-Ge-фонон. PACS: 78.67.Hc, 78.55.Hx, 81.07.Ta
Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф., Лобанов Д.Н., Новиков А.В., Шалеев М.В., Яблонский А.Н. Особенности фотолюминесценции самоформирующихся островков Ge(Si)/Si (001), выращенных на напряженном слое Si1-xGex // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 343

Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) исследована эмиссия электронов из состояний в системе вертикально-сопряженных квантовых точек InAs в p-n-гетероструктурах InAs/GaAs в зависимости от толщины прослойки GaAs между двумя слоями квантовых точек InAs и от величины напряжения обратного смещения. Установлено, что полупроводниковая гетероструктура InAs/GaAs с толщиной прослойки GaAs 100 Angstrem проявляет себя как система несвязанных квантовых точек. Эти структуры имеют в спектрах DLTS два пика, которые определяются основным и возбужденным состояниями одиночной квантовой точки с уровнями энергии, проявляющими слабое смещение Штарка (1-2 мэВ). Для гетероструктуры InAs/GaAs с двумя слоями квантовых точек InAs, разделенных прослойкой GaAs толщиной 40 Angstrem, определено, что они находятся в фазе молекул. Гибридизация электронных состояний двух близко расположенных квантовых точек приводит к расщеплению уровней на связанные и антисвязанные, основные и возбужденные состояния электронов, 1s+, 1s-, 2p+, 2p-, 3d+, которые отображаются в спектрах DLTS в виде 5пиков. Для этих квантовых состояний наблюдалось как сильное смещение Штарка уровней энергии (10-40 мэВ), так и пересечение (crossing) зависимостей энергий от величины электрического поля. Исследуемые структуры с вертикально-сопряженными квантовыми точками выращивались методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием эффектов самоорганизации. PACS: 73.21.Lc
Соболев М.М., Жуков А.Е., Васильев А.П., Семенова Е.С., Михрин В.С., Цырлин Г.Э., Мусихин Ю.Г. Связывание состояний электронов вмолекуле квантовых точекInAs/GaAs // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 336

Представлены результаты исследования роста самоформирующихся островковGe(Si), выращенных на релаксированных буферных слоях Si1-xGex/Si (001) (x~25%) с малой шероховатостью поверхности. Показано, что рост самоформирующихся островков на буферных слоях SiGe качественно аналогичен росту островков на Si (001). Обнаружено, что изменение морфологии поверхности (переход от dome- к hut-островкам) в случае роста островков на релаксированных буферных слоях SiGe происходит при большей температуре, чем для островков Ge(Si)/Si (001). Причинами этого могут быть как меньшее рассогласование кристаллических решеток островка и буферного слоя, так и несколько большая поверхностная плотность островков при их росте на буфереSiGe. PACS: 68.65.Hb, 68.55.Ac, 68.55.Jk
Востоков Н.В., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф., Кузнецов О.А., Лобанов Д.Н, Новиков А.В., Шалеев М.В. Особенности формирования островков Ge(Si) на релаксированных буферных слоях Si1-xGex/Si (001) // ФТП, 2006, том 40, выпуск 2, Стр. 235

Проведен теоретический анализ энергетической зонной диаграммы многослойных гетероструктур Ge0.8Si0.2/Ge0.1Si0.9 с вертикально совмещенными квантовыми точками. Сучетом флуктуаций толщины слоев в колонках квантовых точек и экситон-фононного взаимодействия показано, что электронные состояния формируют минизону. Дырочные волновые функции остаются локализованными в квантовых точках. Спектр оптических переходов в 20-слойной структуре, рассчитанный для комнатной температуры, хорошо согласуется с экспериментально измеренным спектром фотолюминесценции, показывающим интенсивную полосу вблизи1.6 мкм. Теоретически и экспериментально установлен характерный признак существования минизоны в сверхрешетке--- интегралы перекрытия электронных и дырочных волновых функций и интегральная интенсивность фотолюминесценции полосы квантовых точек Ge описываются квадратичной зависимостью от количества периодов структуры. PACS: 68.65.-k, 71.83.-k, 73.21.-b, 73.63.Kv
Сибирев Н.В., Талалаев В.Г., Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Дубровский В.Г., Захаров Н.Д., Werner P. Зонная структура испектр фотолюминесценции сверхрешетки Ge0.8Si0.2/Ge0.1Si0.9 свертикально совмещенными квантовыми точками // ФТП, 2006, том 40, выпуск 2, Стр. 230

Развита теория взаимодействия электромагнитного поля с одночастичными состояниями носителей заряда, возникающими в полупроводниковой квантовой точке. Показано, что силы осцилляторов перехода, а также дипольные моменты переходов для одночастичных состояний в квантовой точке принимают большие значения, превосходящие типичные значения соответствующих величин для полупроводниковых материалов. Врамках дипольного приближения установлено, что большие значения сечений поглощения света, а также оптического коэффициента ослабления света в изучаемых квазинульмерных системах дают возможность использовать такие системы в качестве новых сильно поглощающих материалов. PACS: 78.67.Hc, 73.30.Ly, 78.20.Dj
Покутний С.И. Поглощение и рассеяние света на одночастичных состояниях носителей заряда вполупроводниковых квантовых точках // ФТП, 2006, том 40, выпуск 2, Стр. 223

Исследована замороженная инфракрасная фотопроводимость в структурах p- и n-типа проводимости InAs/GaAs со слоями квантовых точек. Затухание фотопроводимости в начальном временном интервале после выключения подсветки происходит по логарифмическому закону. Характерное время релаксации зависит от температуры, уменьшаясь с ростом температуры. Предложена простая модель релаксации фотопроводимости, основанная на термической активации носителей заряда из слоя квантовых точек, согласующаяся с экспериментальными данными. PACS: 73.63.Kv, 73.21.La
Кульбачинский В.А., Рогозин В.А., Кытин В.Г., Лунин Р.А., Звонков Б.Н., Дашевский З.М., Касиян В.А. Замороженная инфракрасная фотопроводимость вструктурах InAs/GaAs сослоями квантовых точек // ФТП, 2006, том 40, выпуск 2, Стр. 215

Цель исследования заключалась в разработке метода модификации структуры квантовых точек в наноструктурах Ge/Si с применением импульсного лазерного излучения. Изменение структуры квантовых точек GexSi1-x анализировалось по данным спектроскопии комбинационного рассеяния света. Методом спектроскопии комплексной проводимости исследован энергетический спектр дырок в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками GexSi1-x до и после импульсного лазерного воздействия. Полученные экспериментальные данные свидетельствуют о том, что лазерная обработка позволяет уменьшить слоевую плотность квантовых точек, изменить их состав и увеличить средний размер. Наиболее важным результатом является обнаруженный эффект увеличения однородности параметров квантовых точек в результате наносекундного лазерного воздействия. Так, обработка образца со средним латеральным размером квантовых точек 8 нм (6монослоевGe) десятью лазерными импульсами приводит к двукратному уменьшению дисперсии энергетических уровней дырок в массиве квантовых точек. PACS: 63.22.+m, 66.10.Cb, 81.15.Hi
Володин В.А., Якимов А.И., Двуреченский А.В., Ефремов М.Д., Никифоров А.И., Гацкевич Е.И., Ивлев Г.Д., Михалев Г.Ю. Модификация квантовых точек внаноструктурах Ge/Si импульсным лазерным облучением // ФТП, 2006, том 40, выпуск 2, Стр. 207