В приближении эффективных масс и квадратичного закона дисперсии проведен расчет энергии связи экситонов, энергии основного излучательного экситонного перехода и нуль-фононного излучательного времени жизни экситонов в кремниевых квантовых точках, находящихся в матрице SiOx. Рассчитаны также спектры стационарной и время-разрешенной экситонной фотолюминесценции кремниевых квантовых точек, рассмотрена кинетика релаксации фотолюминесценции. Проведено сравнение теории с экспериментом. Показано, что основным фактором уширения спектральных полос фотолюминесценции в наноструктурах с кремниевыми квантовыми точками диаметром менее4 нм является эффект квантово-мезоскопических флуктуаций, когда наличие даже одной оборванной связи на интерфейсе или одного собственного точечного дефекта или инородного атома в нанокристаллите такого размера или в его близком окружении сильно сказывается на энергии экситонного перехода. PACS: 71.35.Gg, 78.55.-m, 78.67.Hc
Купчак И.М., Корбутяк Д.В., Крюченко Ю.В., Саченко А.В., Соколовский И.О., Сресели О.М. Характеристики экситонов иэкситонная фотолюминесценция структур скремниевыми квантовыми точками // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 98

Выполнен микроскопический расчет проводимости в режиме целочисленного квантового эффекта Холла. Исследован вопрос о точности квантования для образцов конечных размеров. Обаружено, что точность квантования степенным образом зависит от размера образца. Введен новый скейлинговый параметр, описывающий такую зависимость. Также показано, что точность квантования линейно зависит от отношения амплитуды хаотического потенциала к циклотронной энергии. Проведено сравнение результатов с магнитотранспортными измерениями в мезоскопических образцах. PACS: 73.43.Cd, 75.47.-m
Грешнов А.А., Колесникова Э.Н., Зегря Г.Г. Точность квантования холловской проводимости вобразце конечных размеров: степенной закон // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 93

Изучались спектры фототока лазерных гетероструктур с квантовыми точками InAs, полученными в результате самоорганизации в гетеросистеме InAs/InGaAs/GaAs. Исследования выполнены при освещении образца перпендикулярно и вдоль плоскости квантовых точек. Определены: оптическая плотность квантовых точек, максимальное усиление в лазерной структуре, время излучательной рекомбинации носителей и поляризационные свойства поглощения. Спектры фототока соотнесены с особенностями лазерной генерации исследуемых структур. Спектр поглощения интерпретируется как суперпозиция переходов между состояниями дискретного спектра, непрерывного спектра и \glqq смешанных\grqq переходов. PACS: 73.21.La, 73.63.Kv, 78.67.Hc, 78.67.De
Савельев А.В., Максимов М.В., Устинов В.М., Сейсян Р.П. Фототок квантовых точек InAs, полученных самоорганизацией, в полупроводниковых лазерных гетероструктурах InAs/InGaAs/GaAs, излучающих на 1.3 мкм // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 88

Методом резонансной фотолюминесценции и спектроскопии возбуждения фотолюминесценции изучены самоорганизованные квантовые точки в двухслойных структурах InAs / GaAs. Слабо коррелированная (50%) двухслойная система с набором вертикально связанных квантовых точек (асимметричных квантовых молекул) создана в структуре, состоящей из первого слоя InAs толщиной dInAs=1.8 монослоя и второго слоя InAs толщиной dInAs=2.4 монослоя, разделенных слоем GaAs толщиной dGaAs=50 монослоев. Втакой системе изучена последовательность дискретных квантовых состояний и впервые отчетливо зарегистрированы резонансы, отвечающие вертикально связанным квантовым точкам. PACS: 68.66.Hb, 78.67.Hc
Тарасов Г.Г., Жученко З.Я., Лисица М.П., Mazur Yu.I., Wang Zh.M., Salamo G.J., Warming T., Bimberg D., Kissel H. Оптическое детектирование асимметричных квантовых молекул вдвухслойных структурах InAs / GaAs // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 82

Методами фотолюминесценции и рамановского рассеяния исследовано влияние имплантации 1013-1016 см-2 ионов бора и последующих стационарных термических или лазерных импульсных (20 нс) отжигов на свойства нанокристаллов Si в SiO2. ИмплантацияB гасила фотолюминесценцию, обусловленную размерным квантованием. Сопоставление с действием других ионов показало, что рост массы частиц увеличивает затраты упругих потерь на гашение ФЛ. Это объясняется связыванием генерируемых дефектов в комплексы, не являющиеся центрами безызлучательной рекомбинации. Исследования подтвердили существование ускорения кристаллизации нанопреципитатов при введении примеси, а также выявили особенности, связанные с малыми размерами атомов бора. Отмечана эффективность лазерных отжигов для постимплантационного восстановления фотолюминесценции, обусловленная возможностью кратковременного плавления нанокристаллов. Несмотря на свидетельства попадания бора внутрь нанокристаллов, признаки появления свободных дырок отсутствовали. Причиной считается заглубление примесных уровней в нанокристаллах. PACS: 81.07.-h, 81.40.Ef, 81.40.Tv, 61.46.+w, 61.72.Ww
Качурин Г.А., Черкова С.Г., Володин В.А., Марин Д.М., Тетельбаум Д.И., Becker H. Влияние имплантации ионов бора ипоследующих отжигов насвойства нанокристалловSi // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 75

Исследованы спектры экситонной и внутрицентровой 3d-люминесценции ионовMn2+ всерии структур Zn1-xMnxTe/Zn0.59Mg0.41Te с различной концентрацией марганца и шириной квантовых ям(КЯ). Показано, что относительные интенсивности излучения экситонов квантовых ям и барьера и их зависимость от уровня оптического возбуждения определяется в основном концентрацией марганца вКЯ, от которой зависит эффективность переноса экситонного возбуждения в3d-оболочкуMn2+. Исследовано влияние ширины КЯ и концентрации марганца на кинетику затухания внутрицентровой люминесценцииMn2+. PACS: 78.67.De, 71.35.Gg
Агекян В.Ф., Васильев Н.Н., Серов А.Ю., Степанов Ю.А., Тазаев У.В., Философов Н.Г., Karczewski G. Излучательная рекомбинация в структурах сквантовыми ямами Zn1-xMnxTe/Zn0.59Mg0.41Te--- экситонная ивнутрицентровая люминесценция // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 70

Экспериментально установлено, что при возрастании плотности мощности возбуждающего излучения азотного лазера от10 до1000 кВт/см2 происходит сдвиг максимума спектра люминесценции GaN на ~ 150 мэВ. Мы связываем большой синий сдвиг с проявлением хвоста плотности локализованных состояний в запрещенной зоне квантовой ямы. Показано, что в модели идеальной квантовой ямы, в которой отсутствует хвост плотности локализованных состояний в запрещенной зоне, нельзя объяснить большой синий сдвиг. Предложено феноменологическое выражение для плотности состояний, содержащее подгоночный параметр--- энергию Урбаха, описывающее хвосты плотности локализованных состояний. Таким образом можно описать как длинноволновый край спектра люминесценции, так и большой синий сдвиг. При различной накачке изменяется квазиуровень Ферми фотоэлектронов, который подбирается для каждой экспериментальной кривой. Достигнуто качественное согласие теоретических и экспериментальных спектров рекомбинационного излучения, свидетельствующее об адекватности предположений модели. Из условия квазинейтральности находится поверхностная концентрация носителей, которая на несколько порядков превосходит пироэлектрическую концентрацию в узких квантовых ямах.
Якобсон М.А., Нельсон Д.К., Константинов О.В., Матвеенцев А.В. Хвост локализованных состояний в запрещенной зоне квантовой ямы в системе In0.2Ga0.8N/GaN и его влияние на спектр фотолюминесценции при лазерном возбуждении // ФТП, 2005, том 39, выпуск 12, Стр. 1459

Рассчитана степень циркулярной поляризации фотолюминесценции из квантовой ямы n-типа на основе AIIIBV, выращенной вдоль направления(001), при протекании в плоскости ямы электрического тока. Показано, что смешивание состояний легких и тяжелых дырок приводит к круговой поляризации фотолюминесценции при распространении света в плоскости структуры. Проанализирована роль различного типа линейных по волновому вектору слагаемых в энергетическом спектре электронов в эффектах спиновой ориентации и возникновения круговой поляризации излучения в электрическом поле.
Аверкиев Н.С., Силов А.Ю. Циркулярная поляризация люминесценции, обусловленная током вквантовых ямах // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1370

Исследовано влияние электрического поля на фотолюминесценцию кремниевых нанокристаллов, сформированных в оксиде кремния методом ионной имплантации с последующим отжигом. Обнаружено, что приложение электрического поля приводит к возрастанию интенсивности фотолюминесценции нанокристаллов при низких температурах на величину до 10% при напряженности поля 12 кВ / см и ее понижению при температурах свыше 20 K. Возгорание экситонной фотолюминесценции нанокристаллов под действием электрического поля противоречит модели рекомбинации размерно-квантованных экситонов в нанокристаллах и описывается в рамках модели рекомбинации автолокализованных экситонов, формирующихся на границе нанокристалл кремния--оксид кремния.
Вандышев Е.Н., Гилинский А.М., Шамирзаев Т.С., Журавлев К.С. Фотолюминесценция кремниевых нанокристаллов поддействием электрического поля // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1365

Предложен простой метод расчета коэффициента межзонного поглощения света в однородном электрическом поле, позволяющий из самых общих соотношений исследовать особенности электропоглощения в широком классе полупроводниковых систем. Развитый метод применен к исследованию электропоглощения в двумерных системах с различным профилем одномерного потенциала, в квантовых ямах и сверхрешетках в магнитном поле.
Синявский Э.П., Соковнич С.М., Хамидуллин Р.А. Межзонное поглощение света вразмерно-ограниченных системах воднородном электрическом поле // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1359