В приближении эффективной массы и квадратичного закона дисперсии рассчитаны энергии связи экситона и энергии излучательных экситонных переходов в одиночных квантовых ямах SiOx--Si--SiOx. Кроме реальных конечных величин разрывов зон в структурах с такими квантовыми ямами был учтен также эффект диэлектрического усиления энергии связи экситона из-за поляризации гетерограниц. Рассчитана также зависимость экситонного бесфононного времени излучательной рекомбинации от ширины квантовой ямы SiOx--Si--SiOx. Она имеет немонотонный (осциллирующий) характер, что обусловлено непрямозонностью кремниевого материала. Показано, что теоретически рассчитанные энергии излучательных экситонных переходов в квантовых ямах SiO2--Si--SiO2 согласуются с полученными из эксперимента при ширинах квантовых ям >=q 1.5 нм. Достигнуто достаточно хорошее согласие между экспериментальными и теоретически рассчитанными спектральными зависимостями фотолюминесценции квантовых ям SiO2--Si--SiO2. PACS: 78.67.Hc, 73.21.Fg
Саченко А.В., Корбутяк Д.В., Крюченко Ю.В., Купчак И.М. Экситонная фотолюминесценция структур скремниевыми квантовыми ямами // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 969

Получены и проанализированы спектры фотолюминесценции квантовых точек CdS, выращенных в боросиликатном стекле золь--гель методом. Показано, что спектры фотолюминесценции образцов обусловлены аннигиляцией свободных (внутренних) экситонов в основном и возбужденном состояниях. Впервые обнаружено излучение из поверхностных уровней квантовых точек в области 2.7 эВ, обусловленное рекомбинацией локализованных на поверхности электронов с тяжелыми дырками в свободных состояниях квантовых точек. Резонансное возбуждение этих структур позволило установить характерные особенности поверхностных локализованных состояний, формирующих полосу фотолюминесценции, свойства которой во многом схожи со свойствами полос излучения как трехмерных (аморфные полупроводники, твердые растворы замещения), так и двумерных (квантовые ямы и сверхрешетки) систем. PACS: 73.21.La, 78.67.Hc, 78.55.Et
Бондарь Н.В., Бродин М.С., Тельбиз Г.М. Вклад внутренних и поверхностных состояний носителей заряда вспектры излучения квантовых точек CdS вборосиликатном стекле // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 962

Показано, что автоколебания, наблюдаемые в слабосвязанных сверхрешетках GaAs/AlGaAs, являются результатом сложения гармонических колебаний нескольких связанных осцилляторов, каждый из которых представляет собой однобарьерный туннельный диод. Связанные осцилляторы формируют расширенную границу электрополевого домена в режиме отрицательной дифференциальной проводимости. PACS: 72.30.+q, 73.40.Gk, 73.40.Kp.
Расулова Г.К., Брунков Н.П., Жуков А.Е., Устинов В.М. Высшие гармоники колебаний тока вслабосвязанных сверхрешетках GaAs/AlGaAs // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 846

Методом туннельной спектроскопии при гелиевых температурах исследован эффект замороженой (persistent) туннельной фотопроводимости: сгущение пустых уровней в приповерхностном delta-легированном слое GaAs после внешней подсветки. Показано, что этот эффект обусловлен уширением потенциальной ямы delta-слоя. При энергиях фотонов hnu больше ширины запрещенной зоны Eg в GaAs это происходит за счет накопления положительного заряда в глубине GaAs при генерации электронно-дырочных пар и за счет фотоионизации глубоких центров. При hnu
Котельников И.Н., Дижур С.Е., Фейгинов М.Н., Мордовец Н.А. Влияние энергии фотонов и температуры на эффект замороженной туннельной фотопроводимости структур Al/delta (Si)-GaAs // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 839

Двумерный полупроводниковый фотонный кристалл с гексагональной решеткой субмикрометровых отверстий изготовлен путем травления планарной структуры GaAs/AlGaAs, содержащей квантовые точки InAs/InGaAs в волноводном слое. Путем анализа спектров отражения при различных углах падения и поляризации света определена структура фотонных зон. Фано-резонансы, обнаруженные в спектрах отражения при ТМ (ТЕ) поляризации вдоль направления симметрии Gamma-K (Gamma-M), связаны с резонансным взаимодействием оптически активных фотонных зон с падающим светом. Зонная структура радиационных мод утечки исследована путем измерения угловой зависимости интенсивности фотолюминесценции. Обнаруженное трехкратное увеличение интенсивности фотолюминесценции на резонансной частоте фотонного кристалла объяснено эффектом Пурселя. PACS: 42.70.Qs, 78.67.Hc, 78.66.Sq, 78.20.Ci
Блохин С.А., Усов О.А., Нащекин А.В., Аракчеева Е.М., Танклевская Е.М., Конников С.Г., Жуков А.Е., Максимов М.В., Леденцов Н.Н., Устинов В.М. Оптические исследования двумерного фотонного кристалла сквантовыми точками InAs/InGaAs вкачестве активной области // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 833

Исследовано влияние gamma-излучения на структурные изменения в транзисторных многослойных гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs. Спомощью рентгенодифракционных измерений и просвечивающей электронной микроскопии установлено, что при gamma-облучении с дозой выше ~3· 107 рад начинает происходить разрушение слоя GaAs, находящегося на поверхноcти таких структур. При дозе облучения 108 рад планарность поверхности значительно ухудшается и ее шероховатость достигает нескольких нанометров. Кроме того, в приповерхностном слое структуры под воздействием gamma-облучения наблюдается образование дислокаций. Причина такого поведения поверхностного слоя может быть связана с существованием слоя окисла на его свободной поверхности и с возможными, индуцируемыми gamma-облучением, химическими реакциями между атомами слоя и свободными радикалами, образующимися в окисле и в окружающей атмосфере. Заметных изменений структуры и состава тонкого слоя канала InGaAs при дозах до 108 рад не происходит. PACS:61.80.Cb, 68.35.Ct, 68.37.Lp, 68.55.Jk, 81.40.Wx
Бобыль А.В., Гуткин А.А., Брунков П.Н., Заморянская И.А., Яговкина М.А., Мусихин Ю.Г., Саксеев Д.А., Конников С.Г., Малеев Н.А., Устинов В.М., Копьев П.С., Пунин В.Т., Илькаев Р.И., Алферов Ж.И. Рентгенодифракционные иэлектронно-микроскопические исследования влияния gamma -излучения намногослойные гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 707

Рассмотрено явление накопления зарядов, образовавшихся из-за поглощения света в структурах с квантовыми ямами в продольном электрическом поле. Показано, что процесс накопления зарядов в такой двумерной структуре существенно отличается от трехмерного случая. Рассчитаны распределения зарядов в структурах для различных значений электрических полей и полного количества накопленных зарядов. Показано также, что при значительных количествах накопленных зарядов существенную роль в распределении потенциалов и зарядов начинает играть фермиевское вырождение. Такое накопление зарядов может привести к необычной люминесценции, когда процессы генерации носителей заряда и последующей рекомбинации могут быть значительно разнесены по времени. Кроме того, такая люминесценция не будет замаскирована излучением от переходов, связанных с хвостами в запрещенной зоне, и излучением от подложки. PACS: 73.63.Hs, 78.40.-q, 78.67.De
Герус А.В., Герус Т.Г. Эффекты накопления зарядов в структурах с квантовыми ямами // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 701

-1 На основе совместного решения уравнений Шредингера и Пуассона с учетом спонтанной и пьезоэлектрической поляризации изучены особенности туннельного тока в двухбарьерных вюрцитных структурах GaN / AlGaN (0001). Показано, что внутренние поля проявляют себя в асимметрии туннельного тока через величину электронного заряда в квантовой яме. Этот заряд больше, когда внешнее и внутреннее поля в яме компенсируют друг друга, что приводит к уменьшению сдвигов потенциала активной области и резонансных уровней от напряжения, увеличению сопротивления структуры и линейной зависимости тока от напряжения в широком интервале напряжений. При совпадении внешнего и внутерннего полей в токе возникает резкая структура отрицательной дифференциальной проводимости с отношением пик / долина ~4, подобная одной из ветвей вольт-амперной характеристики двухбарьерной структуры GaAs / AlGaAs (001), что свидетельствует о перспективности использования нитридных материалов в резонансно-туннельных приборах. PACS: 73.63.Hs, 73.21.Fg
Гриняев С.Н., Разжувалов А.Н. Самосогласованный расчет туннельного тока вдвухбарьерных гетероструктурах w-GaN / AlGaN (0001) // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 695

Рассмотрены D(-)-состояния в квантовой яме при наличии продольного по отношению к направлению оси роста магнитного поля. Врамках модели потенциала нулевого радиуса получено уравнение, определяющее зависимость энергии связи D(-)-состояния от параметров потенциала структуры, координат D(-)-центра и величины магнитного поля. Проведено сравнение с экспериментальными данными по зависимости энергии связи D(-)-состояния от величины магнитного поля и показано удовлетворительное согласие с теоретическими расчетами в области магнитных полей B
Кревчик В.Д., Грунин А.Б., Евстифеев Вас.В. Магнитооптика квантовых ям сD(-)-центрами // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 689

Методом спектроскопии электроотражения исследовано влияние внешнего электрического поля на межзонные оптические переходы в одиночных квантовых ямах InxGa1-xAs/GaAs. Предложена методика выделения вклада отдельных экситонных переходов в формирование сложного модуляционного спектра. Экспериментально наблюдались нетривиальные полевые зависимости вероятности запрещенных по симметрии оптических переходов. Проведено сравнение полученных данных с соответствующими теоретическими зависимостями. Напряженность внутреннего электрического поля в области квантовой ямы контролировалась по осцилляциям Франца--Келдыша. При некоторых значениях напряженности вероятность запрещенных в нулевом поле переходов превышала вероятность разрешенных. PACS: 78.67.De, 73.21.Fg
Пихтин А.Н., Комков О.С., Базаров К.В. Влияние внешнего электрического поля на вероятность оптических переходов в квантовых ямах InGaAs/GaAs // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 608