Исследованы структурные и оптические свойства массивов квантовых точекInAs, выращенных на подложкахGaAs при низких температурах (250 и350oC) и различной степени разориентации поверхности. Показано, что низкотемпературный рост на сингулярной поверхности сопровождается формированием конгломератов квантовых точек вдоль петлевых дислокаций, а на разориентированной поверхности--- вдоль ступеней, обусловленных вицинальностью поверхности. Образование конгломератов квантовых точек приводит к появлению новой длинноволновой полосы в спектрах экситонной фотолюминесценции. Обнаружена различная степень поляризации спектральной полосы фотолюминесценции для конгломератов разных форм и размеров. PACS: 68.65.Hb, 78.67.Hc, 73.63.Kv, 78.55.Cr
Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Поляков Н.К., Самсоненко Ю.Б., Устинов В.М., Захаров Н.Д., Werner P., Талалаев В.Г., Новиков Б.В. Влияние разориентации подложки GaAs насвойства квантовых точекInAs, выращенных методомМПЭ принизких температурах // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 603

Проведено исследование энергий и волновых функций локализованных состояний электрона в квантовой яме в произвольным образом ориентированном по отношению к слоям структуры сильном магнитном и в сильном поперечном электрическом поле. Рассмотрена ситуация, когда энергии размерного квантования и энергия Ландау близки по величине. Изучен характер эволюции спектра при изменении ориентации магнитного поля во всем диапазоне углов. PACS: 73.21.Fg, 73.22.Dj, 73.63.Hs
Теленков М.П., Митягин Ю.А. Спектр электрона вквантовой яме всильных наклонном магнитном ипоперечном электрическом полях // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 597

Исследовались структуры на основе GaN с квантовыми точками InGaN в активной области, излучающие в синем и зеленом диапазонах света. Сравнивались структуры, выращенные как традиционным способом, так и с применением специальных методик выращивания активной области. Применение таких специальных режимов роста стимулирует активированный фазовый распад, приводящий к образованию квантовых точек с существенно большей глубиной локализации электронов. Показано, что образование таких глубоких квантовых точек, так же как и образование более крупных неоднородностей активной области, существенно подавляет латеральный транспорт носителей. Это улучшает характеристики светодиодных структур при малом уровне инжекции, а также увеличивает температурную стабильность квантовой эффективности. PACS: 85.60.Th, 68.55.Bd, 78.67.Hc, 85.60.Dm, 78.55.-m, 85.42.+m, 72.40.+w
Сизов В.С., Сизов Д.С., Михайловский Г.А., Заварин Е.Е., Лундин В.В., Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н. Исследование латерального транспорта носителей вструктурах сквантовыми точками InGaN вактивной области // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 589

Предложены способы определения параметров уровней (энергий и коэффициентов захвата электронов и дырок), участвующих в формировании рекомбинационного потока, рассмотрены температурные зависимости этих параметров для структур AlGaN/InGaN/GaN иInGaN/SiC. Определены параметры уровней, участвующих впроцессах туннельной рекомбинации. PACS: 73.63.Hg, 73.40.Gk
Грушко Н.С., Логинова Е.А., Потанахина Л.Н. Процесс туннельной рекомбинации в пространственно неоднородных структурах // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 584

В рамках предложенного ранее спектрально-корреляционного метода исследования полупроводниковых структур с планарно-неоднородными слоями экспериментально исследована при температуре77 K фотолюминесценция структуры на основеGaAs с delta-слоями n-типа. Этот метод позволил изучить на одном образце зависимости особенностей наблюдаемого многокомпонентного спектраФЛ от вариации двух параметров--- расстояния между delta-слоями и состава находящейся между ними узкой квантовой ямы InGaAs. Полученные результаты позволяют связать наблюдаемое экспоненциальное увеличение интенсивности фотолюминесценции из области delta-слоев при изменении этих параметров с изменением соотношения латерально локализованных в минимумах флуктуационного потенциала и свободных двумерных дырок. Обнаружен эффект стабилизации энергетического положения спектральных линий фотолюминесценции, который мы связываем с локализацией дырок в потенциальной яме между delta-слоями. Полученные экспериментальные результаты согласуются с проведенными в работе численными расчетами. PACS: 78.55.Cr, 73.63.-b, 78.67.Pt
Хабаров Ю.В., Капаев В.В., Петров В.А., Галиев Г.Б. Исследования физических явлений вполупроводниковых наноструктурах сиспользованием планарно-неоднородных слоев. Фотолюминесценция структур сэлектронными delta -легированными слоями // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 572

При T=8 K исследованы спектры экситонной люминесценции структур с одиночной квантовой ямой ZnCdSe/ZnSe. Обнаружено два типа анизотропии линейной поляризации экситонного излучения. Анизотропия первого типа соответствует поляризации излучения вдоль оси[011] и обусловлена излучением с нижнего уровня дублетного состояния тяжелых экситонов, локализованных в вытянутых вдоль оси[011] островках локализации. Второй тип анизотропии связан с процессами возбуждения свободных экситонов с волновыми векторами, превышающими волновой вектор света. Возбуждение реализуется через упругое рассеяние света на анизотропных интерфейсных шероховатостях, обусловленных ступеньками роста. Анизотропия второго типа соответствует поляризации излучения вдоль оси[0 11] и является следствием воздействия деформационных эффектов, возмущающих дырочные состояния вблизи ступенек роста. Деформация возникает в этих областях за счет разной величины постоянных решетки материала барьера и ямы. PACS: 71.35.-y, 73.20.Mf, 78.67.De
Кайбышев В.Х., Травников В.В. Влияние интерфейсных ступенек роста наанизотропию экситонного излучения квантовых ямZnCdSe/ZnSe // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 464

Исследованы зависимости интенсивности катодолюминесценции множественных квантовых ям Al0.55Ga0.45N/Al0.45Ga0.55N, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии, от условий роста. Наблюдается увеличение почти на 2 порядка интенсивности пика катодолюминесценции с энергией 4.45 эВ при росте слоя квантовой ямы в режиме сильного обеднения по аммиаку. На картине дифракции быстрых электронов при этом появляется тенденция к режиму трехмерного роста, эффект интерпретируется в модели формирования квантовых точек AlGaN. PACS: 78.67.De, 78.67.Hc, 81.15.Hi
Борисов Б.А., Никишин С.Н., Курятков В.В., Кучинский В.И., Holtz M., Temkin H. Повышенная излучательная рекомбинация квантовых ям AlGaN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 460

Исследован рост квантовых точек InAs(N) на GaAs в реакторе металлорганической газофазной эпитаксии (МОГФЭ) пониженного давления. Вкачестве источника азота использован демитилгидразин. Внастоящее время хорошо известно, что температура роста квантовых точек InGaAs должна быть ограничена, чтобы предотвратить нежелательные процессы взаимодиффузии атомов In и Ga, а также переиспарение атомовIn. Сдругой стороны, толстые барьерные слои GaAs должны выращиваться при повышенной температуре из-за сильного влияния температуры роста на оптическое качество структуры. Повышение температуры подложкодержателя на 100 градусов требует прерывания процесса в реакторе МОГФЭ примерно на 2 мин. Момент прерывания процесса для подъема температуры может быть выбран в различных точках процесса: 1--- после квантовых точек, перед покрывающим слоем InGaAs; 2--- внутри процесса роста покрывающего слоя; 3--- между покрывающим слоем и барьерным GaAs; 4--- внутри барьерного слоя GaAs. Показано, что наиболее подходящим для структур с сильной фотолюминесценцией на 1.3 мкм является последний вариант, где тонкая начальная часть барьерного слоя выращивается при пониженной температуре. PACS: 78.55.-m, 81.16.-c
Шашкин В.И., Данильцев В.М., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Гапонова Д.М., Хрыкин О.И., Мурель А.В., Востоков Н.В., Kim Taek, Park Yong-Jo Оптимизация температурного режима металлорганической газофазной эпитаксии квантовых точек InAs(N) наGaAs(001) синтенсивной фотолюминесценцией вблизи 1.3 мкм // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 455

Исследуется влияние углерода на фотолюминесцентные свойства пленок состава: Si квантово-размерные нанокристаллы / SiOx (x->2) матрица. Измерены спектры фотолюминесценции с временным разрешением в диапазоне энергий 1.4-3.2 эВ и спектры инфракрасного поглощения в диапазоне волновых чисел 650-1500 см-1. Установлено, что введение углерода в присутствии кислорода при импульсном лазерном осаждении пленок приводит к бело-голубому спектру, увеличению интенсивности и стабильности фотолюминесценции. Влияние углерода на фотолюминесцентные свойства связывается с формированием SiO2-барьерной фазы взамен SiOx (1
Каганович Э.Б., Лисовский И.П., Манойлов Э.Г., Злобин С.А. Фотолюминесценция пленок нанокристаллического кремния, полученных импульсным лазерным осаждением свведением углерода // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 449

Методами математического моделирования на основе уравнения энергетического баланса исследована электропроводность наноразмерных слоистых гетероструктур в сильных электрических полях. Показано, что характерной особенностью соответствующих характеристик является пик дифференциальной проводимости, положение и величина которого определяются высотой и крутизной гетеробарьеров, равно как и уровнем легирования структуры. Предложена физическая модель, интерпретирующая форму расчетных характеристик кумулятивным действием электростатического снижения высоты гетеробарьеров и ростом электронной температуры в окрестности инжектирующих гетерограниц. PACS: 73.63.-b
Гергель В.А., Курбатов В.А., Якупов М.Н. Квазигидродинамическое моделирование особенностей электропроводности сильно легированных наноразмерных слоистых гетероструктур всильных электрических полях // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 446