Исследованы свойства гетероструктур a-SiC : H/c-Si, сформированных при различном содержании углерода в сплаве. Установлены преобладающие механизмы переноса носителей заряда в гетероструктурах. Предложены эквивалентные электрические схемы, позволяющие описать вольт-амперные характеристики гетероструктур во всем исследуемом диапазоне смещений. Оценены температурный коэффициент изменения ширины запрещенной зоны и сродство к электрону для a-SiC : H.
Шерченков А.А., Будагян Б.Г., Мазуров А.В. Механизмы токопереноса и свойства гетероструктур a-SiC : H/c-Si // ФТП, 2005, том 39, выпуск 8, Стр. 964

Исследована кинетика термической релаксации ансамбля фотоиндуцированных метастабильных электрически активных атомов бора в пленках a-Si : H (B) после частичной релаксации ансамбля в темноте и при подсветках разной интенсивности и длительности. Определены параметры растянутой экспоненты, описывающей кинетику релаксации ансамблей. Установлено, что фотоиндуцированная релаксация метастабильных состояний проявляется в условиях, когда ее скорость превышает скорость их фотоиндуцированного образования. Показано, что изменения функции распределения метастабильных состояний по временам релаксации вследствие термической и фотоиндуцированной релаксации подобны.
Ормонт Н.Н., Курова И.А., Прокофьев Г.В. Фотоиндуцированная релаксация метастабильных состояний вa-Si : H (B) // ФТП, 2005, том 39, выпуск 8, Стр. 960

Обоснована возможность применения идей и методов теории самоорганизации при рассмотрении процессов роста неупорядоченных полупроводников. Описан основной метод анализа динамики сложных систем. Рассмотрены инварианты хаотической динамики применительно к процессам роста материалов. Определены новые принципы построения технологических систем.
Вихров С.П., Бодягин Н.В., Ларина Т.Г., Мурсалов С.М. Процессы роста неупорядоченных полупроводников спозиций теории самоорганизации // ФТП, 2005, том 39, выпуск 8, Стр. 953

Синтезированы новые полиамидокислоты--- форполимеры полибензоксазинонимидов, содержащие в основной цепи звенья 2,2-бихинолила. Показано, что эти полимеры образуют стабильные комплексы с солями переходных и редкоземельных металлов. Результаты фотофизических исследований подтверждают предположение о двухстадийном процессе образования свободных носителей заряда через состояние кулоновски связанной пары и участие в этом процессе металл-полимерных комплексов. Величина квантовых выходов фотогенерации составляет 0.007-0.05.
Александрова Е.Л., Гойхман М.Я., Подешво И.В., Кудрявцев В.В. Светочувствительные свойства имеханизм фотогенерации носителей заряда вполимерных слоях, содержащих металлорганические комплексы // ФТП, 2005, том 39, выпуск 7, Стр. 880

Исследованы структура и магнитные свойства пленок аморфного углерода, модифицированного железом (a-C : Fe) при совместном магнетронном распылении железной и графитовой мишеней. Спомощью метода рентгеновской дифракции показано, что железо входит в образец в виде нанокристаллов, характерные размеры которых составляют величину порядка20 нм, а также формирует нанокристаллы гексагонального карбида железа. Исследованы температурные зависимости намагниченности, измеренной в режимах охлаждения в нулевом и в ненулевом магнитных полях. При температуре T=<sssim 8 K наблюдался магнитный переход, свидетельствующий о возникновении в исследованном материале магнитного упорядочения. Изотермы намагниченности, измеренные в диапазоне температур8-20 K, находятся в согласии с этим наблюдением. Показано, что модифицированный формализм Ланжевена хорошо описывает наблюдаемые особенности намагничивания пленок a-C : Fe.
Ястребов С.Г., Иванов-Омский В.И., Поп В., Морошану К., Слав А., Волрон Ж. Магнитные свойства аморфного углерода, модифицированного железом // ФТП, 2005, том 39, выпуск 7, Стр. 874

Исследованы инфракрасные спектры пропускания и темновая проводимость пластин, изготовленных из порошков нанокристаллического кремния (nc-Si). Исходные порошки nc-Si синтезировались методом лазерно-индуцированной диссоциации силана в диапазоне температур окружающего буферного газа от 20 до 250oC и затем прессовались при давлениях от 108 до 109 Па. Обнаружено, что в процессе прессования порошков nc-Si в них формируются структуры Si--H, Si--CHx и Oy--Si--Hx (x,y=1-3). Образованные структуры разрушаются при отжиге пластин, причем наименьшая температура отжига (t=160oC) требуется для разрушения комплексов Si--H, Si--CHx. Показано, что темновая проводимость пластин nc-Si возрастает с увеличением температуры буферного газа, при которой синтезировался исходный порошок. Обнаружено, что существуют две температурные области, в которых темновая проводимость пластин имеет качественно различный характер. При температурах пластин T>=q 270 K проводимость связана со свободными носителями заряда, в то время как при меньших температурах электронный транспорт определяется прыжковой проводимостью по локализованным состояниям в запрещенной зоне.
Кононов Н.Н., Кузьмин Г.П., Орлов А.Н., Сурков А.А., Тихоневич О.В. Оптические и электрические свойства тонких пластин, изготовленных изнанокристаллических порошков кремния // ФТП, 2005, том 39, выпуск 7, Стр. 868

С помощью методов рентгеновской спектроскопии получены данные о локальной электронной и атомной структуре сплавов a-SixC1-x : H<Er>, приготовленных в тлеющем разряде (PECVD) при различных соотношениях силана и метана в газовой смеси (x=0.3-0.9). Показано, что сплавы имеют в своем составе атомы кремния и углерода с различной координацией. Кремний наблюдается в виде элементарного аморфного кремния и карбида кремния, соотношение этих фаз в пленках зависит от состава газовой смеси. Атомы углерода могут образовывать связи с кремнием в координации, близкой к таковой для кристаллического карбида кремния, с образованием также заметного количества связейC-H. Кроме того, углерод может формировать в пленке фазу элементарного углерода с различной координацией, свойственной графиту и алмазу.
Терехов В.А., Теруков Е.И., Трапезникова И.Н., Кашкаров В.М., Курило О.В., Турищев С.Ю., Голоденко А.Б., Домашевская Э.П. Исследование локальной электронной иатомной структуры ваморфных сплавах a-SixC1-x методом ультрамягкой рентгеновской спектроскопии // ФТП, 2005, том 39, выпуск 7, Стр. 863

Исследовано поведение парамагнитных DB-дефектов и темновой проводимости(sigmad) влегированных бором пленках нанокристаллического гидрированного кремния с добавками углерода nc-SiC : H, выращенных методомphoto-CVD. Показано, что увеличение уровня легирования приводит к фазовому переходу от кристаллической структуры к аморфной. Проводимость растет с легированием до sigmad=5.5·10-2 Ом-1·см-1, однако после фазового перехода понижается. Концентрация DB-дефектов с легированием монотонно убывает от1019 см-3 вкристаллической до9·1017 см-3 ваморфной структуре.
Шевалеевский О.И., Myong S.Y., Lim K.S., Miyajima S., Konagai M. Поведение структурных дефектов и проводимости в легированных бором пленках nc-SiC : H, выращенных методом photo-CVD // ФТП, 2005, том 39, выпуск 6, Стр. 741

Дан сравнительный анализ инфракрасных спектров МНПВО в интервале 4000-1000 см-1 для алмазоподобных и полимероподобных пленок a-C : H с показателем преломления n>=q2.0 и n=<q1.7 соответственно. Пленки были получены методом химического осаждения в плазме тлеющего разряда на постоянном токе из октана, циклогексана, толуола и ацетилена при вариации условий осаждения. Обнаружены характерные особенности в колебательных спектрах пленок a-C : H с разным показателем преломления. Пик 1250 см-1 наблюдался в спектрах алмазоподобных пленок независимо от исходного углеводорода. Дополнительные пики 3400 и1700 см-1, соответствующие колебаниям O-H и C=H, присутствуют в спектрах полимероподобных пленок. Показано, что интегральная интенсивность полосы CH-колебаний с максимумом ~2900 см-1 убывает экспоненциально на порядок величины при увеличенииn в интервале от1.55 до2.4.
Коншина Е.А., Вангонен А.И. Особенности колебательных спектров алмазоподобных иполимероподобных пленок a-C : H // ФТП, 2005, том 39, выпуск 5, Стр. 616

Предложена численная модель, позволяющая рассчитывать электрические свойства поликристаллических керамических полупроводников в случае, когда средний размер зерна сравним с шириной обедненной области вблизи межзеренной границы и происходит перекрытие двойных барьеров Шоттки соседних границ. Двумерный расчет проведен в диффузионно-дрейфовом приближении с использованием метода сетки Вороного. Выполнен анализ влияния размеров кристаллических зерен на вольт-амперную характеристику и удельную электрическую емкость материала на примере SrTiO3 p-типа проводимости.
Рожанский И.В., Закгейм Д.А. Моделирование электрических свойств поликристаллических керамических полупроводников ссубмикрометровыми размерами зерен // ФТП, 2005, том 39, выпуск 5, Стр. 608