Изучено влияние размерного квантования на вероятность оптических переходов без выполнения правила отбора по волновому вектору электрона. Показано, что в предположении постоянства инжекционной эффективности величина тока инверсии практически не зависит от толщины квантово-размерного слоя. Обсуждаются различные приближения для расчета скорости спонтанной рекомбинации.

Исследованы спектры фотолюминесценции и фотовозбуждения пленок пористого кремния исходной пористости 50--60%, приготовленных на монокристаллах кремния p-типа проводимости и подвергнутых анодному окислению и химическому травлению. Установлено, что присутствующая в травленном пористом кремнии аморфная фаза не проявляется в спектрах фотовозбуждения, но оказывает влияние на спектр фотолюминесценции пористого кремния. Показано, что особенности спектров фотовозбуждения до и после травления, а также эволюция спектров фотолюминесценции и фотовозбуждения после травления могут быть интерпретированы в рамках модели равномерного квантования, в которой учитываются упругие напряжения в кремниевых кристаллах пористого кремния.

Анализ температурных и инжекционных зависимостей времени жизни носителей заряда в бездислокационном n-кремнии позволил сделать заключение о рекомбинационной активности ростовых микродефектов различных типов. Определены параметры основных рекомбинационных центров, связанных с микродефектами A- иB-типа.

В интервале температур 4.2--300 K исследованы оптические свойства структурно-совершенных монокристаллов CuInSe2 c использованием фотолюминесценции, оптического поглощения, оптического отражения и оптического отражения с модуляцией по длине волны (ООМДВ). Обнаружены интенсивные линии свободных экситонов A (~ 1.0414 эВ) и B (~ 1.0449 эВ) с полушириной ~ 0.7 мэВ при 4.2 K, относящиеся к двум экстремумам валентной зоны, расщепленной кристаллическим полем. Обнаружены экситоны, дающие в спектрах ООМДВ линию C (~ 1.2779 эВ) и относящиеся к нижней валентной зоне, расщепленной спин-орбитальным взаимодействием. В рамках квазикубической модели Хоупфилда рассчитаны параметры расщепления валентной зоны Deltacf=5.2 мэВ и Deltaso=234.7 мэВ, определяемые кристаллическим и спин-орбитальным взаимодействием соответственно. В области края фундаментального поглощения обнаружены линии связанных экситонов с полушириной ~ 0.3 мэВ, что свидетельствует о высоком качестве выращенных кристаллов CuInSe2.

Исследована возможность целенаправленного смещения высокочастотной границы платоспектральной плотности шума кремниевых p-n-структур в область высоких частот при облучении гамма-квантами. Наблюдалось максимальное увеличение полосы рабочей области частот до2-2.5раз. При дальнейшем облучении исследуемых структур ширина плато не увеличивалась и его граница размывалась. Обнаружена корреляция между изменением времени жизни неосновных носителей заряда и шириной низкочастотного плато спектральной плотности шума. Предложена качественная модель для описания изменения спектральной плотности шума с потоком облучения для кремниевых p-n-структур, определяемых размерами p-n-перехода.

Представлены результаты исследования влияния температуры термообработки кремния (винтервале 750-1100oC продолжительностью1 ч) на транспорт примесей кислорода и углерода между присутствующими в бездислокационных кристаллах n-Si примесно-дефектными скоплениями и матрицей кристалла. Выявленные немонотонные изменения концентраций кислорода и углерода в примесно-дефектных скоплениях интерпретированы как результат колебательных "реакций", проходящих в процессе аккомодации примесно-дефектных скоплений при изменении (увеличении) температуры кристалла. Оценены температурные границы таких колебательных "реакций".

Исследовано поглощение в инфракрасной области спектра как исходных, так и термообработанных и облученных быстрыми электронами кристаллов Ge с повышенным содержанием изотопов кислорода 16O или18O. Колебательные полосы поглощения в Ge при 780, 818 и 857 см-1 приписаны комплексам из двух атомов кислорода (димерам) 16O, а полосы при 741, 776 и 811 см-1--- комплексам из атомов 18O. Установлено, что облучение кристаллов вблизи комнатных температур с последующим отжигом при 120-250oC приводит к увеличению интенсивности полос при 780 и 818 см-1. Полоса при 857 см-1 не изменяет свою интенсивность при облучении и по аналогии с Si отождествляется с другой конфигурацией кислородных димеров в Ge. Энергия связи димеров, обусловливающих полосы при 780 и 818 см-1, оценена на уровне 0.35-0.4 эВ.

Ультрадисперсные частицы состава CdSexTe1-x (0=<q x=<q 1) были сформированы в матрице силикатного стекла путем введения соответствующих готовых соединений в смесь SiO2 и оксидов Ca, Na, K, Li. Первоначально образующиеся частицы среднего размера 10--15 нм увеличиваются в 2--3 раза при дополнительной термообработке стекол; спектры оптического поглощения заметно изменяются только в случае твердых растворов CdSexTe1-x (x=0.8 или 0.4), но не в случае бинарных соединений CdSe иCdTe. Все синтезированные стекла обнаруживают схожие полосы люминесценции в видимой области. Наблюдаемые закономерности интерпретируются в предположении разделения двух кристаллических модификаций (вюрцита и сфалерита) при термообработке стекол, активированных твердыми растворами.

Исследовано инфракрасное поглощение обогащенных изотопами 16O и(или) 18O кристаллов Ge n- и p-типа проводимости после облучения электронами сэнергией 6 МэВ. Спектры инфракрасного поглощения измерялись при комнатной температуре и 10 K. Дополнительно кизвестным полосам кислородсодержащих дефектов обнаружены новые линии при 669, 944 и 990 см-1. Отжиг этих полос происходит вобласти температур 120--140oC и коррелирует сотжигом полосы при 621 см-1, приписанной ранее комплексу кислород--вакансия вGe. Установлена одинаковость температурного (10-> 300 K) и изотопического (16O-> 18O) сдвигов полос при 621 и 669 см-1. Найдено, что эти полосы принадлежат различным зарядовым состояниям центра суровнем энергии вблизи Ev+0.25± 0.03 эВ. Предополагается, что таким дефектом является комплекс кислород--вакансия (A-центр). Малоинтенсивные полосы при 944 и 990 см-1 отнесены ккомбинации валентных антисимметричных мод при 621 и 669 см-1 ссимметричной модой при 320 см-1 для нейтрального и отрицательно заряженного состояний A-центра соответственно.

Исследован характер изменения спектральной плотности шума ивремени жизни неосновных носителей заряда вкремниевых p-n-структурах стонкой областью умножения при термическом отжиге радиационных дефектов. Показано, что изменение частотных свойств шума p-n-структур при термическом отжиге связано свосстановлением поверхностных состояний. Предложено качественное объяснение самоограничения лавинного процесса вструктурах стонкой областью умножения.