Иванов П.И. Анатольевич МАШИНА МИНСКОГО, СВОЙСТВА НИЛЬПОТЕНТНОСТИ И РАЗМЕРНОСТЬ ГЕЛЬФАНДА-КИРИЛЛОВА В КОНЕЧНО-ОПРЕДЕЛЕННЫХ ПОЛУГРУППАХ: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.01.06. - M, 2006.

В монографии рассмотрены вопросы разработки и производства избыточных полупроводниковых микросхем памяти (МП). Описаны математические модели распределения статистически независимых и группирующихся дефектных и отказавших элементов на кристаллах МП, построенные на базе обширных статистических данных о характере и причинах возникновения неисправностей. Изложена методика прогнозирующего расчета выхода годных и надежности избыточных МП. Предложены методы построения и схемотехнические решения устройств нейтрализации ошибок, основанные на резервировании корректирующих кодов. Предназначена для научно-технических работников, специализирующихся в области создания полупроводниковой памяти. Может быть полезна преподавателям, аспирантам и студентам старших курсов вузов соответствующих специальностей.

Предложена новая модель высокоэнергетической ионной имплантации, основанная на использовании уравнения Фоккера--Планка. Разработан эффективный алгоритм адаптивного типа для численного решения задачи. Проведено моделирование имплантации B в Si в области энергий от 10 до 100 МэВ. Получено хорошее согласование с экспериментальными данными и результатами моделирования методом Монте-Карло.

Приведены результаты численного моделирования процессов плавления и кристаллизации пластин из монокристаллического кремния при воздействии компрессионными плазменными потоками, генерируемыми квазистационарными плазменными ускорителями, с учетом кинетики фазовых превращений на основе уравнения Колмогорова. Обсуждаются временные и пространственные характеристики процессов плавления и кристаллизации для импульсов различной формы. На основе полученных данных и проведенных оценок сделан вывод о существенной роли термоэлектрической неустойчивости в формировании объемных периодических структур. PACS: 81.10.Aj, 52.77.-j

Теоретически исследуются нелинейные свойства безобменных поверхностных магнитостатических спиновых волн в слоистой структуре, содержащей пленки ферромагнетика и полупроводника. На основе уравнения эволюции огибающей в приближении слабой нелинейности исследована устойчивость нелинейных поверхностных магнитостатических волн относительно продольных возмущений. Показано, что в определенных условиях импульс поверхностной спиновой волны распространяется в виде солитона огибающей. Расчеты проводились на примере структуры железоиттриевый гранат--антимонид индия.

Получены субмикронные цилиндрические структуры на поверхности монокристалла кремния при воздействии на него компрессионным плазменным потоком. Внутри модифицированного слоя кремния обнаружена периодическая структура из нормально ориентированных к поверхности каналов, период расположения которых соответствует размещению поверхностных образований.

Механизм радиационного возврата в резонанс может быть эффективно использован для описания радиационных поправок в терминах картины Дрелла--Яна. Предложена процедура итераций. Показано, что кинематическая область yto 1 может быть описана в терминах модифицированных структурных функций и формфактора Судакова, что существенно меняет результат, полученный как в низшем порядке, так и при учете всех лидирующих порядков теории возмущений.

Проведено исследование упругих свойств и кристаллической структуры системы Pr1-xSrxCoO3. Обнаружено два типа кристаллоструктурных переходов. Для состава x=0.5 при высокотемпературном переходе (T 310 К) происходит превращение из моноклинной фазы в ромбоэдрическую, тогда как при низкотемпературном превращении (T 110 К) симметрия элементарной ячейки остается моноклинной, хотя параметры элементарной ячейки резко изменяются. Предполагается, что высокотемпературный переход обусловлен размерным эффектом, тогда как низкотемпературный связан с наличием ионов празеодима, активно участвующих в химической связи.

Теоретически исследовано распространение нелинейной поверхностной магнитостатической волны (ПМСВ) в планарной феррит-полупроводниковой структуре в зависимости от концентрации носителей тока в полупроводниковом слое. Показано, что при определенных концентрациях ПМСВ неустойчива относительно продольных возмущений и может распространяться перпендикулярно магнитному полю в виде солитонов.

Приведены результаты экспериментального исследования анодной области двухкаскадного самостоятельного разряда низкого давления с холодным полым катодом закрытого типа. Установлено, что внешнее продольное магнитное поле способствует генерации плотной анодной плазмы, а поперечное препятствует. Сделан вывод о преобладающей роли плазменно-пучкового механизма генерации плазмы в анодной области разряда. Проведена оптимизация геометрии электродов газоразрядной камеры.