Для описания прыжковой термоэдс развита модель, по которой в кристаллической матрице основная и компенсирующая примеси совместно образуют простую кубическую решетку. Дан расчет термоэдс в режиме прыжков дырок (электронов) по водородоподобным примесям с учетом их возбужденных состояний. Результаты расчетов сравниваются с известными экспериментальными данными по низкотемпературной термоэдс Ge : Ga и теплоемкости Si : P на диэлектрической стороне перехода изолятор--металл.

Представлены результаты исследования методом Монте-Карло процесса протекания в двумерной неоднородной решетке. Неоднородная решетка получалась путем случайного распределения в ней неоднородностей различного размера и в разных количествах. Рассмотрено влияние неоднородностей на такие параметры, характеризующие протекание в системе, как критическая концентрация, среднее число узлов в конечных кластерах, вероятность протекания, критические индексы, фрактальная размерность бесконечного кластера. Показано, что все перечисленные параметры существенным образом зависят как от линейного размера неоднородностей, так и от их относительной площади.

Дан анализ нелинейного экранирования ионизованного донора вырожденным газом электронов проводимости кристаллического полупроводника. При нелинейном экранировании плотность заряда экранирующего ион электронного облака не пропорциональна суммарному электростатическому потенциалу иона и облака. В результате потенциал слабее спадает с расстоянием от иона, чем в линейном приближении, и величина энергии электростатической корреляции иона с экранирующим облаком меньше. Работа поддержана грантом Белорусского государственного университета.

Путем термообработки карбоксилированной целлюлозы, содержащей катионы кобальта, получено углеродное волокно с включениями нанокластеров кобальта. Исследовано влияние режима термообработки на структурирование углеродной матрицы и кластеров кобальта, петли гистерезиса намагниченности, температурную зависимость проводимости и магнитосопротивление. Установлено, что при температуре термообработки TM=700 и 900oC волокна обладают суперпарамагнитными и ферромагнитными свойствами соответственно. Показано, что, варьируя режим термообработки, можно получить волокна с различными механизмами проводимости, в которых могут проявляться такие магнеторезистивные эффекты, как анизотропный и гигантский, а также эффекты, обусловленные влиянием магнитного поля на процессы слабой локализации и спин-орбитального рассеяния. Работа выполнена при поддержке Комитета по науке и технологиям Республики Белоруссия и Белгосуниверситета (проект N 934/06), а также Министерства науки и технологий ФРГ (проект WEI-002-99).

Исследовано влияние атомов Sn на электрофизические свойства и рентгеновские фотоэлектронные (РФЭ) спектры монокристаллов Sb2Te3, выращенных методом Чохральского. Показано, что характер температурных зависимостей кинетических коэффициентов существенным образом определен строением валентной зоны, состоящей из двух валентных подзон. Сделанные оценки значений эффективных масс плотности состояний дырок и зазора между экстремумами валентной зоны в Sb2Te3 : Sn согласуются с данными для нелегированного оловом Sb2Te3. В РФЭ спектрах монокристаллов Sb2Te3 : Sn не наблюдается значительных сдвигов остовных уровней и перераспределения электронной плотности в валентной зоне.

Описаны магнитные свойства образцов нанопористого углерода, в поры которых был введен никель. Показано, что в том случае, когда значительная доля Ni находится именно в нанопорах, образец при температурах T

Развита электростатическая модель, описывающая зависимость термической энергии ионизации (ТЭИ) примесей от их концентрации, степени компенсации и температуры. Модель учитывает экранирование ионов прыгающими по примесям дырками (электронами), изменение ширины примесной зоны, а также смещение ее положения относительно края v-зоны для акцепторов (c-зоны для доноров). Смещение примесной зоны обусловлено функциональной зависимостью энергии сродства ионизированного акцептора к дырке (донора к электрону) от экранирования кулоновских полей ионов. Пространственное распределение ионов примесей по кристаллу принималось пуассоновским, а энергетическое --- нормальным (гауссовым). Для исследованных (относительно невысоких) уровней легирования ход плотности состояний на краях v- и c-зон предполагался таким же, как и у нелегированного кристалла. Результаты численного моделирования согласуются с наблюдаемым на умеренно компенсированном Ge : Ga уменьшением энергии ионизации с температурой и уровнем легирования. При малых степенях компенсации предсказывается существование небольшого аномального максимума в температурной зависимости ТЭИ. Работа поддержана Белорусским республиканским фондом фундаментальных исследований (грант Ф01-199) и Российским фондом фундаментальных исследований (гранты N 01-02-17813 и 00-15-96750).

Исследовано влияние температуры в интервале 20-500oC на модуль Юнга наноструктурного ниобия с содержанием примесей Ta

Предложен подход к учету влияния уширения энергетических уровней в полупроводниковом квантовом проводе на интенсивность межподзонного рассеяния электронов при их взаимодействии с полярными оптическими фононами. В качестве механизмов, ответственных за уширение, рассматривались тепловые колебания атомов и шероховатости поверхностей, ограничивающих квантовую систему. Показано, что в этом случае зависимость интенсивности межподзонного рассеяния электронов от их кинетической энергии не содержит особых точек.

Рассмотрены технологические особенности коммерческого производства наноалмазов детонационного синтеза на НП ЗАО \glqq СИНТА\grqq и характеристики выпускаемых наноалмазов и алмазосодержащей шихты. Приведены примеры использования наноалмазов в производстве композиционных электролитических покрытий на основе хрома, никеля, золота и серебра, имеющих высокие эксплуатационные свойства и обеспечивающих экономию драгоценных металлов и электроэнергии. Рассмотрены примеры применения наноалмазов для модификации пластмасс, антифрикционных смазок и оксидных покрытий, получаемых с помощью микродугового легирования алюминиевых сплавов. Показана перспективность использования наноалмазов в качестве исходного сырья при синтезе алмазных порошков и сверхтвердых композитов методами статического и ударно-волнового нагружения.