Исследованы особенности формирования столбчатой микроструктуры и связанные с ними изменения магнитных характеристик электролитически осажденных пленок CoW с плоскостной магнитной анизотропией. Показано, что характер межзеренного магнитного взаимодействия определяется содержанием продуктов электродных реакций, их распределением в пленке, строением межкристаллитных границ, а также толщиной и текстурой пленок.

Исследуется фосфоресценция бензальдегида в матрице пористое стекло--полиметилметакрилат при температуре T=77 K. Спектрально-кинетические характеристики фосфоресценции бензальдегида в вышеназванных матрицах существенно отличаются от таковых для бензальдегида в полиметилметакрилате. Кроме того, данные характеристики зависят от типа используемого пористого стекла. Полученные результаты объясняются взаимодействием молекул бензальдегида со стенками пор.

При учете экранирования ионов прыгающими по примесям электронам уточнены две известные модели расчета критической концентрации NC перехода диэлектрик--металл для температуры T->0 K в зависимости от боровского радиуса aH изолированной примеси. В одной модели переход при NC1 объясняется появлением делокализованных электронов при выталкивании примесной зоны в зону разрешенных энергий за счет уменьшения энергии сродства ионизированных примесей к электрону (дырке). В другой --- неограниченным возрастанием статической диэлектрической проницаемости кристалла при увеличении концентрации атомов примеси до NC2. Полученные аппроксимации N1/3C1aH~0.24 и N1/3C2aH~0.20 для степени компенсации K=0.01 описывают известные экспериментальные данные при 1

Исследовано "спектроскопическое поведение" ионов Sm3+ в одноактивированных и соактивированных церием кварцевых стеклах, полученных путем прямого перехода "золь-гель-стекло". Показано, что в одноактивированном стекле подавляющая доля ионов Sm3+ формирует однотипные оптические центры, спектрально-люминесцентные характеристики которых слабо зависят от концентрации активатора и способа его введения. В соактивированном стекле на стадии зарастания пор дополнительно образуются сложные центры, которые включают связанные мостиковым кислородом ионы Sm3+ и Ce4+. Ионы Sm3+ в таких центрах характеризуются в среднем более высокой локальной симметрией, эффективной сенсибилизацией люминесценции фотовосстановленными ионами (Ce4+)- и ее тушением Ce-содержащими кластерами.

Синтезированы и исследованы кремнеземные гель-пленки, окрашенные на стадии золя родамином 6Ж. Показано, что с повышением его концентрации происходит разрыхление матрицы в результате интенсификации процесса образования ассоциатов красителя, уменьшение квантового выхода люминесценции и повышение спектрально-люминесцентной чувствительности таких пленок к парам высоколетучих органических растворителей.

Измерения магнитострикции изотропного высокотемпературного сверхпроводника Ba0.66K0.34BiO3, обнаружили величину эффекта порядка 10-6, превыщающую значения для традиционных сверхпроводников, но не достигающую величин гигантской магнитострикции купратных ВТСП. Проведены термодинамический анализ результатов и сопоставление с данными численных расчетов эффектов, индуцированных пиннингом магнитного потока.

Проведены измерения характеристик деформации и разрушения нанокристаллических меди и никеля в интервале температур 4.2-300 K. Обнаружены чувствительность напряжений течения к знаку нагрузки, неустойчивость деформации при температурах, близких к температуре жидкого гелия. Получена температурная зависимость предела текучести. Показано, что при низких температурах существует область атермической деформации, которая простирается до 60 K для никеля и 200 K для меди. Обсуждаются возможные причины особенностей деформационного поведения нанокристаллических материалов, в частности, роль квантовых эффектов в низкотемпературной деформации.

Представлены результаты исследования методом рентгеновской дифракции особенностей дефектообразования в кремнии, облученном ионами Kr+ (210 MeV, 8·1012-3·1014 cm-2) и Xe+ (5.6 GeV, 5·1011-5·1013 cm-2). Установлено, что такое облучение приводит к образованию в объеме кремния дефектной структуры, состоящей из ионных треков, имеющих плотность, меньшую по сравнению с матрицей. Особенности дефектообразования обсуждаются с учетом каналирования части ионов по ранее сформированным трекам и доминирующей роли электронных потерь высокоэнергетичных ионов. Показано, что эффективность введения стабильных дефектов при внедрении высокоэнергетичных ионов ниже, чем при имплантации ионов средних масс с энергией в сотни килоэлектронвольт.

Исследовано влияние частиц ZrO2 на низкотемпературную деформацию нанокристаллической меди, полученной интенсивной пластической деформацией по методу равноканального углового прессования. Сравниваются характеристики деформации при растяжении и сжатии в области температур 4.2-400 K, измеренные для меди и композита Cu : 0.3 vol.% ZrO2. Показано, что в области температур 4.2-200 K предел текучести sigmas композита выше, чем у меди, и достигает 680 MPa при 4.2 K, затем до комнатной температуры sigmas близки, а при повышении температуры снова расходятся. Обсуждаются возможные причины различного влияния примеси на характеристики прочности и пластичности нанокристаллической меди в разных температурных областях.

В континуальном приближении дан вывод формулы для прыжкового тока электронов и дырок (электронных вакансий) по примесям одного сорта, находящимся в трех зарядовых состояниях (-1,0,+1). Рассчитаны длина экранирования электростатического поля и длина диффузии носителей заряда. Получена зависимость эффективного времени жизни прыгающих по примесям эылектронов относительно переходов (-1)->(+1) (дырок относительно переходов (+1)->(-1)) от степени компенсации и интенсивности межпримесного фотовозбуждения, стимулирующего образование ионов. Расчеты зависимости прыжковой фотопроводимости от интенсивности фотовозбуждения согласуются с известными экспериментальными данными, не находившими ранее теоретического объяснения.