Рентгенодифракционным методом исследованы дефекты междоузельного типа в кремнии, имплантированном ионами P и Si. Установлено, что образующиеся при имплантации и в процессе последующей термообработки междоузельные комплексы не содержат в себе атома P. Предложена модель пары PI: атом P--междоузельный атом Si. Пара PI --- это атомы P и Si в одном междоузлии, не связанные между собой химической ковалентной связью. Модель пары отвечает особенностям диффузии имплантированного фосфора в кремнии.

Выполнен теоретический анализ явления анизотропии магнитного тушения позитрониевых состояний в ориентированных относительно направления внешнего магнитного поля некубических кристаллах. Показано, что начальная поляризация позитронов усиливает анизотропию магнитного тушения позитрония и понижает величину магнитного поля, в котором анизотропия максимальна. Получены численные оценки величины экспериментально наблюдаемого эффекта для квазипозитрония в монокристалле кристаллического кварца и позитрониевого комплекса в монокристалле нафталина.

С использованием золь-гель-метода синтезированы силикатные пленки, окрашенные на стадии золя родамином C либо метиленовым синим и дополнительно легированные солями церия либо лантана. Показано, что такое легирование ведет к уменьшению пиковой интенсивности и изменению формы S1=<ftarrow S0-полосы красителей, а также к ее смещению, направление которого зависит от соотношения H2O : Si(OC2H5)4. Одновременно происходит увеличение фотостойкости молекул родамина C. Обнаруженные спектральные изменения объясняются образованием супрамолекул, включающих органические молекулы, редкоземельные ионы и элементы структурной сетки пленки, а повышение фотостойкости --- главным образом усилением T1  > S0-переходов красителя.

Впервые получены выражения для длин экранирования и амбиполярной диффузии при сосуществовании прыжковой и зонной проводимостей в полупроводниках с водородоподобными примесями. Предложен метод нахождения коэффициента диффузии прыгающих по примесям электронов (дырок) из эффекта Холла при равенстве прыжковой и зонной проводимостей. Дана интерпретация известных результатов исследований прыжковой фотопроводимости по акцепторам (Ga) и донорам (As) в трансмутационно легированном p-Ge при T=4.2 K. Показано, что измерение зависимости прыжковой фотопроводимости от интенсивности межзонной подсветки позволяет определить соотношение между подвижностями прыгающих по донорам электронов и прыгающих по акцепторам дырок.

С целью описания прыжкового транспорта по ближайшим соседям развита модель, согласно которой в кристаллической матрице основная и компенсирующая примеси образуют единую простую кубическую решетку. Прыжки происходят при термически активируемом "выравнивании" уровней основных примесей, в то время как компенсирующие примеси блокируют соответствующие узлы. Рассматриваются достаточно высокие температуры, когда взаимодействиями, приводящими к кулоновской щели, можно пренебречь и плотность состояний в зоне основных примесей предполагать гауссовой. Найдены концентрационные зависимости энергии активации прыжковой проводимости varepsilon3, которая имеет вид кривой с максимумом, а также ее предэкспоненциального множителя sigma3. Результаты сравниваются с полученными разными авторами экспериментальными данными для нейтронно-легированного Ge : Ga. Работа была частично поддержана грантами БФФИ N 97-246 и РФФИ N 98-02-17353.

Проведены измерения характеристик деформации нанокристаллического ниобия в интервале температур 4.2--300 K. Показано, что при температурах 4.2 и 10 K развивается сильная локализация деформации с выраженными полосами макросдвига. Сделаны оценки тепловых эффектов при скачке деформации по переходу из сверхпроводящего в нормальное состояние самого образца или полоски ниобия, помещенной вблизи него. Показано, что температурная зависимость предела текучести sigmas(T) имеет три области: две --- с небольшим изменением sigmas (T70 K) и одну --- с сильной зависимостью sigmas(T). Сравниваются деформационные характеристики поликристаллов с наноразмерным и более крупным зерном, а также монокристаллов. Работа выполнена при финансовой поддержке Научного совета МНТП "Физика твердотельных наноструктур" (проект N 97-3006).

Изучены неучтенные процессы суммирования каскадных гамма-квантов при регистрации однодетекторным спектрометром энергетического спектра 22Na в образцах и их влияние на изменение площади аннигиляционной линии 511 keV при определении вероятности трехфотонной аннигиляции позитрония P3gamma. Увеличение числа аннигиляционных квантов в "позитронийобразующих" образцах и их перераспределение в низкоэнергетичную часть спектра обусловливает отличие площади фотопика сопутствующего ядерного кванта, по которому производится нормировка спектров, от соответствующего пика в эталоне алюминия. Отклонение реального значения P3gamma от значения, определяемого без учета процессов суммирования на высокоэффективных сцинтилляционном NaI(T1)- и полупроводниковом Ge-детекторах при расстоянии между источником позитронов и поверхностью детектора 3 cm, составляет соответственно 56 и 25%. Работа выполнена при частичной поддержке Фонда фундаментальных исследований Республики Беларусь (грант N Ф97-055).

Представлены результаты исследования миграции триплетного возбуждения в таких неоднородных средах, как смешанные молекулярные кристаллы, твердые растворы органических соединений в низкомолекулярных растворителях и полимерах, а также пористые матрицы, активированные сложными молекулами. Экспериментальные данные, полученные как в условиях стационарного возбуждения, так и с временным разрешением, анализируются в рамках различных подходов, используемых для описания транспорта энергии в неупорядоченных системах.

Рассматриваются наполненные атомами K, Rb, Cs однослойные углеродные нанотрубки, у которых каждые десять атомов углерода захватывают один электрон легирующих атомов. Предполагается, что положительный заряд в объеме нанотрубки и отрицательный на ее поверхности распределены равномерно, так что потенциальная энергия электрона проводимости внутри нанотрубки квадратично зависит от расстояния до ее центра. В одноэлектронном приближении получена зависимость квазиимпульса Ферми электронов проводимости внутри нанотрубки от их объемной плотности и радиуса трубки для произвольного числа подзон поперечного движения. По формуле Ландауэра рассчитана зависимость проводимости металлической подсистемы нанотрубки от ее радиуса. Работа поддержана грантом Ф97-246 Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований.

Исследовались натриево-кальциевые силикатные стекла, имплантированные ионами Ag+ c энергией 60 keV и дозой 7·1016 cm-2 при плотности ионного тока 10 muA/cm2. Ионная имплантация позволяет синтезировать в приповерхностной области стекла композиционный слой, включающий в себя наночастицы серебра, который, однако, характеризуется высокой неоднородностью распределения данных частиц по размерам в зависимости от глубины залегания. Исследуется воздействие мощного импульсного эксимерного лазера на полученный композиционный слой. Обнаружено, что лазерное облучение ведет к уменьшению размеров серебряных наночастиц в имплантированном слое, однако неоднородное распределение частиц по размерам с глубиной, хотя и не столь широкое, как до облучения, сохраняется. Экспериментальные результаты объясняются эффектами плавления стекла и металлических частиц в наносекундном интервале времен. Выражаем благодарность Научному фонду им. Александра Гумбольдта (Германия) за финансовую поддержку А.Л. Степанова в Германии и Российскому фонду фундаментальных исследований (проекты N 99-02-17767 и 00-15-96615). В.Н. Попок выражает благодарность Шведскому национальному научно-исследовательскому совету (SNFR) за поддержку научных исследований в Университете Гетеборга и Техническом университете Чалмерса.