Исследовано поведение кремниевых детекторов частиц, облученных электронами с энергией 2.5 МэВ, при отжиге. Обнаружено, что отжиг при 100-250oC приводит к образованию двух ловушек с уровнями Ec-0.32 эВ и Ev+0.29 эВ. При повышении температуры отжига до 300oC обе ловушки исчезают. Наосновании полученных данных сделан вывод о том, что обнаруженные ловушки связаны с водородосодержащими комплексами. Результатом наличия водорода в кристалле явилось понижение температуры отжига комплексов вакансия--кислород (VO) и <межузельный углерод>--<межузельный кислород>(CiOi). Причина этого эффекта связана с пассивацией этих комплексов водородом, с образованием электрически активного центра VOH (уровень Ec-0.32 эВ) на одной из промежуточных стадий этого процесса. Предполагается, что водород попал в исследованные структуры во время одной из технологических операций их изготовления.

Рассматриваются конструктивно-технологические проблемы при создании структур полупроводниковых вертикально излучающих лазеров снепроводящими распределенными брэгговскими отражателями, полученныx методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Вертикально излучающие лазеры сактивной областью сформированы на основе квантовых ям InGaAs, с нижним полупроводниковым и верхним оксидированным брэгговскими отражателями при диаметре оксидированной апертуры 7--12 мкм. Приборы демонстрируют лазерную генерацию внепрерывном режиме при комнатной температуре спороговыми токами 0.5--1.5 мА, дифференциальной эффективностью до 0.5 мВт/мА и максимальной выходной мощностью до 3 мВт.

Квантово-химическим неэмпирическим методом ССП МО ЛКАО исследовано влияние индия и алюминия на свойства дефектного комплексаAsGa (мышьяк, замещающий галлий вузле кристаллической решетки) вквантовых точках на основе арсенида галлия. Показано, что дефектAsGa может существовать встабильном и метастабильном состояниях. Увеличение содержания индия или алюминия повышает вероятность формирования дефектаAsGa встабильном состоянии, причем данный эффект сильнее проявляется при введении вквантовые точки атомов индия. Энергия активации перехода между стабильным и метастабильным состояниями варьируется от0.886 до2.049 эВ взависимости от стехиометрического состава квантовых точек. Возникновение дефектаAsGa приводит кпоявлению взапрещенной зоне двух глубоких уровней.

С использованием метода температурного градиента и беспрессовых аппаратов высокого давления в присутствии растворителей--катализаторов (никель, железо) выращены монокристаллы синтетических алмазов. Для установления природы примесно-дефектных комплексов использовались оптические методы--- пропускание, люминесценция и регистрация спектров возбуждения люминесценции. Исследования проведены на кристаллах как непосредственно после выращивания, так и после термической обработки при температуре T~ 2000-2200 K и давлении P~ 6.0-6.5 ГПа. Разные полосы люминесценции и поглощения отнесены к примесным центрам, содержащим атомы азота и никеля.

Исследованы энергетические и кинетические характеристики просветления кварцевых золь--гель-стекол, содержащих наночастицы селенида меди различной стехиометрии. Установлена зависимость нелинейно-оптических свойств образцов стекол от химического состава частиц селенида меди, определяющего появление и спектральное положение дополнительной полосы поглощения в ближней инфракрасной области спектра. Сосдвигом максимума полосы поглощения в низкоэнергетическую область спектра время релаксации просветления увеличивается, а пиковое поперечное сечение поглощения уменьшается.

Получены стекла, содержащие наночастицы полупроводниковых соединений состава CuInSe2xTe2(1-x) (0=<q x=<q 1) путем высокотемпературного плавления смесей компонентов матрицы стекла и соответствующих соединений. Образуются частицы со средним размером 15-30 нм, характеристики которых подобны для соединений с разнымx. Изучено оптическое поглощение стекол в области фундаментального края в ближней инфракрасной и в видимой областях спектра, а также влияние на оптические свойства дополнительной термообработки стекол. Природа наблюдаемых изменений спектров при вариации состава соединений (соотношения [Se]/[Te]) связывается с возможными трансформациями кристаллической структуры наночастиц.

Предложена конструкция и технология изготовления матриц вертикально-излучающих лазеров с нижним полупроводниковым AlGaAs/GaAs и верхним AlGaO/GaAs распределенными брэгговскими отражателями. Реализованы матрицы, содержащие 8x 8 лазеров с активной областью на основе двух квантовых ям InGaAs. На индивидуальных излучающих элементах при диаметре окисленной апертуры 8--10 мкм получена лазерная генерация на длинах волн 960--965 нм в непрерывном режиме при комнатной температуре с пороговыми токами 1.0--2.5 мА, дифференциальной эффективностью до 0.4 мВт/мА и максимальной выходной мощностью более2 мВт.

Легированные эрбием алюмооксидные пленки с встроенными кремниевыми наночастицами получены магнетронным распылением композитной мишени (Al+Er2O3+Si) иих последующим электрохимическим анодированием при комнатной температуре. Спектры фотолюминесценции пленок измеряли в диапазоне температур 4.2-300 K. Наблюдалась эффективная фотолюминесценция на длине волны1.54 мкм без предварительного отжига образцов, что указывает на возможность активации ионов Er3+ без использования высокотемпературных операций. Алюмооксидные пленки со встроенными кремниевыми наночастицами продемонстрировали более сильную фотолюминесценцию на длине волны 1.54 мкм по сравнению с подобными пленками без кремниевых наночастиц. Этот эффект можно объяснить дополнительной накачкой эрбиевых люминесцентных центров с передачей энергии от кремниевых наночастиц.

Исследовались кремниевые диоды с p+-n-переходом, облученные быстрыми электронами (энергия E=3.5 МэВ, флюенс Phi=4·1016 см-2). Индуктивность диодов(L) измерялась на частоте f=1 МГц при амплитуде переменного тока0.25 мА. Одновременно с измерениемL на переменном токе через включенный в прямом направлении диод пропускался постоянный ток, что приводило к инжекции в базу неосновных носителей заряда. Для выяснения механизмов возникновения импеданса индуктивного типа в облученных диодах с p+-n-переходом, а также для идентификации основных радиационных дефектов, непосредственно принимающих участие в его возникновении, был проведен изохронный отжиг в диапазоне температур Ta=225-375oC с последующим исследованием основных характеристик дефектов методом нестационарной емкостной спектроскопии(DLTS). Показано, что импеданс индуктивного типа в облученных диодах определяется процессами захвата и удержания инжектированных в базу носителей заряда на центрах прилипания в течение времени~1/2f, т. е. полупериода колебаний. Показано также, что центрами прилипания являются комплексы вакансия--кислород, вводимые облучением. PACS:85.30.Kk, 73.40.Lq, 71.55.Cn, 61.80.Fe

Стресс-тестирование как инструмент управления рисками в коммерческом банке // Актуальные проблемы современной экономики: Материалы респ. конф. молодых ученых, Минск, 25 нояб. 2005 г. / Белорус. гос. экон. ун-т.- Минск, 2006.- С. 34 – 35.