Исследована возможность получения микропучков рентгеновского излучения заданной интенсивности с помощью системы, содержащей рентгеновскую трубку с прострельным анодом и конусообразный стеклянный микрокапилляр.

Рассмотрено влияние многократных потерь и захватов электронов на процесс формирования прерывистых треков от высокоэнергетических ионов в кристаллах. Предлагаемая модель флуктуации заряда позволяет количественно оценить продольные размеры дефектов в прерывистом треке, в то время как расширенная модель термического пика, учитывающая кулоновское расталкивание, дает разумные значения для поперечных размеров дефектов.

Исследованы особенности бездифракционного распространения световых пучков в фоторефрактивных полупроводниках в условиях проявления эффекта Франца--Келдыша. Показано, что в таких материалах совместное влияние электрорефракции и электропоглощения приводит к формированию неоднородных пространственных солитонов, для которых направления распространения энергии и фазовой скорости различны. Установлена зависимость формы солитона от параметров фоторефрактивного полупроводника и величины внешнего электрического поля.

На основе модели, предполагающей ньютоновское вязкое течение под действием сил поверхностного натяжения, решена задача течения фосфоросиликатного и борофосфоросиликатного стекла в термостимулированном процессе планаризации рельефа микроэлектронных структур. Получены выражения для угла оплавления в зависимости от температурно-временных режимов термообработки и физических параметров стекол.

На основе применения интеграла Фурье построена приближенная теоретическая модель расчета полей отражения и преломления гауссова светового пучка на плоской границе раздела двух изотропных сред. Вблизи критического угла падения данная модель предсказывает наличие двух преломленных пучков, один из которых смещен вдоль границы на величину сдвига Гооса--Хенхен, причем для каждого из них имеют место кривизна фазовых фронтов и несовпадение эффективных направлений распространения энергии и фазы, как в анизотропной среде.

Исследованы фазовые превращения, происходящие в композации титан--кремний при лазерной обработке с lambda=1.06 mum в пентане и гексане. Показана зависимость образования карбида, оксидов и силицидов титана от параметров и условий обработки. Фазовые изменение исследовались по всей толщине пленки, изучалось их влияние на электрофизические параметры контакта титан--кремний.

Исследованы процессы формирования и деградации периодических фоторельефов на поверхности полимерных слоев с существенно различной температурой стеклования при изменяющейся температуре активации процесса. Установлено, что основным фактором, ограничивающим разрешающую способность периодических релаксационных фоторельефов на поверхности стеклообразных полимерных слоев, содержащих димеризующиеся производные антрацена, является наличие сдвиговых напряжений. Их действие ослабляется при термораспаде димеров, формирующем инвертированные рельефы более высоких пространственных частот. Показано, что повысить разрешение более чем на порядок можно, используя полимерную матрицу в высокоэластичном состоянии.

Исследованы структурные и фазовые превращения в пленках титана при обработке в азот-водородной плазме. Установлены закономерности формирования и роста нитрида титана в зависимости от параметров плазменного облучения. Определено удельное электросопротивление облученных пленок.

На основе вычислений в приближении дискретных диполей (Discrete-Dipole Approximation --- DDA) рассмотрены изменения оптических свойств сферической биполярной жидкокристаллической капли в результате изменения структуры поля директора капли под воздействием приложенного внешнего поля на основе модели вложенных эллипсоидов. Приведены графики для фактора эффективности ослабления и угловой структуры рассеяния для двух типичных случаев сильной и слабой зависимости оптических свойств капли от изменения структуры поля директора капли.

Проведен теоретический анализ электрических характеристик квантовых интерференционных T-транзисторов на материалах GaAs, InAs, InSb, Si с учетом зависимости эффективных масс от размеров квантовой проволоки. Показано, что при экстремально малых размерах проволоки ни один из материалов не будет иметь существенных преимуществ перед другими по частотным характеристикам исследованных транзисторов.