Найдено научных статей и публикаций: 314   
121.

Ковариантные дисперсионные уравнения и тензорные эволюционные операторы для оптических волноводов     

Новицкий А.В., Барковский Л.М. - Журнал Технической Физики , 2005
Операторный подход применен к решению уравнений Максвелла для последовательности круглых слоев, тензоры диэлектрической и магнитной проницаемости которых зависят от радиальной координаты. Это позволяет известный метод стратификации обобщить на цилиндрические структуры. Выводятся операторные дисперсионные уравнения для градиентных и многослойных ступенчатых изотропных круглых волокон. Получены численные решения дисперсионного уравнения для многослойного волновода, диэлектрическая проницаемость слоев которого имеет периодическую повторяемость.
122.

Осцилляции туннельного магнитосопротивления в структуре ферромагнетик/диэлектрик/ферромагнетик     

Игнатенко С.А., Данилюк А.Л., Борисенко В.Е. - Журнал Технической Физики , 2005
Разработана модель спин-зависимого транспорта электронов через структуру ферромагнетик/диэлектрик/ферромагнетик, учитывающая силы изображения, параметры туннельного барьера, эффективные массы туннелирующего электрона в барьере и ферромагнетике в рамках приближения свободных электронов. Расчеты, проведенные для структуры железо/оксид алюминия/железо, показывает, что туннельное магнитосопротивление с ростом прикладываемого напряжения монотонно убывает, а затем наблюдаются затухающие осцилляции, которые связаны с интерференцией волновых функций электронов в области проводимости потенциального барьера. Силы изображения увеличивают туннельное магнитосопротивление в 2-3 раза.
123.

Дифракция плоской электромагнитной волны на щели в проводящем экране произвольной толщины     

Сердюк В.М. - Журнал Технической Физики , 2005
На основе метода частичных областей построена двумерная теоретическая модель дифракции плоской электромагнитной волны на щели в идеально проводящем экране. При решении систем алгебраических уравнений для амплитуд мод щели использована процедура тихоновской регуляризации, что дало возможность расширить область применимости теории на проводящие экраны произвольной толщины, а также позволило значительно повысить точность решения для случаев, когда ширина щели и толщина экрана сравнимы с длиной волны дифрагирующего излучения. Показано, что не существует непрерывного предельного перехода от случая сколь угодно малой, но конечной толщины экрана к случаю бесконечно малой его толщины. Рассмотрены граничные условия для вектора потока энергии, вводится понятие энергетического потенциала, удобное для компьютерных расчетов линий тока энергии двумерных полей дифракции.
124.

Кинетика решеток заряда в фоторефрактивных кристаллах     

Гусак Н.А. - Журнал Технической Физики , 2006
Получены уравнения для концентраций заряда решетки и свободных носителей, порождаемых стоячей световой волной в анизотропном фоторефрактивном кристалле, и найдены их решения. Установлена зависимость величины заряда и электрического поля от ориентации решетки относительно кристаллографических осей среды. Показано, что кинетика решеток заряда определяется разностью двух экспонент с характерными временами, сумму которых можно трактовать как постоянную затухания решетки. Обнаружено существование трех областей значений времени максвелловской релаксации, отличающихся между собой характером поведения этой постоянной. Проанализирована кинетика решеток для некоторых кристаллов. PACS: 81.05.-t
125.

Моделирование работы ламинарной диффузионной камеры для исследования гомогенной нуклеации. i     

Бринь А.А., Фисенко С.П. - Журнал Технической Физики , 2006
Предложена новая математическая модель работы ламинарной диффузионной камеры, которая включает в себя гомогенное образование и рост частиц новой фазы. Проведено качественное исследование модели. Показано, что при численном моделировании важно корректно учитывать концентрационные и температурные зависимости коэффициентов переноса в парогазовой смеси. Найдены границы применимости предыдущих математических моделей ламинарной диффузионной камеры. PACS: 02.70.-c, 45.15.-x
126.

Моделирование работы ламинарной диффузионной камеры для исследования гомогенной нуклеации. II     

Бринь А.А., Фисенко С.П. - Журнал Технической Физики , 2006
Проведено численное исследование новой математической модели работы ламинарной диффузионной камеры (ЛДК). Подтверждены сделанные ранее качественные оценки о границах применимости стандартной математической модели. Обнаружено, что природа газа-носителя существенно влияет на объем зоны нуклеации в ЛДК. В частности, при прочих равных условиях для газа-носителя аргона объем зоны нуклеации на порядок выше, чем для газа-носителя гелия. Анализ экспериментов Vohra&Heist, основанный на использовании нашей математической модели, показал, что при относительно больших пересыщениях пара в ламинарной диффузионной камере важную роль играют нелинейные эффекты взаимодействия между растущими каплями. Отмечена роль образования локально-неоднородной структуры поля пересыщения вблизи капель в зоне нкулеации. PACS: 02.70.-c, 45.15.-x
127.

Проникновение магнитного поля в тонкую незамкнутую эллипсоидальную оболочку в присутствии проводящей толстостенной сферической оболочки     

Корзюк В.И., Шушкевич Г.Ч. - Журнал Технической Физики , 2006
Решение задачи о проникновении магнитного поля в идеально проводящую незамкнутую эллипсоидальную оболочку в присутствии проводящей толстостенной сферической оболочки сведено к решению интегрального уравнения Фредгольма второго рода. Численно исследовано влияние угла раствора незамкнутой эллипсоидальной оболочки, некоторых геометрических параметров экранов и электрофизических свойств материала сферической оболочки на коэффициент ослабления поля внутри эллипсоидальной оболочки. PACS: 41.20.-q
128.

Дифракция плоской электромагнитной волны на щели в проводящем экране с поперечным диэлектрическим слоем     

Сердюк В.М. - Журнал Технической Физики , 2006
Представлено строгое решение двумерной задачи дифракции плоской электромагнитной волны на щели в плоском идеально проводящем экране произвольной толщины с поперечным плоским бесконечным диэлектрическим слоем, проходящим через щель. В каждой из трех областей существования поля (полупространства по обе стороны от экрана и внутренность щели) решение представляется в виде разложения по кусочно-синусоидальным или экспоненциальным модам, изначально учитывающим отражение и преломление на границах диэлектрического слоя. Установлено, что система функций, описывающих такие моды является достаточно полной для построения решения, удовлетворяющего всем граничным условиям дифракционной задачи. Процедура построения такого решения сравнивается со случаем такой же дифракционной структуры, но без диэлектрического слоя. PACS: 41.20.Jb
129.

Генерация излучения на разностной частоте среднего и дальнего инфракрасных диапазонов в полупроводниковых волноводах на основе фосфида галлия     

Алешкин В.Я., Афоненко А.А., Дубинов А.А. - Журнал Технической Физики , 2006
Рассмотрена возможность эффективной генерации излучения на разностной частоте среднего и дальнего ИК-диапазонов при выполнении условия фазового синхронизма между волной нелинейной поляризации и разностной модой при распространении в полупроводниковом волноводе на основе фосфида галлия (GaP) двух фундаментальных мод в диапазоне 1 mum. В планарном волноводе с шириной 100 mum при мощностях коротковолновых мод 10 W мощность разностной моды может достигать до 300 muW в области частот 1-8 THz при комнатной температуре. При использовании подложки из кремния для структуры с GaP-волноводом мощность разностной моды при тех же условиях может достигать до 5 mW в области частот 10-14 THz. PACS: 42.55.Dx
130.

Структурные, магнитные и электрические свойства твердых растворов системы теллурид хрома--теллурид марганца     

Маковецкий Г.И., Галяс А.И., Янушкевич К.И. - Журнал "Физика Твердого Тела" , 1997
Дан анализ условий синтеза твердых растворов в квазибинарном разрезе CrTe--MnTe. Исследовано влияние катионного замещения на свойства синтезированных твердых растворов при измерении намагниченности, магнитной восприимчивости, электропроводности и коэффициента Зеебека в интервале температур 80--750 K.