Приведены температурные зависимости диэлектрической проницаемости и сопротивления на переменном токе соединений Cd1-xMnxTe (0=< x=< 0.7), из которых установлено, что дополнительная поляризация соединения обусловлена прыжковой перезарядкой дефектов структуры. Исследованы спектры электронного парамагнитного резонанса и отражения света для этих материалов. Предложена модель, описывающая термически активируемый рост диэлектрической проницаемости полупроводников. Определены основные характеристики и предложена микроскопическая модель структуры дефектов, прыжковая перезарядка которых приводит к росту диэлектрической проницаемости компенсированных полупроводников Cd1-xMnxTe.

Развивается модель двух центров для объяснения электронной структуры кислородных термодоноров в кремнии. В рамках теории эффективной массы проведен расчет энергетических уровней 2p-состояний однократно ионизованных термодоноров. Из сравнения результатов расчета с экспериментальными данными оценено расстояние между ядрами атомов пары, которое равно 0.75/0.95 нм для первых трех видов термодоноров (TDD1--TDD3) и 1.35/ 1.75 нм для четырех последующих (TDD4--TDD7).

В интервале температур 4.2-300K в области края фундаментального поглощения исследованы люминесценция и пропускание монокристаллов диарсенида цинка. При низких температурах обнаружены интенсивные линии люминесценции и поглощения 1.0384 и 1.0488, 1.0507эВ, относящиеся к основному (n=1) и возбужденным (n=2, n=3) состояниям свободного экситона. На основании водородоподобной модели определена энергия связи свободного экситона ~13.9мэВ и ширина прямой запрещенной зоны, составившая 1.0523, 1.0459 и 0.9795эВ при 4.2, 78 и 300K соответственно.

Исследована структура валентной зоны в точкеGamma зоны Бриллюэна пленок Cu(In,Ga)Se2 на основе данных интерференционной спектрофотометрии и анализа структуры краевого поглощения в рамках квазикубической модели p-d-гибридизации валентных зон в халькопиритных соединениях. Определены основные параметры квазикубической модели, связанные с расщеплением валентной зоны под действием тетрагонального поля кристаллической решетки (Deltacf), спин-орбитального взаимодействия (Deltaso) и степени подмешивания (гибридизации) d-состояний меди к верхним p-уровням халькогена в халькопиритных пленках Cu(In,Ga)Se2. Установлена зависимость прямых разрешенных переходов EA, EB, EC от состава твердых растворов CuInxGa1-xSe2 (0=< x=<1).

Установлено, что химическое травление пористого кремния в HF приводит к существенному изменению его вольт-амперных характеристик и параметров фотолюминесценции. Результаты исследования могут быть использованы для повышения эффективности электролюминесценции структур In--<пористый Si>--Al за счет повышения уровня инжекции неосновных носителей, реализации режима двойной инжекции и высокой скорости поверхностной рекомбинации в приповерхностной области пористого Si.

Тонкие поликристаллические пленки CuInxGa1-xSe2 (0=< x=< 1) были получены импульсным лазерным испарением. Рассмотрены результаты измерений оптических свойств, поляризационных индикатрис фототока, спектральных зависимостей квантовой эффективности фотопреобразования структур In--p-CuInxGa1-xSe2. Обнаружен эффект окна в фоточувствительности и сделан вывод о возможности применения тонких пленок CuInxGa1-xSe2 в качестве фотопреобразователей солнечного излучения.

Методом лазерного осаждения были получены тонкие пленки твердых растворов CuIn(TexSe1-x)2, где 0

На кристаллах соединений CuGaS2, AgGaS2 и твердых растворов на их основе исследованы спектры ИК отражения и спектры комбинационного рассеяния в поляризованном свете. Определены значения частот продольных и поперечных оптических фононов, коэффициенты затухания, ИК интенсивности, varepsilon0 иvarepsilonбесконечность. Построены концентрационные зависимости указанных параметров и установлен характер поведения оптических колебаний в твердых растворах.

На монокристаллах тройных соединений CuIn5S8, AgIn5S8 и их твердых растворов исследованы электрические свойства, спектры фотолюминисценции. Определены: тип проводимости, подвижность, концентрации носителей заряда и энергии излучательных переходов в этих материалах. На основе монокристаллов изготовлены поверхностно-барьерные структуры и измерена вольтовая фоточувствительность.

Показано, что при высоких плотностях однофотонного возбуждения неоднородное распределение неравновесных носителей по глубине оказывает сильное влияние на соотношение интенсивностей различных полос и может приводит к практически полному подавлению полос электронно-дырочной плазмы в спектрах краевого излучения кристаллов. Оценена величина разлета неравновесной электронно-дырочной плазмы.