Приведены зависимости диэлектрической проницаемости и проводимости соединений Cd1-xFexTe (0< x=< 0.03) от температуры и частоты измерений. Установлено, что атомы Fe располагаются коррелированным образом в подрешетке Cd.

Развита электростатическая модель сужения энергетической щели varepsilon2 между зонами Хаббарда (A0- и A+-зонами) с ростом концентрации акцепторов N=N0+N-1+N+1 и с ростом степени их компенсацииK донорами при N-1~ KN. Учтено экранирование ионов примесей прыгающими по акцепторам дырками. Показано, что этот эффект приводит к сдвигу A0-зон к валентной зоне, A+-зон--- к зоне проводимости. Концентрация прыгающих в A+-зоне дырок N+1N0/N определяется энергией их термической генерации varepsilon2 из A0-зоны. Рассчитанные для Si : B значения varepsilon2 согласуются с экспериментальными данными.

Развита электростатическая модель зависимости термической энергии ионизации водородоподобных примесей E1 от их концентрации N и степени компенсации K при учете экранирования ионов прыгающими по примесям электронами (дырками). Показано, что изменение E1 с ростом N и K связано с уширением примесной зоны и сдвигом ее к валентной (v) зоне для акцепторов и зоне проводимости (c) для доноров. Сдвиг примесной зоны объясняется уменьшением энергии сродства ионизированного акцептора к дырке (донора к электрону) из-за экранирования ионов. Плотность распределения ионов примеси по кристаллу считалась пуассоновской, а по энергии--- нормальной. Плотности электронных состояний в v- и c-зонах для интервала температур определения E1 принимались как у нелегированного кристалла. Рассчитанные по предложенным формулам значения E1(N,K) согласуются с известными экспериментальными данными для трансмутационно легированных кристаллов Ge. Дано описание зависимости от N и K термической энергии ионизации атомов Zn в p-Ge при переходе их из зарядового состояния (-1) в (-2).

Исследована динамика отражательной способности жидкой фазы кремния на длине волны 0.63 мкм в условиях моноимпульсного нагрева поверхности полупроводника ультрафиолетовым излучением ArF эксимерного лазера. Установленa зависимость коэффициента отражения в момент наибольшего нагрева поверхности от плотности энергии в лазерном импульсе. Показано, что температурное снижение отражательной способности расплава наиболее выражено при нагреве поверхности значительно выше равновесной точки кипения кремния. Возможный перегрев жидкой фазы вблизи энергетического порога абляции составляет около1500 K.

Исследовано нелинейное поглощение света в сильно легированном вырожденном n-GaAs в спектральной области вблизи края фундаментального поглощения. На основе квазиклассической модели флуктуационных уровней проанализирован относительный вклад в нелинейное поглощение эффектов заполенения состояний, сужения запрещенной зоны и экранирования хвостов плотности состояний неравновесными носителями. Показано, что наблюдаемое в эксперименте просветление в основном обусловлено заполнением состояний фотовозбужденными носителями.

Приведены результаты теоретического исследования предельных параметров (рабочей температуры, граничной частоты) и вольт-амперной характеристики одноэлектронных транзисторов на основе различных соединений металлов (Al/AlOx/Al, Al/SiO2/Al, Au/Al2O3/Au, Nb/Al2O3/Nb, Ti/TiOx/Ti, Cr/Cr2O3/Cr, Nb/NbOx/Nb). Сформулированы рекомендации по выбору материалоов и размеров структуры, которые могут использоваться на практике. Расчеты характеристик проводились с использованием созданного комплекса программ моделирования структур на эффекте одноэлектронного туннелирования SET-NANODEV по разработанным методике оценки предельных характеристик и двумерной численной модели металлического одноэлектронного транзистора.

Исследован процесс образования малых кислородных кластеров при температурах T=280-375oC в кристаллическом кремнии, легированном водородом путем высокотемпературной диффузии. Установлено, что присутствие водорода в концентрациях 1015-1016 см-3 приводит к существенному возрастанию (до 106раз при T=< 300oC) коэффициента диффузии кислорода в кристаллах Si. Обсуждаются возможные механизмы взаимодействия примесных атомов O и H и причины ускоренной водородом диффузии кислорода в кремнии.

Исследованы температурные зависимости концентрации носителей заряда в кристаллах кремния n-типа проводимости, выращенных по методу Чохральского и облученных гамма-квантами 60Co. Проведен анализ применимости модели моновалентного дефекта с уровнем вблизи Ec-0.17 эВ для описания свойств A-центра в кристаллах n-Si. Показано, что модель не согласуется с имеющимися экспериментальными данными. Высказано предположение, что A-центр имеет в верхней половине запрещенной зоны два уровня: акцепторный вблизи Ec-0.16 эВ и донорный вблизи Ec-0.20 эВ. Это предположение согласуется с данными, полученными с использованием магнитно-спектроскопических методов.

Представлены результаты исследований температурных и частотных зависимостей диэлектрической проницаемости полумагнитных полупроводников Cd1-xFexSe (x=0.05,0.105,0.14). В области частот f

Проведены мессбауэровские исследования на 119Sn полупроводников PbTeSnSe и GeSnTe в интервале температур 5-240 K. Анализ температурной зависимости квадрупольного расщепления мессбауэровских спектров образцов в цикле охлаждение--нагревание подтвердил наличие нецентральных атомов в полупроводниках.