Исследованы физико-химические характеристики поликристаллических образцов на основе ультрадисперсных алмазов (УДА), полученных в условиях высоких статических давлений и в результате вакуумной термообработки. Показано, что свойства поликристаллов зависят от условий и режимов спекания, а также от модифицирования исходных порошков. Модифицирование порошков УДА металлами (Co, Ti) повышает механическую прочность полученных компактов, способствует достижению оптимальных характеристик при более низких температурах термобарической обработки и улучшает структуру образцов. В результате исследований продуктов вакуумной термообработки УДА установлено существенное различие микротвердости компактов и отдельных частиц, образующихся при термообработке. Работа финансировалась Государственной научно-технической программой \glqq Алмаз\grqq (задание 2.32).

Развиты две электростатические модели, позволяющие рассчитать критическую концентрацию водородоподобных примесей в трехмерных кристаллических полупроводниках, соответствующую фазовому переходу изолятор--металл и переходу металл--изолятор в пределе нулевой температуры. Переход изолятор--металл определяется по расходимости статической диэлектрической проницаемости слабо компенсированных полупроводников при увеличении концентрации поляризуемых примесей до критической. Переход металл--изолятор соответствует расходимости электрического сопротивления на постоянном токе сильно легированных полупроводников при увеличении степени компенсации основной примеси (или уменьшении ее концентрации). Критической концентрации примеси отвечает совпадение уровня протекания для основных носителей заряда с уровнем Ферми. Результаты расчетов, проведенных в рамках предложенных моделей, согласуются с экспериментальными данными для кристаллов кремния и германия n- и p-типов в широком диапазоне их степеней легирования и компенсации примесей. Работа поддержана Белорусским республиканским фондом фундаментальных исследований (грант N Ф01-199) и Российским фондом фундаментальных исследований (грант N 01-02-17813).

Приводится формализм метода линейных присоединенных слэтеровских орбиталей, реализованный в LDA + U приближении. Получены все выражения, необходимые для программной реализации данного метода, а также проведены расчеты электронной структуры ферромагнитных соединений типа MeB6 {Me=La, Gd}. Результаты работы могут быть использованы при анализе экспериментальных данных по исследованию гексаборидов редкоземельных элементов.

Проведено исследование магнитных свойств и электропроводности твердых растворов La1-xSrxCo1-x/2Nbx/2O3, в которых ионы кобальта находятся в трехвалентном состоянии. Обнаружено, что данные твердые растворы являются спиновыми стеклами с Tf~25 K. Ферромагнитная компонента наиболее ярко выражена в составе с x=0.15. Электропроводность уменьшается с ростом содержания стронция. Результаты объясняются в модели, согласно которой ионы кобальта вблизи ионов стронция находятся в промежуточном спиновом состоянии и сверхобменное взаимодействие Co3+--O--Co3+ является ферромагнитным вследствие локальных динамических орбитальных корреляций. Работа выполнена при поддержке Фонда фундаментальных исследований Белоруссии (проекты N Ф05-179, Ф05К-012) и Государственного комитета по научным исследованиям (Польша) (грант N 1 Р03В 038 27). PACS: 75.50.Lk, 75.30.Et

Приводятся результаты магнитооптических исследований спиновой переориентации Gamma2-Gamma4 в монокристалле Sm0.6Tb0.2Tm0.2FeO3. Найдены значения магнитооптических параметров с учетом дихроизма, определена ориентация вектора антиферромагнетизма в зависимости от поля и температуры в угловой фазе. Обработка результатов дала возможность определить значения полей магнитной анизотропии. Проведена оценка ориентационного вклада в двупреломление. PACS: 75.30.Gw, 78.20.Ls

Проанализирован вклад акустоэлектронного взаимодействия в развитие стримерных разрядов для модельной среды --- кристаллов CdS --- и установлены закономерности анизотропии эффекта фокусировки неравновесных фононов, вытекающие из исследования поверхностей рефракции шестого порядка и обусловливающие детерминированность (привязку) отдельных фононных мод к ориентации стримеров разного типа. Показана необходимость учета при этом нелинейных эффектов, в первую очередь влияния сильного электрического поля, точности измерения используемых в расчете данных и влияния на них различных внешних факторов, а также анализа более информативных поверхностей лучевых скоростей. PACS: 72.50.+b, 43.50.+d

На монокристаллах тройных соединений CuInS2, CuInSe2 и твердых растворах CuInS2xSe2(1-x), выращенных методом химических транспортных реакций, исследованы спектры отражения в инфракрасной области и спектры комбинационного рассеяния света. Определены значения частот оптических колебаний в указанных материалах и установлен характер их поведения в твердых растворах.

Методом Монте-Карло моделируется перенос двумерных (2D) электронов в инверсионном слое кремния в диапазоне температур 4.2/40 K, когда имеет место электрический квантовый предел и заселена только одна нижайшая подзона. При этом учитываются два механизма рассеяния--- на удаленных ионизированных примесях и шероховатостях поверхности, а также их зависимость от поляризуемости 2D электронного газа. Рассчитаны подвижность и коэффициент теплых электронов в слабых электрических полях. Полученные данные сравниваются с результатами, известными в литературе.

Приведены результаты комплексного исследования люминесцентных свойств монокристаллов диселенида меди--алюминия CuAlSe2. Обнаружено, что спектр люминесценции нелегированных монокристаллов соединения гомогенного состава имеет сложную структуру. Путем отжига в различных атмосферах осуществлена модификация люминесцентных свойств. Анализируется природа излучательных переходов в данном полупроводнике.

С использованием высокочувствительного метода нейтронно-активационного анализа проведено исследование примесного состава в пластинах арсенида галлия. Определен уровень содержания в них Se, Cr, Ag, Fe, Zn, Co и Sb, а также вариации содержания этих примесей для различных партий пластин. Показаны возможности использования нейтронно-активационного анализа в сочетании с послойным химическим травлением для изучения объемного распределения примесных элементов в полупроводниковых структурах на основе арсенида галлия.