Исследованы индуцированные наносекундными лазерными испульсами фотоэлектрические явления и ориентационная нелинейность в планарных слоях жидких кристаллов, ориентированных моноокисью кремния, активированных добавками полиметиновых красителей. Явления обусловлены фотогенерацией поверхностных и объемных зарядов в жидкокристаллической ячейке, пространственным распределением последних в направлениях вектора решетки и распространения луча и электрогидродинамической неустойчивостью.

Изучено влияние термического отжига на свойства углеродных пленок, осажденных на никелевых электродах электрохимическим методом. Показано, что отжиг при температуре 300oC приводит к образованию наноразмерных кластеров алмаза. При увеличении температуры отжига размеры алмазных кластеров уменьшаются. При температуре отжига 900oC весь углерод взаимодействует с никелем, образуя карбид никеля.

Проведено численное моделирование процессов плавления и кристаллизации монокристаллического кремния при воздействии на его поверхность наносекундного излучения рубинового лазера с учетом кинетики фазовых превращений на основе уравнения Колмогорова. Для описания фазовых переходов привлекался двухмерный механизм зародышеобразования и роста новой фазы. Показано, что временные зависимости степени перегрева монокристалла и переохлаждения жидкой фазы соответственно на стадиях плавления и кристаллизации кремния носят немонотонный характер и определяются кинетикой фазовых превращений. Максимальные значения степени перегрева и переохлаждения составляют ~100 K.

Природные алмазы типа IIa исследовались методами фотопроводимости на сверхвысоких частотах и постоянном токе, оптического поглощения при нормальных условиях, а также тока фотоэмиссии в вакуум (~ 10-5 Pa). Предложена модель СВЧ фотопроводимости алмаза (материала с отрицательным электронным сродством поверхности к электрону), учитывающая как внутренний, так и внешний фотоэффект.

Методами электронографии и электронной оже-спектроскопии исследованы фазовые превращения в системе титан-кремний при обработке в азотводородной плазме. Определены оптимальные режимы формирования тонких пленок TiN на кремнии. Показано, что имеют место уменьшение высоты барьера Шоттки и увеличение практически на порядок пробивного напряжения контактов, обработанных азотводородной плазмой, по сравнению с исходными образцами. Установлены зависимости электрофизических свойств контактов от параметров обработки азотводородной плазмой.

Предложена простая и эффективная самосогласованная схема определения средних потенциалов, позволяющая при небольших затратах машинного времени вычислять термодинамические функции и другие равновесные характеристики решеточных систем с высокой точностью. Эта схема использована для анализа выражений для коэффициентов диффузии и электропроводности, полученных на основе современной статистической теории неравновесных процессов. Результаты вычислений сопоставляются с данными моделирования по методу Монте-Карло, полученными с помощью параллельных векторных алгоритмов на ЭВМ Крэй ТЗЕ общества Макса Планка (Германия).

Проведено численное моделирование фазовых переходов в арсениде галлия при комбинированном лазерном воздействии наносекундного импульса, инициирующего плавление, и дополнительного излучения неодимового лазера, позволяющего управлять скоростью движения границы раздела фаз. Показано, что при встречной геометрии воздействующих потоков лазерного излучения из-за сильной температурной зависимости коэффициент поглощения на длине волны 1.06 mum на межфазной границе возникает волна прогрева, которая затем отрывается от фронта плавления и, распространяясь навстречу излучению неодимового лазера, экранирует расплав. В случае попутной геометрии воздействия могут существовать режимы, при которых временная зависимость глубины распространения расплава имеет немонотонный характер.

Проанализирована зависимость концентрации свободных носителей заряда от интенсивности света для двух возможных типов кристаллов, в одном из которых фоторефрактивные центры являются ловушками, а во втором --- донорами. Выяснены условия, при которых эта зависимость становится сублинейной при сравнительно невысоких уровнях интенсивности света.

Представлены результаты исследований поверхности и поверхностного слоя тонких пленок неоднородных сплавов CoxCu100-x, подвергнутых длительному (до 100 min) пучковому облучению ионами кислорода. Пленки получали электролитическим осаждением. Методами рентгеновской фотоэлектронной и конверсионной электронной мессбауэровской спектроскопии показано формирование в результате облучения окисленного поверхностного слоя, сплошность и толщина которого определяются степенью шероховатости исходного рельефа поверхности пленок. Установлено, что для пленок с содержанием кобальта 8=< x=< 20 at% окисленный слой является сплошным, неоднородным по толщине со средней толщиной, оцениваемой в десятки нанометров с отчетливой границей перехода между окисленным слоем и нижележащей пленкой. Исследуемые пленки после облучения имели более планарный, чем в исходном состоянии, рельеф поверхности. Для описания процесса формирования окисленного слоя предложена качественная модель.

Исследовано влияние ультрафиолетового облучения при термической обработке на контакт цирконий--кремний. Определено, что изменение фазового состава контакта обусловливает изменение электрофизических параметров. Применение комбинированной обработки позволяет формировать выпрямляющий контакт цирконий--кремний с определенными, заранее заданными электрофизическими параметрами.