Предложена модель переноса носителей заряда в наноразмерных периодических структурах Si/CaF2 с участием ловушек в диэлектрике. Моделирование вольт-амперных характеристик таких структур показало, что участие ловушек в токопереносе на 2--3 порядка увеличивает общий переносимый заряд и может стать причиной немонотонной вольт-амперной характеристики. При этом на величину переноса по уровням ловушек оказывают влияние положение энергетического уровня, соответствующего ловушкам, число состояний в ловушке на траектории движения носителей заряда, величина отклонения траектории движения от прямолинейной, толщина диэлектрика и высота потенциального барьера.

Описаны три приближения для учета влияния фонового заряда на "островке" в предложенной двумерной численной модели металлического одноэлектронного транзистора. С их использованием можно получить хорошее согласование с экспериментом при расчете вольт-амперных характеристик одноэлектронных транзисторов по разработанной модели в самых разнообразных случаях. Показана эффективность применения приближений на конкретных примерах расчета вольт-амперных характеристик транзисторов.

Методами катодолюминесценции и отражения света исследована зависимость оптической ширины запрещенной зоны полупроводниковых соединений Zn1-xMnxTe и Cd1-xMnxTe. Установлено, что в соединениях Zn1-xMnxTe в области x=<sssim 0.2 появляется дополнительное уширение запрещенной зоны на величину около0.08 эВ, связанное с наличием в монокристаллах высокой концентрации дефектов межузельного типа. При x>~= 0.3 вероятность существования этих дефектов существенно уменьшается, что связано с искажением тетраэдров кристаллической решетки Zn1-xMnxTe атомамиMn, входящими в состав каждого из тетраэдров.

Рассмотрена нелинейная генерация разностной гармоники в инжекционном полупроводниковом лазере. Предложена конструкция лазера на основе гетероструктуры InGaP/GaAs/InGaAs, обеспечивающая генерацию двух лазерных мод в диапазоне1 мкм и разностной моды в диапазоне10 мкм. Показано, что в лазере с шириной волновода100 мкм при мощностях коротковолновых мод~ 10 Вт мощность разностной моды может достигать~ 10 мВт.

Проведено теоретическое исследование вольт-амперных и частотных характеристик однозатворных интерференционных T-транзисторов на квантовых проволоках различных полупроводниковых материалов, а именноSi, Ge, GaAs, InAs, GaSb, InSb, GaP, InP. Осуществлен учет двух механизмов рассеяния в модели T-транзистора с целью оценки их влияния на электрические характеристики приборов. Адекватность предложенной модели проверена путем сравнения результатов моделирования с экспериментальными данными. Приведенные в работе расчеты выполнены с помощью подсистемы моделирования приборов на квантовых проволоках QW-NANODEV.

Предложена кинетическая модель переноса носителей заряда в периодических наноразмерных структурах Si/CaF2 по локализованным состояниям в диэлектрике. Показано, что возникновение встроенного электрического поля в диэлектрике в результате поляризации захваченного локализованными центрами заряда и последующий разряд этих центров объясняют гистерезис вольт-амперных характеристик при смене полярности приложенного внешнего напряжения и приводят к появлению участка отрицательного дифференциального сопротивления на этих характеристиках. Наиболее значимым фактором в появлении отрицательного дифференциального сопротивления в исследуемых структурах является плотность носителей заряда на контактах и величина зарядового напряжения. При температуре ниже250 K участок отрицательного дифференциального сопротивления исчезает. Показано, что при экспериментальной регистрации вольт-амперных характеристик эффект от заряда--разряда локализованных центров должен уменьшаться при увеличении временного интервала измерения тока при постоянном напряжении и увеличении шага изменения приложенного напряжения и практически исчезает при20 с и0.6 В соответственно.

Выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs/AlGaAs-гетероструктуры с одиночными квантовыми ямами вблизи поверхности, антимодулированно легированныеSi, обработаны в водородной плазме при260oC и исследованы методами низкотемпературной фотолюминесценции, возбуждения фотолюминесценции и фотоотражения. Обнаружено гашение экситонной люминесценции из квантовой ямы при возбуждении ниже ширины запрещенной зоны AlGaAs вследствие усиления электрического поля в структуре. Эффект связан с откреплением уровня Ферми от середины запрещенной зоны специально не легированного верхнего слоя GaAs (p-типа) в результате пассивации водородом поверхностных состояний при отсутствии нейтрализации мелких примесей в слоях структуры (из-за распада комплексов с водородом в условиях освещения и наличия сильных электрических полей).

Предложена модель рекомбинации неравновесных носителей заряда в многослойных структурах нанокристаллический Si--диэлектрик. Установлено, что ограничение переноса носителей заряда через локализованные состояния в диэлектрике ведет к нелинейному росту интенсивности электролюминесценции с увеличением протекающего через структуру тока. Последующий переход этой зависимости в режим насыщения связан с возрастанием роли рекомбинации Оже при увеличении тока. Снижение вклада безызлучательного процесса Оже можно достичь увеличением концентрации наноразмерных кластеров в кремнии и числа периодов структуры. Показано, что одним из основных путей увеличения интенсивности электролюминесценции является увеличение концентрации дырок на инжектирующем их контакте.

Наоснове поликристаллических пленок твердых растворов CuIn1-xGaxSe2, полученных импульсным лазерным испарением исходных мишеней, впервые созданы солнечные элементы. Изучены вольт-амперные характеристики полученных солнечных элементов и определены их основные фотоэлектрические параметры. Установлена оптимальная концентрация галлия, обеспечивающая повышение эффективности фотопреобразования тонкопленочных солнечных элементов и пленок твердых растворов со структурой халькопирита.

Приведена методика фотоэлектрохимического C-V-профилирования концентрации основных и эффективного времен жизни неосновных носителей заряда ввысокоомных толстых (1.6 мм) пластинах GaAs после их геттерирования как односторонним, так и двухсторонним покрытием пленкой иттрия и последующей термообработкой при температурах 700 и 800oC. Показано, что распределения концентрации Nd-Na и эффективного времени жизни неосновных носителей заряда по толщине пластин достаточно однородны вобоих случаях. Данная методика позволяет измерять концентрацию носителей до 1012 см-3.