Методика измерений статической магнитной восприимчивости используется для изучения процессов локального магнитоупорядочения в кристаллах AIIIBV, содержащих примеси редких земель. Температурные и полевые зависимости статической магнитной восприимчивости демонстрируют слабый парамагнетизм при высоких температурах вследствие наличия в кристаллах AIIIBV(Ln) квазимолекулярных центров типа Ln2O3, внутри которых пары ионов Ln3+ антиферроупорядочены посредством обменного взаимодействия через валентные электроны кислорода. При низких температурах ключевую роль играет локализация электронов на мелких донорах, которая приводит через s-\kern-0.5ptf-обмен либо к парамагнетизму исследуемых кристаллов вследствие трансформации квазимолекул Ln2O3 из антиферро- в ферроупорядоченное состояние, либо к их суперпарамагнетизму в результате образования связанных спин-поляронов. Причем значения констант s-\kern-0.5ptf-обмена, определенные из температурных зависимостей статической магнитной восприимчивости, аномально велики, что, по-видимому, обусловлено эффективной компенсацией спиновых корреляций электрон-колебательным взаимодействием.
Баграев Н.Т., Романов В.В. Магнетизм кристаллов A IIIB V, легированных редкими землями // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1173

При T=82 и300 K в области межзонных переходов исследована электролюминесценция в Si--Ge-диодах при концентрации Ge в твердом растворе5.2%. Анализ спектров излучения, линейный характер зависимостей интенсивности электролюминесценции от тока, ее экспоненциальный спад указывают на экситонный механизм излучательной рекомбинации для излучательных переходов как с участием, так и без участия фононов.
Емельянов А.М., Соболев Н.А., Мельникова Т.М., Абросимов Н.В. Механизм излучательной рекомбинации втвердых растворах Si--Ge вобласти межзонных переходов // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1170

В образцах кристаллического кремния, анизотропия проводимости в которых создана одноосной деформацией сжатия, исследован плеохроизм вентильной фотоэдс. Использована поляризационная модуляция излучения, при которой возбуждение образца происходит линейно поляризованным светом с периодически изменяющимися относительно оптической оси поляризациями. Полученные таким образом спектральные характеристики представляют зависящую от коэффициента поглощения света поляризационную разность величин фотоэдс. Обнаружена сильная зависимость формы полученных спектров от типа p-n-переходов, отличающихся параметрами базы и технологическими способами получения эмиттеров. При анализе спектров показано, что условие физического дифференцирования по коэффициенту поглощения выполняется только в p-n-переходах с пренебрежимо малым значением толщины пространственного заряда.
Бережинский Л.И., Венгер Е.Ф., Матяш И.Е., Саченко А.В., Сердега Б.К. Особенности физического дифференцирования по коэффициенту поглощения света в спектрах вентильной фотоэдс // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1164

Исследовано магнитосопротивление слабо легированного сплава Ge1-xSix p-типа в области составов x=1-2 ат% и проведено сравнение с данными для слабо легированного p-Ge. Исследования проводились с помощью техники электронного парамагнитного резонанса на частоте 10 ГГц при температурах в диапазоне 10--120 K. Установлено, что наличие микронеоднородностей (кластеров) Si в решетке Ge подавляет интерференционную часть аномального магнитосопротивления, а также приводит к усреднению эффектов от легких и тяжелых дырок. Такое изменение свидетельствует о резком уменьшении времени неупругого рассеяния при переходе от Ge к твердому раствору Ge1-xSix.
Вейнгер А.И., Забродский А.Г., Тиснек Т.В. Низкотемпературное микроволновое магнитосопротивление слабо легированных p-Ge и сплава p-Ge1-xSix // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1159

-1 В твердом растворе n-Bi2Te2.7Se0.3 со значением термоэдс |S|=212 мкВ/K (при T~ 300 K) исследованы коэффициент Холла и термоэлектрические свойства при температурах 77--350 K. Вих поведении отмечены особенности, ранее установленные для образцов с меньшей концентрацией электроновN. Влияние особенностей на термоэлектрическую эффективность Z в этом случае более благоприятно: данный образец оказывается наиболее эффективным в интервале температур 120--340 K, среднее значение ZT составляет 0.71. Отмечено, что повышение концентрации N усиливает фактор, ответственный за уменьшение эффективной массы с ростом температуры, появляющееся при анализе данных в рамках однозонной параболической модели с N=const(T). Это позволяет полагать, что наиболее вероятной причиной необычного поведения свойств является сложная структура электронного спектра. Проведен расчет и получено хорошее согласие с экспериментом для температурных зависимостей кинетических коэффициентов двух образцов указанного состава с разной концентрацией электронов. Использованы двузонная модель электронного спектра и акустический механизм рассеяния, учтена непараболичность и анизотропия энергетического спектра легких электронов.
Константинов П.П., Прокофьева Л.В., Федоров М.И., Пшенай-Северин Д.А., Равич Ю.И., Компаниец В.В., Чистяков В.А. Кинетические коэффициенты n-Bi2Te2.7Se0.3 вдвузонной модели электронного спектра // ФТП, 2005, том 39, выпуск 9, Стр. 1059

Работа представляет исследования физических параметров нового пятикомпонентного полупроводникового твердого раствора HgCdMnZnTe. Показано, что рассматриваемый материал по своим параметрам может успешно конкурировать с HgCdTe--- основным материалом для фотоэлектроники в инфракрасных диапазонах 3-5 и8-14 мкм.
Горбатюк И.Н., Остапов С.Э., Дремлюженко С.Г., Заплитный Р.А., Фодчук И.М., Жихаревич В.В., Дейбук В.Г., Попенко Н.А., Иванченко И.В., Жигалов А.А., Карелин С.Ю. Исследование свойств Hg1-x-y-zCdxMnyZnzTe как нового материала оптоэлектроники дляинфракрасного диапазона // ФТП, 2005, том 39, выпуск 9, Стр. 1053

Спомощью нестационарной спектроскопии глубоких уровней проведены исследования электронных ловушек в слоях низкотемпературного GaAs толщиной~40 нм, содержащих наноразмерные кластеры As-Sb. Проведение измерений при различных напряжениях смещения и небольших величинах заполняющего импульса позволило выявить две группы ловушек T1 иT2 с заметно различающимися скоростями термической эмиссии электронов. Показано, что плотность ловушек T2 (энергия активации 0.56±0.04 эВ, сечение захвата электронов 2·10-13-10-12 см2) составляет~2·1012 см-2, тогда как плотность ловушекT1 (энергия активации 0.44±0.02 эВ, сечение захвата электронов 2·10-14-10-13 см2)--- на порядок ниже. Предполагается, что в соответствии с существованием двух групп кластеров, наблюдавшихся в исследуемых слоях, ловушкиT2 связаны с кластерами с диаметром 4-7 нм, тогда как ловушки T1--- с группой крупных кластеров с диаметром до~20 нм.
Брунков П.Н., Гуткин А.А., Чалдышев В.В., Берт Н.Н., Конников С.Г., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р. Ловушки для электронов втонких слоях низкотемпературного арсенида галлия снаноразмерными кластерами As-Sb // ФТП, 2005, том 39, выпуск 9, Стр. 1049

Рассматриваются неустойчивости продольных волн в безграничной полупроводниковой плазме с двумя типами носителей в предположении, что тепловая скорость электронов незначительно превышает тепловую скорость дырок. Основной результат работы заключается в том, что в собственных полупроводниках возникновение неустойчивости возможно при скоростях дрейфа электронов, меньших тепловой скорости. Изучены неустойчивости дрейфовых волн в собственных полупроводниках и в полупроводниках с одинаковыми плазменными частотами электронов и дырок, а также рассмотрено влияние диссипации на неустойчивость этих волн.
Булгаков А.А., Шрамкова О.В. Неустойчивость дрейфовых волн вдвухкомпонентной твердотельной плазме // ФТП, 2005, том 39, выпуск 9, Стр. 1043

В рамках теории функционала плотности, вбазисе локализованных орбиталей выполнен псевдопотенциальный расчет электронной структуры соединения ZnGeP2. Вычисленный для ультрафиолетовой области график мнимой части диэлектрической проницаемости хорошо согласуется с экспериментальными данными. Анализ прямых зона-зонных переходов позволяет интерпретировать генезис особенностей на графикахvarepsilon2.
Басалаев Ю.М., Гордиенко А.Б., Поплавной А.С. Оптические свойства кристаллов ZnGeP2 вультрафиолетовой области // ФТП, 2005, том 39, выпуск 9, Стр. 1040

Процесс самокомпенсации в кристаллах твердого раствора Cd0.95Zn0.05Te : Cl изучался путем отжигов монокристаллов под управляемым давлением пара Cd с последующим измерением эффекта Холла, фотолюминесценции, времени жизни и подвижности носителей заряда и памяти фототока в отожженных кристаллах. Врезультате отжигов были определены термические условия получения образцов с низкой проводимостью и малой концентрацией свободных носителей заряда (107-1011 см-3). Показано, что инверсия проводимости p-> n наблюдается в этих кристаллах при более высоких концентрациях свободных носителей заряда (n,p~109 см-3), а кривая зависимости концентрации электронов от давления кадмия более пологая, чем в кристаллах CdTe : Cl. Для объяснения полученных результатов привлечена модель самокомпенсации с участием заряженных собственных точечных дефектов акцепторов с глубоким уровнем. Сделано предположение, что этот уровень принадлежит вакансии цинка, сохраняющей активность при высоких давлениях кадмия.
Матвеев О.А., Терентьев А.И., Зеленина Н.К., Гуськов В.Н., Седов В.Е., Томасов А.А., Карпенко В.П. Точная самокомпенсация проводимости вкристалле Cd0.95Zn0.05Te : Cl вшироком интервале давлений параCd // ФТП, 2005, том 39, выпуск 9, Стр. 1034