Приводятся результаты экспериментального обнаружения и исследования автосолитонов с самопроизводством носителей заряда при ударной ионизации глубоких акцепторных уровней индия в кремнии в сильных электрических полях при температуре77 K. Врассматриваемой модели возбуждения автосолитонов роль активатора играет концентрация свободных носителей заряда, а роль ингибитора температура носителей. Существование автосолитонов определяется тем, что область высокой концентрации носителей в центре автосолитона не расплывается вследствие того, что диффузионный поток из центра автосолитона уравновешивается термодиффузионным.
Мусаев А.М. Ударно-ионизационные автосолитоны вкомпенсированном кремнии // ФТП, 2004, том 38, выпуск 9, Стр. 1030

Исследованы электропроводность, коэффициент Холла, термоэдс и проведен дифференциально-термический анализ в кристаллах Ag2Te вблизи и в области фазовых превращений в направлениях нагрева и охлаждения. Обнаружена большая петля гистерезиса. Результаты интерпретированы в рамках теории размытых фазовых превращений. Показано, что согласие экспериментальных данных с теорией достигается во втором приближении функции включенияL2(T) и ее производной по температуре dL2/dT.
Алиев С.А. Явление гистерезиса вAg2Te вблизи ивобласти фазового превращения // ФТП, 2004, том 38, выпуск 7, Стр. 830

Исследовано влияние одноосного давления до 8 кбар вдоль кристаллографических направлений [111] и [001] на спектры и поляризацию широкой полосы фотолюминесценции с максимумом при энергии фотонов 1.2 эВ в n-GaAs : S, связываемой с захватом электронов на комплекс VGaSAs. Зависимости поляризации излучения в полосе от энергии фотонов и температуры свидетельствуют о том, что исходно тригональная симметрия комплекса понижена и может быть моноклинной с плоскостью симметрии {011}. При этом дисторсии комплекса не переориентируются, а ось его излучающего оптического диполя примерно одинаково отклонена от направлений <111> и <001>, лежащих в плоскости симметрии. Выделение расщепившихся при одноосном давлении компонент полосы фотолюминесценции, основанное на использовании закономерностей пьезоспектроскопического поведения излучения анизотропных центров, подтверждает предлагаемую модель комплекса и показывает, что вклад ротатора в его излучение мал. Результаты сопоставляются с данными для аналогичного комплекса VGaTeAs и свидетельствуют о существенном изменении свойств комплексов вакансия--мелкий донор при замене одного донора VIгруппы другим.
Гуткин А.А., Рещиков М.А. Пьезоспектроскопическое исследование полосы излучения смаксимумом около1.2 эВ вn-GaAs : S // ФТП, 2004, том 38, выпуск 7, Стр. 825

Исследовалось распределение плотности тока по сечению образца с целью выяснения расположения продольного автосолитона в образце. Показано, что продольный автосолитон локализуется вдоль центральной оси образца или близко к ней. Установлено, что продольный автосолитон устойчив в широком интервале значений тока.
Камилов И.К., Степуренко А.А., Ковалев А.С. Локализация продольного автосолитона вантимониде индия // ФТП, 2004, том 38, выпуск 7, Стр. 822

Изучены изменение ширины и формы ЭПР линии азота в 4H-SiC в области концентраций, соответствующих фазовому переходу изолятор--металл. Показано, что спиновая релаксация в области прыжковой и металлической проводимости происходит на электрических мультиполях--- кластерах, размеры которых уменьшаются по мере увеличения концентрации примесных центров от достаточно больших до характерных межпримесных расстояний. Анализ температурных зависимостей сопротивления позволил оценить значение критической концентрации для фазового перехода изолятор--металл (ND-NA)c~ 1.5· 1019 см-3. Выявлены также значения других характерных концентраций, определяющих эффекты взаимодействия электронов в изученной системе.
Вейнгер А.И., Забродский А.Г., Тиснек Т.В., Мохов Е.Н. Особенности электронного парамагнитного резонанса в4H-SiC вобласти фазового перехода изолятор--металл. II.Анализ ширины и формы линий // ФТП, 2004, том 38, выпуск 7, Стр. 816

В диапазоне 77-300 K исследованы электрические и термоэлектрические свойства слабо легированного твердого раствора n-Bi2Te2.7Se0.3. Результаты сопоставляются с данными для сплава PbTe0.9Se0.1 с близкой величиной термоэдсS при84 K. Помимо более низкой теплопроводности, для Bi2Te2.7Se0.3 характерны более высокая электропроводностьsigma и ее значительно более слабая зависимость от температуры. Как следствие, коэффициент мощностиS2sigma в образцах с оптимальными свойствами начинает уменьшаться, лишь когда становится заметной концентрация неосновных носителей заряда. Величина|S| при этом значительно превосходит стандартное значение200 мкВ/K. Понижение концентрации электронов уменьшает термоэлектрическую эффективность(Z) в максимуме и незначительно снижает температуру максимума, поэтому ожидаемое влияние на среднюю величинуZ вдиапазоне77-300 K отсутствует. Аналогичные особенности наблюдаются и в Bi2Te2.88Se0.12, хотя выражены слабее. Экспериментальные результаты обсуждаются с учетом возможных изменений доминирующих механизмов рассеяния, концентрации подвижных носителей и энергетического спектра электронов.
Константинов П.П., Прокофьева Л.В., Равич Ю.И., Федоров М.И., Компаниец В.В. Особенности термоэлектрических свойств слабо легированных твердых растворов Bi2(TeSe)3 // ФТП, 2004, том 38, выпуск 7, Стр. 811

Установлено, что в кремнии, предварительно сильно легированном бором с помощью ионной имплантации, при последующей \glqq горячей\grqq имплантации азота имеет место аномально высокая концентрация электронов, которая может превышать концентрацию бора. Предложена модель этого явления, основанная на реакции вытеснения бора из узлов решетки собственными межузельными атомами кремния и последующего замещения атомами азота (донорными центрами).
Тетельбаум Д.И., Зорин Е.И., Лисенкова Н.В. Аномальная растворимость имплантированного азота вкремнии, сильно легированном бором // ФТП, 2004, том 38, выпуск 7, Стр. 808

Представлены результаты экспериментальных и модельных исследований электрофизических параметров и предельного положения уровня Ферми в металлургически и ядерно легированном InSb, облученном ионами водорода (10 МэВ, 2· 1016 см-2, 300 K). Показано, что предельные электрофизические параметры облученного InSb соответствуют материалу p-типа проводимости. Винтервале температур 20-500oC исследованы особенности отжига радиационных дефектов.
Брудный В.Н., Бойко В.М., Каменская И.В., Колин Н.Г. Электрофизические свойства ипредельное положение уровня Ферми вInSb, облученном протонами // ФТП, 2004, том 38, выпуск 7, Стр. 802

В магнитном полупроводнике CdCr2Se4 с различными концентрациями примесей Ga и вакансий Se (VSe) в интервале температур 10--300 K проведены комплексные исследования электропроводности и фотопроводимости в постоянных и переменных электрических полях, термостимулированной проводимости и фотоферромагнитного эффекта. Впервые обнаружено явление фотоиндуцированной прыжковой проводимости. Показано, что центрами, ответственными за фотоферромагнитный эффект, могут быть мелкие донорные уровни, обменивающиеся захваченными ими фотоэлектронами с магнитными ионами Cr3+. Вследствие такого обмена ионы Cr приобретают валентную и спиновую неустойчивости, приводящие к неравновесному захвату ими доменной стенки.
Абдуллаев А.А. Роль уровней прилипания неравновесных электронов впроцессе образования центров закрепления доменных стенок вмагнитном полупроводнике CdCr2Se4 // ФТП, 2004, том 38, выпуск 7, Стр. 796

Изучено влияние облучения электронами на формирование термодоноров в кремнии. Обнаружено образование областей n- иp-типа проводимости в объеме монокристаллического кремния, облученного электронами и отожженного при температуре450oC. Концентрации носителей в областях обоих типов проводимости возрастают с увеличением дозы облучения и времени отжига, что говорит о формировании не только термодоноров, но и термоакцепторов. Неоднородность распределения акцепторных и донорных центров коррелирует с флуктуациями в концентрации кислорода в кремнии.
Неустроев Е.П., Смагулова С.А., Антонова И.В., Сафронов Л.Н. Формирование электрически активных центров в кремнии, облученном электронами, винтервале температур 400-700o C // ФТП, 2004, том 38, выпуск 7, Стр. 791