Показано, что влияние на спектр люминесценции легирующих примесей определяется типом проводимости исходных кристалловGaN. Эффект сенсибилизации излучения наблюдается в вюртцитных кристаллахGaN с p-типом проводимости при легированииEr. Такой же эффект наблюдался в таких кристаллах ранее при легированииEu, Zn. Вкристаллах GaN с n-типом проводимости, последовательно легированныхEu, Zn, Er, наблюдается излучение в видимой (lambda=360-440, 530-560 нм) и инфракрасной областях (lambda=1.54 мкм) спектра. PACS: 78.55.Cr, 61.72.Vv
Мездрогина М.М., Криволапчук В.В., Петров В.Н., Родин С.Н., Черенков А.В. Влияние дополнительно введенных примесейZn иEu навид спектров фотолюминесценции кристалловGaN, легированныхEr // ФТП, 2006, том 40, выпуск 12, Стр. 1412

Методом нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней исследована зависимость концентрации радиационных дефектов донорного и акцепторного типов от времени облучения потоками beta-частиц малой интенсивности (I~9·105 см-2·с-1). Обнаружены немонотонные изменения концентраций дефектовCi, Ci-Cs и(или) V-O для кристаллов n-типа проводимости, а также V-B, Ci-Oi и(или) V2-O-C для кристаллов p-типа. PACS: 61.72.Ji, 61.72.Ss, 61.80.Fe
Бадылевич М.В., Блохин И.В., Головин Ю.И., Дмитриевский А.А., Карцев С.В., Сучкова Н.Ю., Толотаев М.Ю. Немонотонные изменения концентрации радиационных дефектов донорного иакцепторного типов в кремнии, индуцируемые потоками beta -частиц малой интенсивности // ФТП, 2006, том 40, выпуск 12, Стр. 1409

Для твердых растворов Pb1-x-ySnxNaySe химический потенциалF находится ниже вершины валентной зоныEV, зависимостиF(T) носят линейный характер, причем экстраполяция кT=0 K дает значение EV-F0=210±10 мэВ для твердых растворов, содержащих0.3 ат% натрия и(250±10) мэВ для твердых растворов, содержащих0.5 ат% натрия (здесьF0--- положение химического потенциала при T=0 K). ЗависимостиF0 от концентрации натрия также носят линейный характер, причем экстраполяция на нулевую концентрацию натрия дает значение F0=162±10 мэВ (для твердых растворов, содержащих2 ат% олова). Величина корреляционной энергииU двухэлектронных центров олова вPbSe не зависит от концентрации олова и натрия, иU=-65±10 мэВ. PACS: 71.55.Ht, 71.45.Gm
Немов С.А., Кастро Р.А., Алексеева А.Ю., Серегин П.П., Добродуб А.А. Двухэлектронные центры с отрицательной корреляционной энергией втвердых растворах Pb1-xSnxSe // ФТП, 2006, том 40, выпуск 11, Стр. 1335

Изучено влияние собственного возбуждения на спектр фотопроводимости GaP : Cu. Проявляющиеся в виде дополнительного максимума особенности в области энергий фотонов ~1.8 эВ связываются с эффектами перераспределения неравновесных носителей заряда, генерируемых с двух уровней меди в поле поверхностного потенциала. Обсуждается природа полосы примесной фотопроводимости с максимумом при 1.05 эВ и краем около0.6 эВ. PACS: 72.40.+w, 73.50.Pz
Прибылов Н.Н., Кожевников А.А. Стимулированная фотопроводимость фосфида галлия, компенсированного медью // ФТП, 2006, том 40, выпуск 11, Стр. 1331

Для полупроводниковых твердых растворов AlxGa1-xAs с x=0.15 и0.21 при температурах T=1.7-380 K измерялись спектр края поглощения и температурная зависимость интегрального коэффициента поглощения света. Результаты обсуждаются на основе двух моделей экситон-поляритонного переноса энергии возбуждения, которые в системах со случайным экситонным потенциалом могут привести к непостоянству интегрального поглощения при низких температурах. Водном случае температурная аномалия в поглощении рассматривается как результат конкуренции экситонного и электромагнитного переноса в квазиоднородной среде (виртуальном кристалле) с пространственной дисперсией. Вдругом случае эффект связан с переизлучением резонансных локализованных экситонов вдоль конечных цепочек квантовых ям в отсутствие экситонного переноса. На основании наблюдений характерной температурной зависимости интегрального поглощения сделан вывод о существовании экситонных поляритонов в исследованных твердых растворах. Для твердого раствора Al0.15Ga0.85As найдена критическая температура Tc=155 K, выше которой интегральное поглощение насыщается. Показано, что для твердых растворов при T=1.7-60 K домнирующим является неоднородное уширение экситонной линии флуктуирующим потенциалом, которое существенно превышает однородное уширение, обусловленное взаимодействием экситонов с фононами и заряженными примесями. PACS: 71.35.-y, 71.35.Cc, 71.36.+c, 71.55.Eq
Сейсян Р.П., Кособукин В.А., Маркосов М.С. Экситоны и поляритоны в полупроводниковых твердых растворахAlGaAs // ФТП, 2006, том 40, выпуск 11, Стр. 1321

Методами инфракрасного поглощения, эффекта Холла и нестационарной емкостной спектроскопии исследованы комплексы вакансия--два атома кислорода (VO2) в облученных кристаллах Si n-типа с различным уровнем легирования. Подтверждена обнаруженная ранее бистабильность VO2 и приведены доказательства электрической активности дефекта в метастабильной конфигурации VO2*. Установлено, что в данной конфигурации дефект обладает акцепторным уровнем, расположенным у EC-0.06 эВ. Показано, что полосы поглощения у967 и1023 см-1 обусловлены отрицательно заряженным состоянием VO2*, а полосы у928 и 1004 см-1 соответствуют нейтральному зарядовому состоянию дефекта. PACS:61.80.Fe, 61.82.Fk, 71.55.Cc, 78.30.Am
Мурин Л.И., Маркевич В.П., Медведева И.Ф., Dobaczewski L. Бистабильность иэлектрическая активность комплекса вакансия--два атома кислорода вкремнии // ФТП, 2006, том 40, выпуск 11, Стр. 1316

Условием достижения максимальных значений коэффициента термоэлектрической мощности Z* в интерметаллических полупроводниках структурного типа MgAgAs является их сильное легирование акцепторными и (или) донорными примесями до концентраций, при которых уровень Ферми фиксируется порогом подвижности соответствующей зоны непрерывных энергий. Максимум коэффициента термоэлектрической мощности является термически стабильным при условии одинаковой природы типа примесей, вводимых в полупроводник, и типа примесной зоны, вызывающей появление максимумаZ*. PACS:71.20.Nr; 72.20.Pa, 71.55.Ht, 75.20.Ck
Ромака В.А., Фрушарт Д., Стаднык Ю.В., Тобола Я., Гореленко Ю.К., Шеляпина М.Г., Ромака Л.П., Чекурин В.Ф. Условия достижения максимальных значений коэффициента термоэлектрической мощности винтерметаллических полупроводниках структурного типа MgAgAs // ФТП, 2006, том 40, выпуск 11, Стр. 1309

Приведены экспериментальные данные по наблюдению спонтанного и стимулированного излучения из тонких эпитаксиальных пленок CdxHg1-xTe при оптической накачке с помощью лазера Nd:YAG. Предложена простая теоретическая модель для описания возникновения инверсии заселенности в этих условиях. Проводятся теоретические оценки параметров в условиях экспериментов. PACS: 78.45.+h, 78.55.Et, 78.66.Hf
Андронов А.А., Ноздрин Ю.Н., Окомельков А.В., Варавин В.С., Смирнов Р.Н., Икусов Д.Г. Спонтанное и стимулированное излучение из полупроводниковых пленок Cdx Hg1-x Te // ФТП, 2006, том 40, выпуск 11, Стр. 1300

Полнопотенциальным методом LAPW в формализме LSDA выполнен теоретический поиск новых магнитных полуметаллов на основе немагнитного полупроводника SrSnO3, легированного магнитными ионами M = Mn, Fe, Co. Обнаружено, что в отличие от Sr2SnMnO6 (ферромагнитный полупроводник) и Sr2SnCoO6 (ферромагнитный металл) перовскит Sr2SnFeO6 является ферромагнитным полуметаллом: его электронный спектр содержит запрещенную щель (~ 0.7 эВ) для низкоспиновой и имеет металлоподобный тип для высокоспиновой подсистем. Для изоэлектронных аналогов SrSnO3-CaSnO3 и BaSnO3--- показано, что их легирование железом (составы Ca2SnFeO6 и Ba2SnFeO6) также обеспечивает достижение полуметаллического состояния этих систем. Высказано предположение, что твердые растворы A(Sn1-xFex)O3 (A = Ca, Sr, Ba) могут стать первыми представителями новой группы материалов спиновой электроники. PACS: 71.20.Ps, 71.28.+d, 75.50.Dd
Шеин И.Р., Кожевников В.Л., Ивановский А.Л. Зонная структура перовскитоподобных фаз A(Sn1-xMx)O3 (A = Ca, Sr, Ba; M = Mn, Fe, Co): поиск новых магнитных полуметаллов // ФТП, 2006, том 40, выпуск 11, Стр. 1295

Исследованы температурные (T=77-400 K) и барические (P=<sssim 8 ГПа) зависимости удельной электропроводностиsigma(T,P), коэффициента ХоллаRH(T,P) и термоэдсQ(T) в монокристаллических образцах n-ZnO с концентрацией примесей Ni=1017-1018 см-3 и концентрацией свободных электронов n=1013-1017 см-3. Монокристаллы выращены гидротермальным методом. Определены концентрационная зависимость энергии ионизации мелкого донорного уровняEd1(Nd), коэффициенты давления d Ed1/d P и статической диэлектрической проницаемости dchi/d P. Установлено наличие глубокого уровня дефекта, расположенного под дном зоны проводимости на расстоянии Ed2=0.37 эВ. По данным о кинетических коэффициентахRH(T) иQ(T) рассчитана эффективная масса электронов. PACS: 72.20.Fr, 72.20.Pa, 72.80.Jc
Даунов М.И., Арсланов Р.К., Гаджиалиев М.М., Кортунова Е.В., Хохлачев П.П., Шванский П.П. Электрофизические итермоэлектрические свойства окиси цинка приатмосферном игидростатическом давлениях // ФТП, 2006, том 40, выпуск 11, Стр. 1289