Исследовано влияние отжига в атмосфере насыщенных паровCd на проводимость мелко- и крупнозернистных поликристалловCdTe. Показано, что до отжига и в мелко- и в крупнозернистных поликристаллах транспорт носителей определяется в основном прыжковой проводимостью. Отжиг приводит к исчезновению прыжковой проводимости и возникновению в крупнозернистых поликристаллах единственного дефекта, по-видимому, сложного, однако никак не связанного с наличием межзеренных границ. Вмелкозернистых поликристаллах отжиг приводит к появлению сложных протяженных дефектов, определяемых либо сегрегацией примесей на межзеренных границах, либо скоплением вблизи них собственных дефектов. PACS: 72.20.Ee, 81.20.Dz, 81.40.Rs
Клевков Ю.В., Колосов С.А., Плотников А.Ф. Транспорт носителей заряда в отожженных крупно- имелкозернистых поликристаллах CdTe // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1028

Исследовано нейтронное трансмутационное легирование кристаллов кремния, обогащенных изотопом 30Si, методом электронного парамагнитного резонанса: наблюдались доноры фосфора и возникающие в процессе нейтронного легирования радиационные дефекты. Исследованы сигналы ЭПР неконтролируемой примеси фосфора в30Si до нейтронного легирования (концентрация ~1015 см-3) и фосфора, введенного легированием с дозами ~1·1019 см-2 и~1·1020 см-2 (концентрации P~5·1016 см-3 и~7·1017 см-3 соответственно). Благодаря резкому сужению линий ЭПР фосфора в30Si интенсивность сигналов существенно увеличилась, что позволило контролировать фосфор в образцах с малым объемом (до10-6 мм-3). Разработаны методы контроля концентрации доноровP по сверхтонкой структуре в спектрах ЭПР изолированных атомовP, обменно-связанных пар, троек, четверок и более крупных кластеров доноровP. Вобласти высоких концентрацийP, когда сверхтонкая структура исчезает, концентрация доноровP оценивалась по ширине обменно-суженной линииЭПР. PACS: 81.40.Wx, 61.80.Hg, 61.82.Fk, 76.30.Da
Баранов П.Г., Бер Б.Я., Годисов О.Н., Ильин И.В., Ионов А.Н., Калитеевский А.К., Калитеевский М.А., Лазебник И.М., Сафронов А.Ю., Пол Х.-Дж., Риманн Х., Абросимов Н.В., Копьев П.С., Буланов А.Д., Гусев А.В. Особенности нейтронного легирования фосфором кристаллов кремния, обогащенных изотопом30Si: исследования методом электронного парамагнитного резонанса // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 930

Согласно распределению Гиббса получена зависимость концентрации промежуточного зарядового состоянияSn3+ двухэлектронных центров олова с отрицательной корреляционной энергией вPbS от величины корреляционной энергии. Продемонстрировано, что указанное состояние олова может быть обнаружено с помощью мессбауэровской спектроскопии на изотопе119Sn при высоких температурах. PACS: 71.55.Ht, 76.80.+y
Кастро Р.А., Немов С.А., Серегин П.П. Обнаружение однократно ионизованного состояния двухэлектронных центров олова сотрицательной корреляционной энергией втвердых растворахPb1-xSnxS // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 927

Исследованы электрофизические свойства сплавов n-Pb1-xSnxTe (x=0.09-0.21), легированных галлием. Обнаружены аномальные температурные зависимости коэффициента Холла, указывающие на стабилизацию уровня Ферми резонансным уровнем галлия, расположенным в зоне проводимости. По экспериментальным данным в рамках двухзонного закона дисперсии Кейна рассчитаны зависимости концентрации электронов и энергии Ферми от состава сплава и температуры. Показано, что положение резонансного уровня галлия относительно потолка валентной зоны практически не зависит от состава матрицы, и получена зависимость термического коэффициента движения резонансного уровня относительно середины запрещенной зоны от состава сплава. PACS: 71.20Nr, 71.55.Ht
Скипетров Е.П., Зверева Е.А., Дмитриев Н.Н., Голубев А.В., Слынько В.Е. Стабилизация уровня Ферми резонансным уровнем галлия всплавахPb1-xSnxTe // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 922

Сцелью изучения влияния температуры облученияTirr на процесс дефектообразования исследовались монокристаллы n-Si. Исследуемые образцы облучались электронами с энергией2 МэВ винтервале Tirr=20-400oC. Изохронный отжиг облученных кристаллов проводился в интервале 80-600oC. Измерения проводились методом Холла в интервале77-300 K. Показано, что эффективность введения радиационных дефектов с высокой термостабильностью (Tann>=350oC) достигает максимума при Tirr=150oC. Наблюдаемый эффект объясняется образованием мультивакансионных дефектовPV2 на базе ионизированных E-центров и неравновесных вакансий. PACS: 71.55.Cn, 72.15.Gd, 61.80.-x, 61.72.Cc
Пагава Т.А. Влияние температуры облучения на эффективность введения мультивакансионных дефектов в кристаллах n-Si // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 919

Изложены результаты анализа зависимости коэффициента излучательной рекомбинации в кремнии от уровня легирования и концентрации избыточных электронно-дырочных пар. Показано, что наряду с эффектом сужения ширины запрещенной зоны, рассчитанным в многоэлектронном приближении, необходимо учитывать и эффект экранирования кулоновского взаимодействия, приводящий к уменьшению энергии связи экситона. Оба эффекта действуют в одну сторону, приводя к уменьшению коэффициента излучательной рекомбинации при увеличении уровня легирования или уровня инъекции. Разделены вклады экситонной и зона-зонной излучательной рекомбинации в полный коэффициент излучательной рекомбинации в кремнии. Показано, что в области комнатных температур обе составляющие соизмеримы, в то время как при температуре жидкого азота экситонная составляющая доминирует. Приведены результаты уточненного расчета предельной величины внутреннего квантового выхода электролюминесценции кремниевых диодов и p-i-n-структур. Показано, что при комнатной температуре его величина может достигать14 процентов, однако это значение очень сильно уменьшается с ростом скорости поверхностной рекомбинации и с уменьшением объемного времени жизни. PACS: 78.60.Fi, 78.55.Ap, 72.20.Jv
Саченко А.В., Горбань А.П., Костылев В.П., Соколовский И.О. Параметр излучательной рекомбинации ивнутренний квантовый выход электролюминесценции вкремнии // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 913

Исследованы монокристаллы ZnSe, легированные путем диффузии кобальта. Диффузия осуществлялась из металлического кобальта в атмосфере гелия или аргона. Исследованы спектры оптической плотности в области длин волн 0.4-2 мкм. Установлено смещение края поглощения по мере увеличения концентрации легирующих примесей, обусловленное образованием твердого раствора Zn1-xCoxSe. Диффузионный профиль примеси кобальта определен путем измерения относительной оптической плотности кристаллов в видимой области спектра. Рассчитаны коэффициенты диффузии(D) кобальта в кристаллах ZnSe при температурах T=1103-1273 K. Анализ температурной зависимостиD(T) позволил определить коэффициенты в уравнении Аррениуса: D0=3.4·106 см2/с и E0=3.8 эВ. PACS:78.66.Hf, 78.30.Fs
Ваксман Ю.Ф., Павлов В.В., Ницук Ю.А., Пуртов Ю.Н., Насибов А.С., Шапкин П.В. Получение иоптические свойства монокристаллов ZnSe, легированных кобальтом // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 815

Во время пикосекундной фотогенерации носителей и интенсивной суперлюминесценции в GaAs обнаружена автомодуляция спектра поглощения света. При изменении пикосекундной задержки зондирующего импульсаtau относительно импульса накачки в области tau
Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Кривоносов А.Н., Стеганцов С.В. Сверхбыстрая автомодуляция спектра поглощения света, возникающая присверхкоротких оптической накачке исуперлюминесценции вGaAs // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 806

Проведен анализ примесно-дефектной системы в кристаллах Cd1-xZnxTe (0.02=<q x=<q 0.15) до и после термообработки при температурах 720--1170 K. Установлено, что в большинстве этих кристаллов проводимость контролируется двумя типами акцепторов A1 (EV=0.03-0.05 эВ) и A2 (EV=0.012-0.15 эВ). Изменение электрофизических свойств кристаллов после термообработки зависит от концентрации неконтролируемых примесей в исходном материале и степени компенсации акцептора A1. Увеличение сопротивления и однородности образцов происходит в результате двух последовательных термообработок. PACS: 72.20.Fr, 72.80.Ey, 81.05.Dz, 81.40.Gh
Никонюк Е.С., Захарук З.И., Рыбак Е.В., Дремлюженко С.Г., Шляховый В.Л., Ковалец М.А. Изменения электрофизических свойств кристаллов Cd1-xZnxTe после термообработки // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 802

Определена роль примесной донорной зоны в проводимости сильно легированного и компенсированного интерметаллического полупроводника TiCoSb. Произведен расчет электронной структуры полупроводникового твердого раствора TiCo1-xNixSb. Предложена модель перестройки примесной зоны полупроводника TiCoSb при легировании донорными примесями. Выявлен переход проводимости от активационной к металлической при изменении состава твердого раствора TiCo1-xNixSb, который мы связываем с переходом Андерсона. PACS: 71.20.Nr, 71.30.+h, 72.20.Pa, 75.20.Ck, 81.05.Hd
Ромака В.А., Шеляпина М.Г., Стаднык Ю.В., Fruchart D., Ромака Л.П., Чекурин В.Ф. Роль примесной зоны при переходе диэлектрик--металл приизменении состава сильно легированного икомпенсированного полупроводникового твердого раствора TiCo1-xNixSb. Донорные примеси // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 796