Исследовано влияние добавки~3% кремния на энергетические спектры примесей теллура и селена в германии. Регистировались спектры фотопроводимости при температуре образцов80 K, в спектральном диапазоне2.5-5 мкм. На фоне полосы примесной фотопроводимости наблюдались узкие пики возбужденных состояний ионов халькогенов. При данной концентрации кремния не наблюдалось перестройки спектра возбужденных состояний. Происходило увеличение энергетических зазоров между зоной проводимости и примесными состояниями халькогенов.
Радчук Н.Б., Ушаков А.Ю. Примесная фотопроводимость халькогенов в твердых растворахGe1-xSix // ФТП, 2005, том 39, выпуск 5, Стр. 550

-1 В однородном полупроводнике по теории возмущений получено решение уравнения Лиувилля для одноэлектронной матрицы плотности в магнитном поле. Получены выражения для тензора проводимости и скорости релаксации импульса электронов при рассеянии на ионизованной примеси. Полученные результаты позволяют достаточно точно описать наблюдавшиеся в ряде работ зависимости продольной проводимости невырожденного электронного газа от концентрации и магнитного поля в квантовом пределе. Эти зависимости не имеют объяснения в рамках современной теории магнетосопротивления. Дано объяснение температурных зависимостей компонент тензора проводимости вырожденного электронного газа в квантовом пределе по магнитному полю.
Каминский В.Э. Тензор проводимости и частота релаксации импульса электронов при рассеянии наионизованной примеси вмагнитном поле: метод матрицы плотности // ФТП, 2005, том 39, выпуск 5, Стр. 543

Измерены температурные зависимости статической электропроводностиsigma и коэффициента ХоллаRH в кристаллах CdF2, легированных бистабильными примесями индия и донорными примесями иттрия. Показано, что в материале имеется несколько типов свободных носителей заряда--- электронов и поляронов. Сравнение расчетных температурных зависимостейsigma и RH с экспериментальными данными указывает также на то, что существенный вклад вsigma иRH вносит проводимость по примесной зоне за счет прыжков связанных поляронов либо дырок.
Сайдашев И.И., Перлин Е.Ю., Рыскин А.И., Щеулин А.С. Проводимость и эффект Холла в CdF2 : In иCdF2 : Y // ФТП, 2005, том 39, выпуск 5, Стр. 535

Представлены результаты исследований электрофизических свойств и спектров оптического поглощения InP, облученного быстрыми нейтронами (E>0.1 МэВ, Df.n=<q 1019, см-2) и полным спектром реакторных нейтронов (Dth.n=<q 2.1· 1019 см-2, отношение потоков составляло varphith.n/varphif.n~ 1), а также характер изменения этих свойств при последующей термообработке материала до900oC. Результаты оптических исследований свидетельствуют о том, что свободные носители заряда в сильно облученном нейтронами InP появляются только после отжига выше 500oC. Оценена эффективность ядерного легирования и качество ядерно-легированного материала.
Брудный В.Н., Колин Н.Г., Меркурисов Д.И., Новиков В.А. Электрофизические иоптические свойства InP, облученного большими интегральными потоками нейтронов // ФТП, 2005, том 39, выпуск 5, Стр. 528

Методом электронного магнитного резонанса исследованы обменные взаимодействия центровFe в кристаллах GaAs. Проанализированы переходы в суперпарамагнитное состояние и в область примесного ферромагнетизма. Приведены результаты исследования системы однодоменных магнитоупорядоченных областей в GaAs<Fe> с температурой перехода в ферромагнитное состояние при TC1=460 K. Показано существование в кристаллах GaAs<Fe> примесного ферромагнетизма с температурой перехода TC2=60 K в неупорядоченной системе центровFe, хаотически распределенных между супермагнитными областями.
Попов Б.П., Соболевский В.К., Апушкинский Е.Г., Савельев В.П. Эффекты магнитного упорядочения в сильно легированных кристаллах GaAs&lt;Fe&gt; // ФТП, 2005, том 39, выпуск 5, Стр. 521

Впервые приведены экспериментальные данные, свидетельствующие о значительном уменьшении ширины запрещенной зоны твердых растворов Zn-O-S в соответствии с теорией непересекающихся зон. Показано, что эффект характерен в основном для ZnS с избыткомZn. Концентрация растворенного кислорода [OS] приводится по данным прецизионного рентгеноструктурного и химического фазового анализов. Уменьшение ширины запрещенной зоны, определенное по спектрам катодолюминесценции, составляет для сфалерита ZnS (s)75 мэВ, а для вюрцита ZnS (w) 90 мэВ на 1 мол% ZnO и практически линейно зависит от концентрации кислорода. Увеличение [OS], кроме усиления и смещения полосы свободных экситонов (FE), способствует образованию в ZnS кислородных SA-комплексов, ответственных за свечение в видимой области спектра и полосу связанных на них экситоновI1. Энергия связи равна ~61 и ~104 мэВ соответственно для ZnS (s) и ZnS (w). ПолосаI1 смещается с [OS] аналогично полосеFE. Полученные зависимости определяют положение полосыFE в бескислородном ZnS и позволяют по величине смещения ее судить о концентрации растворенного кислорода в соединении.
Морозова Н.К., Каретников И.А., Голуб К.В., Данилевич Н.Д., Лисицын В.М., Олешко В.И. Влияние кислорода наэлектронную зонную структуру ZnS // ФТП, 2005, том 39, выпуск 5, Стр. 513

Цель работы заключается в изучении влияния зарядового состояния неравновесных вакансий на процессы, происходящие во время облучения и термообработки в кристаллах кремния. Образцы n-Si, полученные методом зонной плавки, с концентрацией электронов N=6·1013 см-3 облучались протонами с энергией 25 МэВ при 300 K. Облученные кристаллы исследовались методом Холла в интервале 77-300 K. Показано, что природа и энергетический спектр радиационных дефектов в кристаллах n-Si в основном определяются зарядовым состоянием неравновесных вакансий.
Пагава Т.А. Влияние зарядового состояния неравновесных вакансий на природу радиационных дефектов в кристаллах n-Si // ФТП, 2005, том 39, выпуск 4, Стр. 424

Проведено комплексное экспериментальное и теоретическое исследование транспортных и термоэлектрических свойств полупроводникового силицида рения ReSi1.75. Монокристаллические образцы чистого и легированного алюминием ReSi1.75 были получены методом зонной плавки с применением оптического нагрева. Температурные зависимости удельного сопротивления, коэффициента Холла и коэффициента Зеебека (термоэдс) измерены в интервале 77-800 K. Концентрация носителей заряда для нелегированного силицида рения при комнатной температуре составляет 1019 см-3, подвижность носителей заряда--- 30 см2/(В·с). Теоретическое исследование транспортных и термоэлектрических свойств включает расчет зонной структуры из первых принципов, оценку эффективных масс носителей заряда, моделирование подвижности электронов и дырок с учетом классических механизмов рассеяния, расчет коэффициента Зеебека. Полученные результаты теоретического моделирования находятся в хорошем соответствии с экспериментальными данными.
Филонов А.Б., Кривошеев А.Е., Иваненко Л.И., Бер Г., Шуманн И., Суптель Д., Борисенко В.Е. Транспортные итермоэлектрические свойства полупроводникового силицида рения // ФТП, 2005, том 39, выпуск 4, Стр. 419

Представлены результаты экспериментальных исследований электрофизических, оптических свойств и особенностей отжига (до800oC) радиационных дефектов в кристаллах InAs n- и p-типа проводимости, облученных электронами сэнергией ~ 2 МэВ интегральными потоками до D=1· 1019 см-2. Выполнены расчеты электронной структуры нерелаксированных дефектовVAs, VIn, AsIn иInAs. Обсуждается связь электрофизических свойств и положения уровня Ферми в облученном InAs с электронной структурой собственных дефектов и особенностями зонного спектра полупроводника.
Брудный В.Н., Гриняев С.Н., Колин Н.Г. Электрофизические и оптические свойства InAs, облученного электронами (&#126; 2 МэВ): энергетическая структура собственных точечных дефектов // ФТП, 2005, том 39, выпуск 4, Стр. 409

Проведен анализ особенностей кристаллической структуры слоистых кристаллов GaSe различных политипных модификаций. Рассмотрена возможность идентификации фазовых переходов, происходящих при изменении температуры, давления и состава, методом резонансного комбинационного рассеяния света. Исследовано влияние высокотемпературного отжига и импульсного лазерного облучения на спектры комбинационного рассеяния света. Обнаружено образование областей с другим политипным составом и областей с остаточным напряжением после импульсного лазерного облучения.
Байдуллаева А., Власенко З.К., Даулетмуратов Б.К., Кузан Л.Ф., Мозоль П.Е. Спектры комбинационного рассеяния света монокристалловGaSe, подвергнутых воздействию лазерного облучения // ФТП, 2005, том 39, выпуск 4, Стр. 405