Узкозонные полупроводниковые сплавы II--VI и IV--VI являются удобным объектом для исследования электрон-фононного взаимодействия. Однако в сплавах IV--VI концентрация свободных носителей достаточно высока (~1018 см-3), что затрудняет изучение этого эффекта методом оптического отражения. Концентрация свободных носителей в узкозонных твердых растворах Hg1-xZnxTe значительно меньше (~1016 см-3), поэтому плазменная составляющая оказывает меньшее влияние на спектр решеточного отражения. Спектры отражения кристаллов Hg1-xZnxTe с x=0.1-1 исследовались в далекой инфракрасной области в диапазоне 30-700 см-1 в интервале температур 40-300 K. Спомощью дисперсионного анализа и анализа Крамерса--Кронига определены частоты TO-фононов HgTe- и ZnTe-подобных мод в зависимости от состава. Показано, что перестройка фононного спектра имеет двухмодовый характер. Вузкозонном сплаве с x=0.1 измерены температурные зависимости частот TO-фононов и параметра затухания в интервале температур 80-200 K. Впервые оптическими методами обнаружено уменьшение частоты TO-фонона мягкой моды вблизи точки инверсии зон при T=110 K. Параметр затухания несколько возрастает в окрестности этой температуры. Полученные результаты качественно согласуются с теоретической моделью Кавамуры и др., учитывающей влияние электрон-фононного взаимодействия на частоту мягкой моды в соединениях IV--VI. PACS: 63.20.-e, 63.20.Dj, 63.20.Mt
Водопьянов Л.К., Кучеренко И.В., Марчелли А., Бураттини Е., Пиччинини М., Честелли Гауди М., Трибуле Р. Влияние инверсии зон нафононные спектры твердых растворов Hg1-xZnxTe // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 41

Методом мессбауэровской спектроскопии на изотопе151Eu показано, что центры европия в катионной подрешеткеPbS являются электрически активной примесью: в электронных образцах спектры соответствуют нейтральным донорным центрам(Eu2+), тогда как в дырочных образцах спектры соответствуют ионизованному состоянию этого центра(Eu3+). Для частично компенсированного материала наблюдался процесс быстрого электронного обмена между нейтральными и ионизованными центрами. PACS: 76.80.+y, 71.55.Ht, 61.72.Yx
Хужакулов Э.С. Мессбауэровское исследование донорных центров европия вPbS // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 38

Представлены результаты исследований температурных и частотных зависимостей диэлектрической проницаемости поликристаллического сульфида цинка. Произведен теоретический расчет диэлектрической проницаемости по параметрам электронной структуры. Показано, что увеличение диэлектрической проницаемости в области частот ниже10 кГц происходит из-за объемнозарядовой поляризации, которая обусловлена наличием заряженных дислокаций в межслоевых и межзеренных границах. PACS: 78.20.Ci, 77.22.Ej, 77.22.Gm
Шеваренков Д.Н., Щуров А.Ф. Диэлектрические свойства поликристаллическогоZnS // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 35

Проведено комплексное экспериментальное и теоретическое исследование термоэлектрической эффективности полупроводникового силицида рутения Ru2Si3. Монокристаллические образцы чистого и легированного марганцем Ru2Si3 были получены методом зонной плавки с применением оптического нагрева. Температурные зависимости удельного сопротивления, коэффициента Холла, коэффициента Зеебека и теплопроводности измерены в интервале 100-900 K. Для кристаллов Ru2Si3, легированных марганцем, коэффициент Зеебека является положительным во всем исследованном температурном диапазоне и достигает своего максимального значения 400 мкВ / K приблизительно при 500 K. Значение коэффициента Зеебека для этих кристаллов при комнатной температуре составляет 300 мкВ / K, что в 2раза превышает величину для нелегированного материала. Теоретическое исследование транспортных и термоэлектрических свойств включает расчет зонной структуры из первых принципов, оценку эффективных масс носителей заряда, моделирование подвижности электронов и дырок с учетом классических механизмов рассеивания, расчет коэффициента Зеебека и термоэлектрической эффективностиZT. Полученные результаты теоретического моделирования находятся в хорошем качественном и количественном соответствии с экспериментальными данными. PACS: 72.20.Pa, 71.20.Nr, 72.20.Je
Кривошеев А.Е., Иваненко Л.И., Филонов А.Б., Шапошников В.Л., Бер Г., Шуманн И., Борисенко В.Е. Термоэлектрическая эффективность монокристаллов полупроводникового силицида рутения // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 29

В процессе термической релаксации фотовозбужденного хлорида серебра наряду с процессом рекомбинации неравновесных носителей заряда наблюдается перелокализация их с мелких уровней на глубокие. Наблюдаемые экспериментальные зависимости параметров фотостимулированной вспышки люминесценции (высвеченной светосуммы и коэффициента кинетики) от времени релаксации и температуры объяснены в рамках трехуровневой модели, содержащей уровень рекомбинации (люминесценции), глубокий уровень с энергией Delta E~ 1.8 эВ и мелкий уровень с энергией Delta E~ 0.03 эВ относительно дна зоны проводимости. Показано, что адсорбция ионовAg+ приводит к уменьшению энергии активации перелокализации с0.17 до0.03 эВ, что связано с поверхностной природой центров, ответственных за начальную стадию процесса релаксации. PACS: 72.20.Jv, 78.55.Hx
Клюев В.Г., Герасименко Ю.В., Коробкина Н.И. Релаксация фотовозбужденного хлорида серебра // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 23

Исследованы спектры брэгговского отражения света от фотонных кристаллов на основе композитов опал--полупроводник (GaP, GaN). Развит подход, позволяющий проводить характеризацию опалоподобных структур, основанный на исследовании формы спектров брэгговского отражения света и условий, в которых проявляется многоволновая брэгговская дифракция. Анализ формы спектров отражения выполнен в рамках приближения планарной слоисто-периодической среды с учетом спекания и одноосного сжатия сфер a-SiO2, формирующих 3Dрешетку опала. Диаметры и коэффициенты сжатия сфер найдены с учетом предложенного в работе спектроскопического структурного инварианта, определяющего условия наблюдения многоволновой брэгговской дифракции на системе плоскостей{111}.
Гаджиев Г.М., Голубев В.Г., Курдюков Д.А., Певцов А.Б., Селькин А.В., Травников В.В. Характеризация фотонных кристаллов наоснове композитов опал--полупроводник поспектрам брэгговского отражения света // ФТП, 2005, том 39, выпуск 12, Стр. 1423

Показано, что зарядовое состояние антиструктурного дефекта 73Ge, образующегося в анионной подрешетке PbSe после радиоактивного превращения73As, не зависит от положения уровня Ферми. Впротивоположность этому центр73Ge вкатионной подрешеткеPbSe представляет собой электрически активную примесь замещения: вэлектронных образцах спектр отвечает нейтральному состоянию донорного центра(Ge2+), авдырочных--- двукратно ионизованному состоянию(Ge4+) этого центра. Для частично компенсированных образцов обнаружен быстрый электронный обмен между нейтральными и ионизованными донорными центрами.
Теруков И.Е., Хужакулов Э.С. Электронный обмен между нейтральными и ионизованными центрами германия вPbSe // ФТП, 2005, том 39, выпуск 12, Стр. 1420

Методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопе 73As(73Ge) показано, что зарядовое состояние антиструктурного дефекта 73Ge, образующегося в анионной подрешетке после радиоактивного превращения 73As, не зависит от положения уровня Ферми. Впротивоположность этому, центр 73Ge в катионной подрешеткеPbSe представляет собой электрически активную примесь замещения: в электронных образцах спектр отвечает нейтральному состоянию донорного центра (73Ge2+), а в дырочных--- двукратно ионизованному состоянию (73Ge4+) этого центра.
Теруков Е.И., Хужакулов Э.С. Мессбауэровское исследование двухэлектронных донорных центров германия вPbSe // ФТП, 2005, том 39, выпуск 12, Стр. 1417

Теоретически исследованы особенности электролюминесценции однородно легированных варизонных структур с антизапорным и омическим контактами. Для случая постоянного градиента ширины запрещенной зоны и сильного поглощения света получены и проанализированы аналитические зависимости для спектральной и интегральной интенсивностей электролюминесценции. Показано, что наличие антизапорного контакта на широкозонной грани варизонной структуры приводит к повышению эффективности отрицательной и особенно положительной электролюминесценции по сравнению со случаем варизонной структуры с двумя омическими контактами. Спектр рекомбинационного излучения варизонной структуры с антизапорным контактом на узкозонной грани характеризуется в большинстве случаев знакопеременной зависимостью, на которой в области сильных токов преобладает широкая полоса отрицательной электролюминесценции.
Соколовский Б.С., Иванов-Омский В.И., Ильчук Г.А. Электролюминесценция варизонных структур сантизапорным иомическим контактами // ФТП, 2005, том 39, выпуск 12, Стр. 1409

Исследованы ограничения на максимальную концентрацию дефектов, при которой в теории рекомбинации Шокли--Рида--Холла все еще применимо часто используемое предположение о равенстве времен жизни электронов и дырок. На примере легированного кремния рассмотрена зависимость данной концентрации от уровня инжекции и различных параметров дефектов. Исследованы случаи, когда полупроводник содержит дефекты только одного типа, а также нескольких типов. Проведенный анализ позволяет определить параметры образца, при которых для расчета времен жизни носителей заряда может быть использована упрощенная модель рекомбинации.
Яшин А.Н. Применимость упрощенной модели Шокли--Рида--Холла для полупроводников сразличными типами дефектов // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1331