Исследуется перестройка мелких водородсодержащих доноров в Si, которые формировались имплантацией образцов низкоэнергетическими (300 кэВ) ионами водорода с последующей термообработкой при температуре450oC. Эксперименты проведены на диодах Шоттки Ag--Mo--Si и диодах с мелким (~1 мкм) p+-n-переходом. Концентрация и распределение доноров определялись методом C-V-характеристик на частоте1.2 МГц. Из анализа температурной зависимости равновесной концентрации электронов установлено, что процесс перестройки водородсодержащих доноров описывается в предположении перезарядки центра с отрицательной эффективной корреляционной энергией (U
Покотило Ю.М., Петух А.Н., Литвинов В.В., Цвырко В.Г. Водородсодержащие доноры вкремнии--- центры сотрицательной эффективной корреляционной энергией // ФТП, 2005, том 39, выпуск 7, Стр. 802

Исследовались ориентация молекул жидкокристаллического наполнителя и электрооптический эффект в композитных фотонных кристаллах на основе щелевого кремния. Установлено, что после заполнения щелей молекулы нематического жидкого кристалла выстраиваются преимущественно планарно по отношению к кремниевым стенкам. При приложении электрического поля происходит изменение ориентации молекул жидкого кристалла на гомеотропную по отношению к стенкам щелей. Полученный эффект может быть использован для перестройки фотонной зоны одномерного фотонного кристалла.
Астрова Е.В., Перова Т.С., Грудинкин С.А., Толмачев В.А., Пилюгина Ю.А., Воронков В.Б., Vij J.K. Исследование ориентации молекул жидкого кристалла E7 вкомпозитах на основе щелевого кремния поляризационными методами инфракрасной спектроскопии и комбинационного рассеяния света // ФТП, 2005, том 39, выпуск 7, Стр. 793

Исследованы электрические (295--430 K) свойства и низкотемпературная (4.2 K) фотолюминесценция полуизолирующих кристаллов Cd1-xZnxTe : Cl с разным содержанием примеси в расплаве (C0Cl=5·1017-1·1019 см-3). На всех образцах при достаточно низких температурах (T=330-385 K) наблюдались неравновесные процессы, которые приводили к уменьшению концентрации носителей. Эти изменения имеют обратимый характер. Определена энергия активации такого процесса: Ea=0.88 эВ. Как и в случае полуизолирующего CdTe : Cl, наблюдаемые явления можно объяснить изменением зарядового состояния атомов неконтролируемой меди: CuCd=<ftrightarrow Cui. При введении Zn изменяется соотношение между концентрациями мелких доноров Cui и ClTe по сравнению с их количеством в исходном материале.
Савицкий А.В., Парфенюк О.А., Илащук М.И., Уляницкий К.С., Чупыра С.Н., Вахняк Н.Д. Низкотемпературные нестабильности электрических свойств полуизолирующих кристаллов Cd0.96Zn0.04Te : Cl // ФТП, 2005, том 39, выпуск 7, Стр. 788

Выполнены исследования спектров спонтанной и стимулированной ультрафиолетовой люминесценции образцов ZnO : N с различным содержанием азота при температуре 77 K. Обнаружены пики свечения связанных и свободных экситонов, биэкситонов и рекомбинации электронов через акцепторный уровень азота. Определена оптическая глубина уровня примесного акцептора NO(123 мэВ). Установлено возникновение стимулированной ультрафиолетовой люминесценции за счет неупругого взаимодействия экситонов при увеличении мощности оптической накачки.
Георгобиани А.Н., Грузинцев А.Н., Якимов E.E., Barthou C., Benalloul P. Спонтанная истимулированная ультрафиолетовая люминесценция ZnO : N притемпературе 77 K // ФТП, 2005, том 39, выпуск 6, Стр. 692

Методами численного моделирования исследуется рекомбинационный механизм пьезофоторезистивного эффекта с учетом влияния компенсирующих примесей. Показана возможность усиления стационарным фотовозбуждением амплитуд переменных концентраций свободных носителей, индуцированных динамической деформацией полупроводника.
Павлишенко Б.М., Шувар Р.Я. Рекомбинационный механизм пьезофоторезистивного эффекта вкомпенсированных полупроводниках // ФТП, 2005, том 39, выпуск 6, Стр. 689

-1 Исследовалось интенсивное пикосекундное стимулированное излучение из торца тонкого слояGaAs. Излучение возникало при накачкеGaAs мощными пикосекундными импульсами света. Обнаружена модуляция зависимостей энергии излучения от: а)энергии фотона, б)пикосекундной задержки между двумя импульсами накачки, в)расстояния между активной областью и торцом. Под модуляцией подразумевалось появление локальных выступов или максимумов на графике какой-либо зависимости. Параметры модуляции названных характеристик излучения оказались связаны соотношениями, позволяющими предполагать следующее. Кмодуляции характеристик приводит один общий, пока окончательно не установленный, механизм автомодуляции спектра излучения, обусловленный сверхбыстрым нелинейным взаимодействием сильно фотовозбужденного полупроводника со светом накачки и стимулированным излучением. По косвенным признакам этот механизм приводит еще и к амплитудной модуляции излучения в пикосекундном диапазоне времен.
Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Кривоносов А.Н., Кумеков С.Е., Налет Т.А., Стеганцов С.В. &#92;glqq Модуляция&#92;grqq характеристик интенсивного пикосекундного стимулированного излучения изGaAs // ФТП, 2005, том 39, выпуск 6, Стр. 681

Рассчитана нелинейная динамика компенсированного полупроводника при примесном электрическом пробое в классически сильном магнитном поле в режиме закороченных контактов Холла и воздействии резонансного облучения, частота которого соответствует энергии ионизации водородоподобных донорных примесей. Врезультате получены как регулярные, так и хаотические автоколебания; причем для соответствующих значений бифуркационных параметров реализуются все три сценария возникновения хаоса. Полученные результаты могут стать теоретической основой функционирования легкоуправляемого высокочастотного генератора, режимы работы которого (включение, переход от регулярного режима в хаотический и наоборот) можно менять посредством изменения интенсивности подсветки.
Джандиери К.М., Качлишвили З.С., Строганов А.Б. Динамический хаос вчастично освещенном компенсированном полупроводнике вусловиях примесного электрического пробоя // ФТП, 2005, том 39, выпуск 6, Стр. 673

Получены соотношения, позволяющие на основе экспериментальной температурной зависимости концентрации носителей тока определить корреляционную энергиюU и температурную зависимость химического потенциалаF для двухэлектронных центров олова в селениде свинца. Для твердых растворов Pb1-x-ySnxNaySe химический потенциал в области температур 100--600 K находится ниже вершины валентной зоныEv, зависимости F(T) носят линейный характер, причем экстраполяция к T=0 K дает значение EV-F=210± 10 мэВ. Для корреляционной энергии двухэлектронных центров олова в PbSe получено значение U=-80± 20 мэВ.
Немов С.А., Насрединов Ф.С., Серегин П.П., Серегин Н.П., Хужакулов Э.С. Энергетические параметры двухэлектронных центров олова вPbSe // ФТП, 2005, том 39, выпуск 6, Стр. 669

Показана возможность неразрушающего, бесконтактного измерения концентрации носителей заряда в поликристаллических слоях селенида свинца по спектрам отражения. Приведены исследования изменения концентрации носителей заряда в таких образцах при проведении кратковременных сенсибилизирующих отжигов.
Гамарц А.Е., Канагеева Ю.М., Мошников В.А. Определение концентрации носителей заряда вполикристаллических слоях селенида свинца на основе спектров отражения // ФТП, 2005, том 39, выпуск 6, Стр. 667

Методом фотоэлектрической нестационарной спектроскопии (PICTS) исследовались глубокие уровни в полуизолирующих монокристаллах CdS, выращенных с варьированием стехиометрического состава. Обнаружен ряд глубоких уровней с энергией термической активации 0.066-0.54 эВ. Обнаружено, что соотношение сигнала в наборе спектров не соответствует базовой модели PICTS. Разработана методика оценки концентрации глубоких уровней в данной ситуации.
Одринский А.П. Определение концентрации глубоких уровней вполуизолирующих монокристаллах CdS методом фотоэлектрической нестационарной спектроскопии // ФТП, 2005, том 39, выпуск 6, Стр. 660