Методом Бриджмена выращены монокристаллы CdTe : Si с разными концентрациями примесиSi: C0Si=2·1018-5·1019 см-3. Образцы имели n- и p-типа проводимости, величина которой была в пределах sigma=2·10-1-8·10-9 Ом-1·см-1. При нагревании кристаллов p-типа проводимости в интервал...
Методом Бриджмена выращены монокристаллы CdTe : Si с разными концентрациями примесиSi: C0Si=2·1018-5·1019 см-3. Образцы имели n- и p-типа проводимости, величина которой была в пределах sigma=2·10-1-8·10-9 Ом-1·см-1. При нагревании кристаллов p-типа проводимости в интервале температур 300-440 K происходил их отжиг, при этом проводимость уменьшалась. Вид спектров низкотемпературной (5-20 K) фотолюминесценции образцов указывает на их высокое структурное совершенство. Особенностью излучения кристаллов CdTe : Si является уменьшение интенсивности всех линий, которые образуются при участии доноров, по мере приближения к верхней части слитков. Полученные результаты указывают на то, что примесьSi, в отличие отGe, Sn иPb, не проявляет вCdTe компенсирующего и стабилизирующего действия. PACS: 78.55.Et, 73.61.Ga
Парфенюк О.А., Илащук М.И., Уляницкий К.С., Фочук П.М., Стрильчук О.М., Крилюк С.Г., Корбутяк Д.В. Электрофизические свойства и низкотемпературная фотолюминесценция монокристаллов CdTe, легированныхSi // ФТП, 2006, том 40, выпуск 2, Стр. 148