Микрометровые пленки CdS исследованы методами СВЧ фотопроводимости (резонаторный метод в3 смдиапазоне), рентгенофазового анализа и диффузного отражения. Пленки были получены методом пиролиза аэрозоля из тиомочевинных координационных соединений при температуре подложки 250-550oC и содержали примесь хлора. Для освещения использовали импульсный азотный лазер(337 нм) длительностью импульса10 нс. Обнаружена зависимость параметров отклика СВЧфотопроводимости, энергии запрещенной зоны и микродеформации кристаллической решетки от температуры синтеза пленок. PACS: 73.61.Ga, 73.50.Pz, 73.50.Gr, 78.70.Gq
Сермакашева Н.Л., Шульга Ю.М., Метелева Ю.В., Новиков Г.Ф. Влияние условий пиролиза аэрозоля водных растворов тиомочевинных комплексов наСВЧфотопроводимость пленок сульфида кадмия // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 513

В кристаллах CdZnTe, содержащих многообразие структурных неоднородностей, выявлены спектральная, временная и пространственная неустойчивости фотоэлектрического откликаI. Показано, что их характер и взаимосвязь наиболее ярко проявляются в диаграммах dI(t)/dt=fl(I(t)r) иdI(nu)/dnu=fl(I(nu)r) (nu--- частота, t--- время), на которых хорошо видны процессы, протекающие при срыве устойчивости. PACS: 72.40.+w, 61.72.Hh, 61.66.Fh
Мигаль В.П., Фомин А.С. Временная и пространственная устойчивость фотоэлектрического отклика кристалловCdZnTe // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 408

Исследованы люксамперные и спектральные характеристики фотолюминесценции монокристаллов CuInSe2. Суперлинейная область интенсивной зависимости фотопроводимости при низких уровнях возбуждения в компенсированных кристаллах p-CuInSe2 объясняется на базе рекомбинационной модели. Вспектре фотолюминесценции n-CuInSe2 полоса излучения 0.98 эВ соответствует излучательной рекомбинации электронов донорного уровня с глубиной залегания 0.04 эВ. Максимум интенсивности полосы соответствует энергетическому зазору между уровнем прилипания и валентной зоной. PACS: 72.40.+w, 78.55.-m
Гусейнов А.Г., Салманов В.М., Мамедов Р.М. Фотопроводимость илюминесценция вмонокристалле CuInSe2 привысоком уровне возбуждения // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 406

Предложена модель сужения энергетической щели между зонами Хаббарда (A0- и A+-зонами для акцепторов иD0- и D--зонами для доноров) с ростом концентрации легирующей водородоподобной примеси при низкой концентрации компенсирующей примеси. Ширина примесных зон предполагается малой по сравнению со щелью между ними. Учтено, что локальное кулоновское взаимодействие ионов электрического диполя, образовавшегося в результате перехода дырки (электрона) между двумя электрически нейтральными примесными атомами, уменьшает величину щели. Рассчитанные значения термической энергии активации прыжкового перехода дырок (электронов) между примесными зонами согласуются с экспериментальными данными для слабо компенсированных кристаллов p-Si : B, p-Ge : Ga и n-Ge : Sb. PACS: 71.27.+a, 71.20.Fi, 71.30.+h, 71.55.Cn, 72.20.Fr
Поклонский Н.А., Вырко С.А., Забродский А.Г. Дипольная модель сужения энергетической щели между зонами Хаббарда вслабо компенсированных полупроводниках // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 400

Измерены спектры нелинейного поглощения света методом двух источников излучения в монокристаллахGaSe, GaSe : Ni, Ga1.05Se0.95 иGa0.95Se1.05. Обнаружены уровни с глубиной залегания1.38, 1.45, 1.55, 1.65 и1.80 эВ. Вспектрах нелинейного поглощения света наблюдаются поглощение на неравновесных носителях тока, индуцированное поглощение и индуцированное просветление, обусловленное изменением заселенности примесных центров излучением лазера. PACS: 78.66.Li, 78.40.Fy
Байдуллаева А., Власенко З.К., Даулетмуратов Б.К., Кузан Л.Ф., Мозоль П.Е. Особенности спектров нелинейного поглощения света внестехиометрических илегированныхNi монокристаллахGaSe // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 397

Рассмотрена модель электропроводности поликристаллической кремниевой пленки p-типа с учетом растекания тока в кристаллитах. Модель позволяет непротиворечиво и удовлетворительно описать экспериментальные результаты по электропроводности и эффекту пьезосопротивления в поликремнии p-типа до и после импульсного токового отжига. Сделан вывод о том, что площади электрических контактов между кристаллитами близки к геометрическим площадям между ними, тем не менее плотность тока в кристаллитах неоднородна. PACS: 72.20.Fr, 72.80.Cw
Любимский В.М. Модель проводимости поликристаллического кремния p-типа, учитывающая растекание тока вкристаллитах // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 307

В приближении поверхностной молекулы рассмотрено взаимодействие уровней кремниевых и углеродных вакансий с состояниями металла. Показано, что определяющая роль кремниевых вакансий в формировании барьера Шоттки на контакте Cr--SiC объясняется высокой плотностью состояний на антисвязывающем уровне. PACS: 73.30.+y, 71.20.Nr
Давыдов С.Ю., Посредник О.В. Овлиянии вакансий вподрешетках кремния иуглерода наформирование барьера Шоттки наконтакте металл--SiC // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 304

Определена электропроводность слоистых зарядово-упорядоченных кристаллов в случае, когда электрическое и квантующее магнитное поле перпендикулярны слоям. Зарядовое упорядочение при этом рассматривается как чередование слоев с различной плотностью носителей тока. Электропроводность при рассеянии на акустических фононах вычисляется в приближении сильного квантования, когда межподзонные переходы можно считать подавленными. Показано, что при переходе слоистого кристалла из неупорядоченного состояния в почти полностью упорядоченное осцилляции электропроводности становятся двупериодическими, причем высокая основная частота определяется величиной эффективного притягивающего межэлектронного взаимодействия, отвечающего за зарядовое упорядочение, а низкая модулирующая--- шириной узкой минизоны в направлении, перпендикулярном слоям. Показано также, что при переходе из неупорядоченного состояния в почти полностью упорядоченное продольная проводимость слоистого кристалла понижается на 2--3порядка, а относительный вклад осцилляций резко возрастает, что находится в удовлетворительном согласии с экспериментальными данными. PACS: 73.61.At, 72.15.Gd
Горский П.В. Электропроводность слоистых зарядово-упорядоченных кристаллов в квантующем магнитном поле в области инверсии неосциллирующей части магнитосопротивления // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 296

Представлены результаты по взаимодействию инфракрасного лазерного излучения (homega<< Eg и плотностью мощностиW, не превышающей порог теплового разрушения кристаллов) снизкоомным p-CdZnTe (4=<rho=<25 Ом·см). Показано, что лазерностимулированные дефекты, в зависимости от времени взаимодействия иW, до достижения стабильного состояния проходят две неравновесные стадии, в пределах которых свойства кристаллов частично релаксируют к первоначальному состоянию или к стабильному состоянию соответственно. Встабильном состоянии оптическое пропускание (lambda=<20 мкм) и удельное сопротивление достигает значений, которые удовлетворяют требованиям, предьявляемым к подложкам CdZnTe для HgCdTe ИК-фотоприемников. Лазерностимулированные преобразования в решетке рассматриваются в модели, которая предполагает генерацию активированных центров в объеме и их миграцию увлечением свободными носителями в электрическом поле лазерной волны. PACS: 61.72.Yx, 81.40.Tv
Пляцко С.В., Рашковецкий Л.В. Лазерностимулированная компенсация объемных дефектов вp-CdZnTe // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 287

Проведены исследования оптических свойств полупроводникового твердого раствора CdxHg1-x-yZnyTe в ультрафиолетовой, видимой и инфракрасной областях спектра. Найдены соотношения, позволяющие по положению особых точек E0 и E1 в оптических спектрах оценивать составx иy данного материала. Получено хорошее соответствие теоретических и экспериментальных результатов в области составов 0.09
Белогорохов А.И., Флоренцев А.А., Белогорохов И.А., Пашкова Н.В., Елютин А.В. Ширина запрещенной зоны иоптические свойства твердых растворов CdxHg1-x-yZnyTe вультрафиолетовой ивидимой области спектра // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 281