Экспериментально установлена зависимость показателя ослабления потока излучения от размера зерен ZnSe и длины волны. На длине волны 1.1 мкм минимальное ослабление наблюдается у кристаллов с наименьшим размером зерен, а максимальное--- у кристаллов с наибольшим размером. На длине волны10 мкм, напротив, минимальное ослабление проявляется у кристаллов с максимальным размером зерен, а максимальное--- на кристалле с минимальным размером зерен. Делается вывод, что при длине волны 1.1 мкм рассеяние энергии света происходит на внутренних дефектах зерен, а при 10 мкм--- преимущественно на границах зерен.
Брызгалов А.Н., Мусатов В.В., Бузько В.В. Оптические свойства поликристаллического селенида цинка // ФТП, 2004, том 38, выпуск 3, Стр. 322

Влияние композиционной и позиционной неупорядоченностей в расположении атомов в кристаллической решетке на электронные свойства твердых растворов III-нитридов структуры вюрцита исследовано методом модельного эмпирического псевдопотенциала с использованием 32-атомных суперячеек. Рассчитанные значения коэффициента прогиба композиционных зависимостей ширины запрещенной зоны равны 0.44, 2.72, 4.16 для AlGaN, InGaN и InAlN соответственно. Показано, что наибольший вклад в коэффициент прогиба дает композиционная неупорядоченность, а релаксация длин связей уменьшает влияние композиционной неупорядоченности и эффектов деформации объема.
Возный А.В., Дейбук В.Г. Роль сплавных эффектов в формировании электронной структуры неупорядоченных твердых растворов III-нитридов // ФТП, 2004, том 38, выпуск 3, Стр. 316

Обсуждается исследование высокоомных монокристалловCdS методом фотоэлектрической нестационарной спектроскопии глубоких уровней(ФЭНСГУ). Проведено компьютерное моделирование эксперимента, позволившее сравнить результаты экспериментов, полученные методамиФЭНСГУ и термостимулированной проводимости. Сравниваются экспериментальные возможности этих методов.
Одринский А.П. Критический анализ исследования глубоких уровней ввысокоомных монокристаллахCdS методом фотоэлектрической нестационарной спектроскопии // ФТП, 2004, том 38, выпуск 3, Стр. 310

Исследованы транспортные свойства крупнозернистых поликристаллов CdTe. Результаты интерпретируются на основе модели, предполагающей наличие на границах зерен достаточно большого количества ловушек, энергетические уровни которых однородно распределены внутри запрещенной зоны. Показано, что воздействие белым светом существенно изменяет подвижности основных носителей вследствие изменения высоты межзеренных энергетических барьеров.
Колосов С.А., Клевков Ю.В., Плотников А.Ф. Транспортные явления в крупнозернистых поликристаллахCdTe // ФТП, 2004, том 38, выпуск 3, Стр. 305

Представлены результаты измерений намагниченности M и магнитной восприимчивости chi кристаллов Cd1-xZnxTe. Вмагнитном поле H
Шалдин Ю.В., Вархульска И., Рабаданов М.Х., Комарь В.К. Магнитные исследования широкозонных полупроводников Cd1-xZnxTe (x=0.12,0.21) // ФТП, 2004, том 38, выпуск 3, Стр. 300

В линейном приближении по концентрациям неравновесных носителей заряда получено выражение, описывающее не зависящее от протекающего тока сопротивление биполярного полупроводника (закон Ома). Показано, что отклонение сопротивления от классического обусловлено возникающем в полупроводнике объемным зарядом. Взависимости от соотношения приповерхностных проводимостей электронов и дырок сопротивление образца может стать как больше, так и меньше классического. Этот эффект максимален в образцах с малой поверхностной рекомбинацией, длина которых значительно меньше диффузионной длины.
Конин А. Роль объемного заряда вформировании сопротивления биполярного полупроводникового образца // ФТП, 2004, том 38, выпуск 3, Стр. 296

Импеданс монокристаллических образцов PbTe(Ga) и Pb0.94Ge0.06Te(Ga) исследован в диапазоне частот от102 до106 Гц при температурах от4.2 до300 K. Показано, что эффекты, связанные с долговременными релаксационными процессами, не являются следствием сегнетоэлектрического фазового перехода, поскольку наблюдаются при существенно более низких температурах. Низкотемпературные особенности поведения емкости в Pb0.94Ge0.06Te(Ga) рассматриваются как вклад примесной подсистемы.
Акимов Б.А., Прядун В.В., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р. Импеданс твердых растворов на основе теллурида свинца, легированного галлием // ФТП, 2004, том 38, выпуск 3, Стр. 293

Изучалось влияние отжига при высоких температурах и высоких гидростатических давлениях на фотолюминесценцию сильно легированных слоев GaAs : Be, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs. Вспектрах слоев с концентрацией атомов бериллия более 5· 1019 cм-3 после обработки обнаружено \glqq синее\grqq смещение полосы краевой люминесценции и возрастание относительной интенсивности плеча, лежащего на высокоэнергетическом крыле полосы краевой фотолюминесценции. Вэтих же слоях наблюдалось концентрационное уменьшение параметра кристаллической решетки GaAs, отличное от закона Вегарда. Наблюдаемые эффекты объяснены образованием включений бериллия при высоких уровнях легирования GaAs. Из-за разности коэффициентов сжимаемости и термического расширения GaAs, с одной стороны, и включений бериллия, с другой стороны, обработка при высоких температурах и высоких давлениях приводит к образованию структурных дефектов и, как следствие, к возрастанию вероятности непрямых в k-пространстве излучательных переходов.
Шамирзаев Т.С., Журавлев К.С., Bak-Misiuk J., Misiuk A., Domagala J.Z., Adamczewska J. Трансформация спектров фотолюминесценции слоев GaAs, сильно легированных бериллием, после гидростатического сдавливания // ФТП, 2004, том 38, выпуск 3, Стр. 289

Рассматриваются способы определения концентрации галлия вгермании, трансмутационно-легированном тепловыми и надкадмиевыми нейтронами, из измерений удельного сопротивления вобласти низких (гелиевых) температур. Для оценки концентрации галлия предлагается использовать концентрационные зависимости прыжкового сопротивленияrho3 иудельного сопротивления, измеренного при температуре2.5 K.
Ермолаев О.П., Микульчик Т.Ю. Определение концентрации галлия вгермании, трансмутационно легированном нейтронами, из измерений сопротивления вобласти прыжковой проводимости // ФТП, 2004, том 38, выпуск 3, Стр. 285

Ранее авторами был описан эффект гистерезиса прыжкового магнетосопротивления нейтронно-легированного Ge:Ga. Эффект сопровождается скачкообразным падением удельного сопротивления образца при перемагничивании на величину до10% в зависимости от концентрации основной примеси и наблюдается при температурах не выше0.7 K. Внастоящей работе установлено, что скачки сопротивления происходят в результате кратковременного нагрева образца. Предложена модель, согласно которой тепло выделяется при перемагничивании дырок, локализованных в примесной зонеGa. Проведено сравнение результатов расчета с экспериментальными данными.
Егоров С.В., Забродский А.Г., Парфеньев Р.В. Оприроде гистерезиса низкотемпературного прыжкового магнетосопротивления вблизи перехода металл--изолятор вкомпенсированномGe:Ga // ФТП, 2004, том 38, выпуск 2, Стр. 197