Для обнаружения резонансных состояний в GaNxAs1-x предложено исследовать спектры собственной фотолюминесценции при комнатной температуре или высоких уровнях возбуждения, позволяющих заселить создаваемыми светом носителями высокоэнергетические состояния в разрешенных зонах. Спомощью этих методов в объемных слоях GaNxAs1-x (x=< 0.015) обнаружены состояния с энергетическими уровнями в зоне проводимости. Эти уровни создают полосу с полушириной около0.07 эВ, максимум плотности в которой при температуре 290 и80 К находится соответственно на~1.4 и~1.48 эВ выше потолка валентной зоны. Положение этого максимума относительно валентной зоны практически не зависит от содержания азота во всем исследованном диапазоне 0.0005=< x=< 0.015. Предполагается, что эти состояния связаны с различными кластерами атомов азота. PACS: 78.55.Cr; 71.20.Nr
Гуткин А.А., Брунков П.Н., Гладышев А.Г., Крыжановская Н.В., Берт Н.Н., Конников С.Г., Hopkinson M., Patane A., Eaves L. Оптическое исследование резонансных состояний вGaNxAs1-x // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1192

Исследованы спектры катодолюминесценции поликристаллических CVD-конденсатов ZnSxSe1-x, выращенных с избытком цинка. По положению экситонных полос при 300 K уточнен ход зависимости Eg(x). Подтверждена перестройка спектров при растворении кислорода в решетке под воздействием высоких давлений и температур газостатирования. Выявлена зависимость самоактивированного свечения от состава сульфоселенидов. Для составов, близких к ZnSe, возникает самоактивированная SAL-полоса, а для составов со стороны ZnS наблюдается только коротковолновое смещение SA-полосы, что наиболее типично и для самих соединений. Дано объяснение этим особенностям на основе расчетов равновесия собственных точечных дефектов, влияющих на положение уровня Ферми при отклонении от стехиометрии ZnSe и ZnS. Оценены области спектров, в которых могут наблюдаться полосы кислородсодержащих комплексов SA и SAL в ZnSxSe1-x, зависящие от x и от концентрации кислорода в узлах решетки. Изучено поведение экситонных полос и возникающего инфракрасного излучения в ионах Cu (3d9) после газостатирования. Показано, что изменение ансамбля собственных точечных дефектов при газостатировании определяется увеличением количества дефектов с меньшим объемом, в частности, для сульфоселенидов--- SSe. Интерпретация спектров дается на основе теории непересекающихся зон, инициируемых изоэлектронной примесью. PACS: 78.60.Hk, 78.66.Hf, 81.05.Dz, 81.40.Tv
Морозова Н.К., Каретников И.А., Мидерос Д.А., Гаврищук Е.М., Иконников В.Б. Исследование влияния кислорода на спектры катодолюминесценции иширину запрещенной зоны ZnSxSe1-x // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1185

Исследовался кристаллическийSi, имплантированный ионами кобальта (флюенс Phi=1014-1016 см-2) с энергией380 кэВ. Методом резерфордовского обратного рассеяния определен порог аморфизацииSi (Phi= 3· 1014 см-2). При температуре T=78 K в имплантированномCo+ кремнии для Phi>=q3·1014 см-2 зарегистрирована квазирезонансная анизотропная линия электронного парамагнитного резонанса шириной порядка170 мТл. На фоне этой линии наблюдался резонансный сигнал парамагнитных центров аморфных областейSi (g=2.0057, delta B=0.74 мТл). Квазирезонансная линия электронного парамагнитного резонанса от атомовCo и собственных дефектовSi при T=300 K не наблюдалась. PACS: 61.72.Hh, 61.72.Tt, 76.30.Lh, 81.05.Cy, 81.40.Rs
Поклонский Н.А., Лапчук Н.М., Коробко А.О. Магнитное упорядочение в кристаллическомSi, имплантированном ионамиCo промежуточных флюенсов // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1181

Генерация дислокаций в кристаллах CdTe вызывает появление в спектрах излучательной рекомбинации новых линий--- \glqq дислокационной\grqq фотолюминесценции. Получены спектральное распределение \glqq дислокационных\grqq полос и профили пространственного распределения их интенсивности вблизи места индентирования на гранях(111) и(001). Из сопоставления профилей с кристаллографической структурой дислокаций идентифицированы типы дефектов, ответственных за две группы полос излучения. Первая группа (основной максимум при841 нм) определяется электронными состояниями 60-градусных дислокаций с экстраполуплоскостями, обрамленными атомами теллура,--- Te(g)-дислокаций. Линии излучения другой группы (максимум при806 нм) связаны с упорядоченными структурами точечных дефектов, которые генерируются ступеньками на винтовых сегментах дислокационных полупетель с головными Cd(g)-дислокациями. PACS: 78.55.Et, 61.72.Lk, 61.72.Ji
Тарбаев Н.И., Шепельский Г.А. Две серии полос &#92;glqq дислокационной&#92;grqq фотолюминесценции вкристаллах теллурида кадмия // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1175

Исследована кинетика СВЧ фотопроводимости пленок CdSe, полученных методом пиролиза аэрозоля водных растворов тиомочевинных координационных соединений на кварцевых и ситалловых подложках в диапазоне температур Ts=300-600oC. Для характеризации пленок использован анализ рентгеновских дифрактограмм, спектров оптического поглощения и отражения. СВЧ фотопроводимость (возбуждение лазерными импульсами10 нс, 337 нм) исследовалась при 295 K резонаторным методом и диапазонах 9и36 ГГц. Кинетика процессов гибели фотоэлектронов, определяющих временные характеристики фотоотклика, зависела от температуры опытаT и интенсивности падающего осветаI. На пленках, полученных при Ts450oC кинетика гибели не соответствовала ни 1-му, ни 2-му порядку при низких величинахI, но приближалась к кинетике 2-го порядка при высоких значениях I>1014 фотон/см2 на один импульс. PACS: 73.50.Mx, 73.50.Pz, 78.30.Fs, 78.47+p
Метелева Ю.В., Новиков Г.Ф. Получение и СВЧ фотопроводимость полупроводниковых пленокCdSe // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1167

Получена серия металлофталоцианиновых комплексов (MPc) [CoPc, CuPc, CuPcCl15-16, CuPc(4-NO2-5-OPh)4, CuPc(4-CH2-phthalimide)4, CuPc(4-NO2-5-NHPhBr)4, PdPc, MgPc, PbPc, EuOAcPc, SmOAcPc, SmPc2, YOAcPc]. Проведено исследование MPc с помощью ИК спектроскопии. Выявлена корреляция сдвига максимума полос поглощения в области 1100-1600 см-1 и величины атомного радиуса темплатного металла. Показано, что планарность макроцикла периферийно-замещенных CuPc можно оценить из характеристик ИК спектров. PACS: 78.30.Jw, 78.66.Qn
Зиминов А.В., Рамш С.М., Теруков Е.И., Трапезникова И.Н., Шаманин В.В., Юрре Т.А. Корреляционные зависимости в инфракрасных спектрах металлофталоцианинов // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1161

Методом электроотражения исследованы электронные переходыE0, E0+Delta0 в гомоэпитаксиальных пленках n-GaP (111) с концентрацией электронов 5.7·1023 м-3 до и после облучения gamma-квантами 60Co в интервале доз 105-106 рад при комнатной температуре с использованием электролитической методики. Наблюдалось расщепление низкоэнергетического экстремума после облучения. Уменьшение внутренних механических напряжений в пленке под действием gamma-облучения оценивалось по изменению энергии электронного перехода и столкновительного параметра уширения. Оценено также увеличение времени энергетической релаксации носителей заряда после облучения. PACS:61.80.Ed, 71.70.Ej, 78.20.Jq, 81.40.Wx
Генцарь П.А. Радиационно-стимулированная релаксация внутренних механических напряжений вгомоэпитаксиальных пленках фосфида галлия // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1051

Исследованы частотные и температурные зависимости компонент полного импеданса монокристаллов Pb0.75Sn0.25Te(In) в частотном диапазоне от20 до106 Гц в температурном интервале T=4.2-300 K. Анализ импеданс-спектров проведен в рамках модели эквивалентных схем. Показано, что при T=4.2 K импеданс-спектр образца соответствует эквивалентной схеме параллельного RC-контура. Рассчитанные параметры контура соответствуют значению диэлектрической проницаемости материала varepsilon~1000 при низких температурах. Повышение концентрации свободных носителей заряда, индуцированное либо нагревом образца, либо подсветкой, осуществляемой при температурах ниже Tc~25 K, приводит к существенному возрастанию емкостного вклада в проводимость. Показано, что увеличение этого вклада не может быть связано с фазовым переходом. Рассматривается возможность увеличения емкостного вклада в связи с процессами перезарядки в примесной подсистеме, индуцированными переменным электрическим полем. PACS:6470.Kb, 72.20.Ht, 77.80.Bh
Кожанов А.Е., Никорич А.В., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р. Проводимость твердых растворов Pb1-xSnxTe(In) впеременном электрическом поле // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1047

Исследовано воздействие gamma-лучей и электронного пучка на электролюминесценцию люминофоров ZnS : Cu,Br и ZnS : Cu,Al,Br. Облучение обоих образцов gamma-квантами и образца ZnS : Cu,Br электронным пучком позволяет повысить яркость свечения на 20-35% при оптимальной дозе 5-10 Мрад. При этом в спектре люминесценции всех образцов увеличивается относительная интенсивность \glqq зеленой\grqq полосы, предположительно вследствие диссоциации донорно-акцепторных пар Cui-CuZn и BrZn-VZn. Таким образом, облучение позволяет регулировать яркость и цвет свечения люминофоров, что может быть использовано для нехимической литографии люминесцентных слоев. PACS: 61.80.Cb, 61.80.Ed, 61.82.Fk, 78.60.Fi, 81.40.Tv
Сычев М.М., Комаров Е.В., Григорьев Л.В., Мякин С.В., Васильева И.В., Кузнецов А.И., Усачева В.П. Гамма- и электронно-лучевое модифицирование цинкосульфидных люминофоров // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1042

Исследовалась возможность увеличения интенсивности внутрицентровых переходов ионаEu в кристаллахGaN путем введения дополнительной примеси для изменения локального окружения редкоземельного иона. Вюрцитные кристаллы p-GaN исходно были легированыMg, а затем--- европием. Введение дополнительной примесиZn приводит к существенному увеличению интенсивности фотолюминесценции в области 3580-4250 Angstrem и в длинноволновой области спектра5400-6237 Angstrem. Это можно объяснить проявлением сенсибилизации люминесценции оптически-активных внутрицентровых f-f-переходов Eu3+ вследствие введения дополнительной примеси, способствующей образованию комплексов редкоземельного иона с большим сечением захвата носителей заряда. PACS: 61.72.Vv, 61.72.Yx, 78.47.+p, 78.55.Cr
Криволапчук В.В., Мездрогина М.М., Кожанова Ю.В., Родин С.Н. Сенсибилизация люминесценции вюрцитных кристалловGaN, легированныхEu идополнительно введенной примесьюZn // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1033