-1 Методами микрофотолюминесцентного спектрального анализа и картирования исследованы свойства кристаллов нелегированного объемного ZnTe, полученного в неравновесных условиях кристаллизации из паровой фазы с участием химических реакций. Несмотря на существенное увеличение скорости кристаллизации, в отношении набора и концентрации остаточных дефектов исследованные образцы не уступали качественным монокристаллам, полученным в квазиравновесных условиях из паровой фазы при значительно более высоких температурах. Вместе с тем отсутствие люминесцентного контраста на границах монокристаллических зерен и малая эффективность термоотжига указывают на то, что в полученных материалах доминирующие безызлучательные ростовые дефекты являются малоподвижными и термостабильными комплексами, образовавшимися в результате ассоциации стехиометрических дефектов и, возможно, фоновых примесей.
Ушаков В.В., Клевков Ю.В. Микрофотолюминесценция нелегированного монокристаллического теллурида цинка, полученного неравновесными парофазными методами // ФТП, 2005, том 39, выпуск 9, Стр. 1029

Впервые получены полные комплексы фундаментальных оптических функций оксида цинка в области 0-30 эВ при 100 K для поляризаций E normal c и E|| c. Впервые определены спектры поперечных и продольных компонент переходов и их основные параметры (энергии максимумов Ei, полуширины полос переходов Hi, площади полосSi и силы осцилляторовfi). Расчеты выполнены с помощью синхротронных экспериментальных спектров отражения. Установлены основные особенности спектров оптических функций и компонент переходов. Они сопоставляются с известными теоретическими расчетами зон и спектров оптических функций.
Соболев В.Вал., Соболев В.В., Теруков Е.И. Спектры диэлектрической проницаемости ихарактеристических потерь электронов оксида цинка при 100 K // ФТП, 2005, том 39, выпуск 8, Стр. 935

Исследованы кристаллические зерна природного алмаза типа II a (средняя масса зерна ~ 1 мг), облученные в атомном реакторе флюенсом ~ 1021 см-2 нейтронов. Облучение приводит к уменьшению макроскопической плотности зерна на 40%. Впервые зарегистрирован квадратурный сигнал электронного парамагнитного резонанса с g-фактором 2.00006 и временем парамагнитной релаксации >10-5 c. Возможной причиной появления этого сигнала в облученном алмазе являются метастабильные нескомпенсированные электронные спины, находящиеся на внутренней поверхности нанопор. Подобный сигнал наблюдается и в порошке фуллерита C60. Результаты спектроскопии электронного парамагнитного резонанса облученных алмазов согласуются с данными спектроскопии комбинационного рассеяния света (появление аномально широкой полосы с максимумом при 950 см-1 вместо узкой одиночной линии 1332 cм-1 в исходном образце) и электронной микроскопии (появление наноструктурированности). Установлено, что наноструктурирование алмаза под воздействием ионизирующего излучения приводит к появлению электропроводности на постоянном токе с энергией активации 0.17 эВ в диапазоне температур 30--300oC.
Поклонский Н.А., Лапчук Т.М., Горбачук Н.И., Николаенко В.А., Бачучин И.В. Наноструктурирование кристаллических зерен природного алмаза ионизирующим излучением // ФТП, 2005, том 39, выпуск 8, Стр. 931

Легированные эрбием алюмооксидные пленки с встроенными кремниевыми наночастицами получены магнетронным распылением композитной мишени (Al+Er2O3+Si) иих последующим электрохимическим анодированием при комнатной температуре. Спектры фотолюминесценции пленок измеряли в диапазоне температур 4.2-300 K. Наблюдалась эффективная фотолюминесценция на длине волны1.54 мкм без предварительного отжига образцов, что указывает на возможность активации ионов Er3+ без использования высокотемпературных операций. Алюмооксидные пленки со встроенными кремниевыми наночастицами продемонстрировали более сильную фотолюминесценцию на длине волны 1.54 мкм по сравнению с подобными пленками без кремниевых наночастиц. Этот эффект можно объяснить дополнительной накачкой эрбиевых люминесцентных центров с передачей энергии от кремниевых наночастиц.
Лазарук С.К., Мудрый А.В., Иванюкович А.В., Лешок А.А., Унучек Д.Н., Лабунов В.А. Фотолюминесценция легированных эрбием алюмооксидных пленок со встроенными кремниевыми наночастицами // ФТП, 2005, том 39, выпуск 8, Стр. 927

Наночастицы кремния, полученные методом лазерной диссоциации молекул газа силана, были помещены в этанол. При облучении кюветы с такой средой излучением аргонового лазера в видимой области спектра наблюдается люминесцентный след распространяющегося сквозь кювету лазерного луча. Вработе на основе модели классического гармонического осциллятора Лоренца и многофотонной схемы взаимодействия лазерного излучения с почти резонансной средой построена модель люминесцентного процесса в среде со взвешенными в ней наночастицами. Представленные в работе экспериментальные результаты обсуждаются и сопоставляются с выводами предлагаемой модели.
Оглуздин В.Е. Интерпретация видимой фотолюминесценции взвешенных вэтаноле разновеликих наночастиц кремния // ФТП, 2005, том 39, выпуск 8, Стр. 920

-1 Экспериментально установлен эффект стимулирования светом отрицательного магнитосопротивления, наблюдаемого в сильном электрическом поле, вкремнии, легированном бором и марганцем. Определены оптимальные условия--- электрическое поле, температура, освещение, а также удельное сопротивление материала--- для наблюдения максимального отрицательного магнитосопротивления с таком материале. Установлена зависимость отрицательного магнитосопротивления от концентрации компенсирующей примеси.
Баxадырханов М.К., Саттаров О.Э., Илиев Х.М., Аюпов К.С., Умайер Туэрди Отрицательное магнитосопротивление в кремнии, легированном бором имарганцем, стимулированное электрическим полем исветом // ФТП, 2005, том 39, выпуск 7, Стр. 823

Изучалась анизотропия показателя преломления и электрооптический эффект в кристаллах Tl1-xCuxGaSe2 (0=< x=< 0.02). Показано, что показатель преломления растет при приближении к собственной полосе поглощения. Установлено, что, когда свет и внешнее электрическое поле направлены вдоль выделенной кристаллографической оси c, электрооптический эффект является квадратичным; если же поле перпендикулярно оси c, а свет направлен вдоль нее, то электрооптический эффект является линейным.
Георгобиани А.Н., Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. Анизотропия показателя преломления и электрооптический эффект вкристаллах Tl1-xCuxGaSe2 (0=&lt; x=&lt; 0.02) // ФТП, 2005, том 39, выпуск 7, Стр. 820

Представлены результаты исследований изменения свойств сенсоров магнитного поля на основе нитевидных микрокристаллов n+-InSb в процессе облучения быстрыми нейтронами реактора ИБР-2. Оценена оптимальная концентрация свободных электронов n~(6-7)· 1017 см-3 в InSb, которая обеспечивает максимальную радиационную стойкость сенсоров. Определен раздельный вклад двух конкурирующих процессов в изменение электрофизических свойств InSb при нейтронном облучении: трансмутационного легирования InSb мелкой донорной примесьюSn и компенсации исходной проводимости n+-InSb вследствие генерации глубоких радиационных дефектов акцепторного типа.
Большакова И.А., Бойко В.М., Брудный В.Н., Каменская И.В., Колин Н.Г., Макидо Е.Ю., Московец Т.А., Меркурисов Д.И. Влияние нейтронного облучения на свойства нитевидных микрокристаллов n-InSb // ФТП, 2005, том 39, выпуск 7, Стр. 814

Изучена дисперсия показателя преломления в кристаллах Tl1-xCuxGaSe2 (0=< x=< 0.02) иTl1-xCuxInS2 (0=< x=< 0.015) путем исследования собственной интерференции. Показано, что в исследованных кристаллах существуют области аномальной дисперсии при длинах волн, незначительно превышающих те, которыe соответствуют экситонным пикам. Установлено, что при помощи анализа собственной интерференции можно обнаружить зкситоны в этих кристаллах при комнатной температуре. Обнаружена модуляция интерференционных картин и предложено объяснение этого явления.
Георгобиани А.Н., Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. Дисперсия показателя преломления в кристаллах Tl1-xCuxGaSe2(0=&lt; x=&lt; 0.02) иTl1-xCuxInS2 (0=&lt; x=&lt; 0.015) // ФТП, 2005, том 39, выпуск 7, Стр. 811

Проведены исследования электронного парамагнитного резонанса, намагниченности и динамической магнитной восприимчивости в слоистых кристаллах In1-xMnxSe (x=0.0125). Установлено, что в неотожженных образцах независимо существуют две разные примесные подсистемы--- в кристаллическом слое и в межслоевом пространстве. Втемпературном интервале от300 до140 K в обеих подсистемах действует ферромагнитное обменное взаимодействие между ионамиMn, а в области 140-77 K--- антиферромагнитное. При температурах ниже 77 K возникает трехмерный ферромагнитный порядок.
Слынько В.В., Хандожко А.Г., Ковалюк З.Д., Заслонкин А.В., Слынько В.Е., Arciszewska M., Dobrowolski W.D. Слабый ферромагнетизм в слоистых кристаллахInSe : Mn // ФТП, 2005, том 39, выпуск 7, Стр. 806