Исследовано поведение парамагнитных дефектов и темновой проводимости вгетерогенных образцах гидрированного нанокристаллического кремния сдобавками углерода (nc-SiC : H), полученных методом фотостимулированной газовой эпитаксии (photo-CVD). Показано, что при увеличении содержания углерода вnc-SiC : H происходит фазовый переход структуры от нанокристаллической каморфной, что приводит куменьшению концентрации спиновых дефектов изначительному понижению величины темновой проводимости.
Шевалеевский О.И., Цветков А.А., Ларина Л.Л., Myong S.Y., Lim K.S. Взаимосвязь спиновых структурных дефектов и проводимости впленках гидрированного нанокристаллического кремния сдобавками углерода // ФТП, 2004, том 38, выпуск 5, Стр. 547

Теоретически и экспериментально показана возможность обращения светового волнового фронта в возбужденной полупроводниковой среде. Наэпитаксиальных пленках ZnO при комнатной температуре при накачке азотным лазером впервые обнаружено обращение света для энергии фотонов, равной половине энергии излучательной рекомбинации экситонов. Исследованы зависимости интенсивности сигнала обращения волнового фронта от его спектрального состава. Предлагается объяснение эффекта: квадратичное взаимодействие световых и экситонных электромагнитных колебаний в полупроводниковой среде.
Грузинцев А.Н., Волков В.Т. Обращение волнового фронта наповерхности оптически возбужденногоZnO // ФТП, 2004, том 38, выпуск 5, Стр. 543

С использованием метода температурного градиента и беспрессовых аппаратов высокого давления в присутствии растворителей--катализаторов (никель, железо) выращены монокристаллы синтетических алмазов. Для установления природы примесно-дефектных комплексов использовались оптические методы--- пропускание, люминесценция и регистрация спектров возбуждения люминесценции. Исследования проведены на кристаллах как непосредственно после выращивания, так и после термической обработки при температуре T~ 2000-2200 K и давлении P~ 6.0-6.5 ГПа. Разные полосы люминесценции и поглощения отнесены к примесным центрам, содержащим атомы азота и никеля.
Мудрый А.В., Ларионова Т.П., Шакин И.А., Гусаков Г.А., Дубров Г.А., Тихонов В.В. Оптические свойства монокристаллов синтетических алмазов // ФТП, 2004, том 38, выпуск 5, Стр. 538

Проведено исследование температурных зависимостей подвижности электронов в пленках Hg1-xCdxTe p-типа проводимости с x=0.210-0.223, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Вдиапазоне температур 125-300 K подвижность находили методом спектра подвижности, а для температур 77-125 K с помощью предложенного в данной работе метода магнитофотопроводимости. Метод основан на измерении магнитополевой зависимости фотопроводимости. Магнитное поле направлено параллельно излучению и перпендикулярно поверхности образца. Подвижность электронов определяется с помощью простого выражения mun [м2/В·с]=1/BH [Тл], где BH--- индукция магнитного поля, соответствующая половине амплитуды сигнала фотопроводимости при нулевом магнитном поле. Втемпературном диапазоне 100-125 K результаты, полученные методами магнитофотопроводимости и спектра подвижности, совпадают. Для исследованных образцов подвижность электронов при температуре 77 K лежит в диапазоне 5-8 м2/В·c.
Варавин В.С., Дворецкий С.А., Костюченко В.Я., Овсюк В.Н., Протасов Д.Ю. Подвижность неосновных носителей заряда в пленках p-HgCdTe // ФТП, 2004, том 38, выпуск 5, Стр. 532

Измерены спектры нелинейного поглощения света методом двух источников вмонокристаллах Zn0.37Cd0.63Se. При высоких уровнях возбуждения излучением неодимового лазера наблюдается собственное двухфотонное поглощение света и поглощение света на неравновесных свободных носителях. При низких уровнях возбуждения обнаружены примесные центры сглубиной залегания0.72, 0.63, 0.53, 0.42, 0.36, 0.25 и0.20 эВ.
Байдуллаева А., Власенко А.И., Мозоль П.Е., Щербонос Л.Ф. Нелинейное поглощение света втвердых растворах Zn0.37Cd0.63Se // ФТП, 2004, том 38, выпуск 5, Стр. 529

Теоретически и экспериментально исследованы спектры и угловое распределение теплового излучения полупрозрачных плоскопараллельных полупроводниковых пластин. Показано, что вследствие многолучевой интерференции спектр теплового излучения таких объектов носит осциллирующий характер, а диаграмма направленности имеет лепестковый вид. Измерения проведены в областях поглощения на свободных носителях заряда n-GaAs иn-Si. Сделан вывод о возможности применения результатов работы для создания новых управляемых источников инфракрасного излучения.
Гуга К.Ю., Коллюх А.Г., Липтуга А.И., Мороженко В.А., Пипа В.И. Особенности теплового излучения плоскопараллельных пластин полупроводника // ФТП, 2004, том 38, выпуск 5, Стр. 524

В слоистом монокристалле FeGaInS4 исследованы температурная зависимость электропроводности и вольт-амперные характеристики вразличных условиях. Установлено, что причиной нелинейности вольт-амперной характеристики является ток, ограниченный пространственным зарядом. Определены энергии активации примесных уровней вмонокристаллахFeGaInS4.
Нифтиев Н.Н. Электрические свойства слоистых монокристаллов FeGaInS4 // ФТП, 2004, том 38, выпуск 5, Стр. 522

Методом Бриджмена выращены монокристаллы CdTe : Pb с разными концентрациями примеси в растворе: C0Pb=5· 1018, 1019, 5· 1019 см-3. Равновесные характеристики материала определяются глубокими акцепторами с энергией Ev+(0.39±0.02) эВ. Концентрация дырок уменьшается при увеличении количества примеси во всем интервале изменения C0Pb. Наспектрах низкотемпературной фотолюминесценции выделяется полоса, обусловленная переходами в донорно-акцепторных парах, а также краевая полоса излучения. При увеличении C0Pb наблюдается резкое увеличение интенсивности полосы, связанной с переходами из зоны проводимости на акцептор, в краевой области, причем максимум бесфононной линии этого излучения сдвигается в коротковолновую сторону. Анализируется возможная природа переходов и динамика изменения спектров фотолюминесценции в зависимости от уровня легирования.
Савицкий А.В., Парфенюк О.А., Илащук М.И., Савчук А.Й., Чупыра С.Н. Равновесные характеристики инизкотемпературная фотолюминесценция монокристалловCdTe : Pb // ФТП, 2004, том 38, выпуск 5, Стр. 516

Проведено исследование электронных ловушек в арсениде галлия, выращенном методом молекулярно-лучевой эпитаксии при температуре 200-300oC (LT-GaAs). Для этого использовалась емкостная спектроскопия глубоких уровней в барьерах Шоттки на n-GaAs, область объемного заряда которых содержала встроенный слой LT-GaAs толщиной ~0.1 мкм. Размер кластеров мышьяка, образующихся в LT-GaAs в результате отжига при 580oC, варьировался за счет изменения температуры роста. Обнаружено, что в слоях LT-GaAs, выращенных при 200oC и содержащих кластеры мышьяка диаметром 6-8 нм, появляются два новых типа электронных ловушек с энергиями активации термической эмиссии электронов0.47 и0.59 эВ и концентрацией ~1017 см-3, что сравнимо с концентрацией кластеров мышьяка, определенной с помощью просвечивающей электронной микроскопии. Вслоях LT-GaAs, выращенных при 300oC, в которых кластеры мышьяка не наблюдались, обнаружены ловушки с энергией активации 0.61 эВ. Обсуждается связь этих электронных уровней с системой кластеровAs и точечных дефектов в LT-GaAs.
Брунков П.Н., Гуткин А.А., Моисеенко А.К., Мусихин Ю.Г., Чалдышев В.В., Черкашин Н.Н., Конников С.Г., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р. Емкостные исследования электронных ловушек внизкотемпературном арсениде галлия // ФТП, 2004, том 38, выпуск 4, Стр. 401

Резонаторным методом в 3-сантиметровом частотном диапазоне изучены зависимости параметров фотоотклика СВЧ поглощения, вызываемого действием короткого импульса излучения азотного лазера (337 нм, 10 нс), в пленках PbS микрометровой толщины от частоты СВЧ генератора, интенсивности света и условий получения пленок. Пленки получали методом пиролиза аэрозоля из тиомочевинных координационных соединений при температуре подложки 250-500oC. Сиспользованием анализа частотных зависимостей фотоотклика раздельно изучены СВЧ фотопроводимость и фотодиэлектрический эффект, вызывающие изменение добротности резонатора и изменение его резонансной частоты соответственно.
Сермакашева Н.Л., Новиков Г.Ф., Шульга Ю.М., Семенов В.Н. СВЧ фотопроводимость ифотодиэлектрический эффект втонких пленках PbS, полученных из тиомочевинных координационных соединений // ФТП, 2004, том 38, выпуск 4, Стр. 395