Методами фотолюминесценции и спектроскопии глубоких уровней исследовалось влияние облучения быстрыми нейтронами, ионами Kr (235 МэВ) и Bi (710 МэВ) на оптические и электрические свойства высокоомных чистых эпитаксиальных слоев 4H-SiC n-типа проводимости, выращенных методом газотранспортной эпитаксии. Электрические характеристики изучались с помощью барьерных структур на основе этих эпитаксиальных слоев: барьеров Шоттки с контактами Al и Cr, а также p+-n-n+-диодов, полученных ионной имплантацией Al. Согласно полученным экспериментальным данным, нейтроны и высокоэнергетические ионы вызывают образование в 4H-SiC идентичных дефектных центров. Результаты показывают, что даже при экстремально высоких значениях плотности ионизации 34 кэВ/нм, характерных для ионов Bi, формирование дефектной структуры в монокристаллах SiC определяется потерями энергии частиц на упругое рассеяние.
Калинина Е.В., Холуянов Г.Ф., Онушкин Г.А., Давыдов Д.В., Стрельчук А.М., Константинов А.О., Hallen A., Никифоров А.Ю., Скуратов В.А., Havancsak K. Оптические иэлектрические свойства 4H-SiC, облученного нейтронами итяжелыми ионами высоких энергий // ФТП, 2004, том 38, выпуск 10, Стр. 1223

Представлена модель формирования электрической изоляции GaN и ZnO под действием облучения быстрыми ионами. Вкачестве основного процесса, приводящего к снижению концентрации свободных носителей и росту сопротивления, рассматривается образование комплексов, состоящих из атома легирующей примеси и созданного ионным пучком простейшего точечного дефекта. Проведенное сравнение результатов модели и экспериментальных данных по возникновению изоляции, полученных для GaN и ZnO, показывает, что модель способна удовлетворительно описывать происходящие процессы.
Титов А.И., Карасев П.А., Кучеев С.О. Модель электрической изоляции GaN и ZnO при бомбардировке легкими ионами // ФТП, 2004, том 38, выпуск 10, Стр. 1215

Проведена имплантация протонов с энергией E=100 кэВ в диапазоне доз от 2·1017 до4·1017 см-2 в6H- и4H-SiC n-типа проводимости при комнатной температуре. После имплантации выполнены различные типы отжигов в диапазоне температур 550-1500oC. Параметры образцов контролировались методами вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик, фотолюминесценции. Обнаружен блистеринг поверхности образцов после отжига при температуре800oC только при имплантации протонов с дозой=< 3·1017 см-2. Уменьшение сопротивления компенсированного слоя начинается после отжига при температуре ~1200oC и заканчивается после отжига при температуре ~1500oC. После имплантации наблюдается резкое уменьшение интенсивности фотолюминесценции для всех типов образцов. Восстановление интенсивности фотолюминесценции образцов начинается после отжига при температурах >= 800oC и завершается после отжига при температуре1500oC.
Богданова Е.В., Козловский В.В., Румянцев Д.С., Волкова А.А., Лебедев А.А. Формирование и исследование захороненных слоев SiC свысоким содержанием радиационных дефектов // ФТП, 2004, том 38, выпуск 10, Стр. 1211

Проведено исследование влияния низкотемпературного изотермического отжига на электрофизические параметры пленок CdxHg1-xTe (KPT). Пленки с составом x=0.21-0.23 и n-типа проводимости были выращены методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложкахGaAs. Отжиги проводились в интервале температур 90-230oC и длительностью 1--1000 ч. Изменения проводимости, коэффициента Холла и времени жизни неосновных носителей при отжиге объясняются образованием вакансий ртути и выходом атомов ртути из образца. Исследовано влияние различных защитных покрытий на скорость изменения электрофизических параметров пленокКРТ. Наиболее эффективным покрытием, стабилизирующим параметры пленок n-типа, оказался анодный оксид. Анализ зависимостей эффекта Холла и проводимости от магнитного поля показал, что наблюдаемые при отжиге изменения параметров можно описать в рамках двухслойной модели с двумя типами электронов: с высокой и низкой подвижностью.
Бахтин П.А., Дворецкий С.А., Варавин В.С., Коробкин А.П., Михайлов Н.Н., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г. Влияние низкотемпературного отжига наэлектрофизические параметры пленок n-CdHgTe // ФТП, 2004, том 38, выпуск 10, Стр. 1207

Проведено исследование зависимостей проводимости и коэффициента Холла от магнитного поля в пленках CdXHg1-XTe (КРТ) при77 K. Пленки n-типа с X=0.21-0.23 были выращены на подложках GaAs ориентации (013) методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено уменьшение проводимости и коэффициента Холла в3-5раз при изменении магнитного поля от0 до1 Тл. Показано, что такие зависимости хорошо описываются в рамках двухслойной модели с высокой и низкой подвижностью электронов. Анализ измерений при послойном стравливании пленок показал, что пленку КРТ можно представить в виде двухслойной структуры. При этом тонкий слой, имеющий высокую концентрацию электронов с низкой подвижностью, расположен у границы с буферным слоем CdTe. Высокая концентрация электронов с низкой подвижностью в этом слое может быть обусловлена повышенной дефектностью слоя. Исследования с помощью просвечивающей электронной микроскопии показали наличие сетки дислокаций в пленке КРТ уграницы с буферным слоем.
Бахтин П.А., Дворецкий С.А., Варавин В.С., Коробкин А.П., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г. Исследование зависимостей проводимости икоэффициента Холла отмагнитного поля впленках CdXHg1-XTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // ФТП, 2004, том 38, выпуск 10, Стр. 1203

Исследовано влияние давления на электрофизические свойства сплавов n-Pb1-xGexTe (x=0.06, 0.08), легированных галлием. Получена зависимость энергии активации глубокого примесного уровня галлия от давления, и показано, что его положение относительно дна зоны проводимости практически не изменяется под давлением. Натемпературных и барических зависимостях удельного сопротивления обнаружены аномалии, связанные, по-видимому, со структурными фазовыми переходами из кубической в ромбоэдрическую и орторомбическую фазы соответственно. Полученные результаты использованы для построения диаграммы перестройки энергетического спектра носителей заряда в кубической фазе исследованных сплавов под действием давления.
Скипетров Е.П., Зверева Е.А., Волкова О.С., Голубев А.В., Моллаев А.Ю., Арсланов Р.К., Слынько В.Е. Электронные и структурные переходы в сплавах Pb1-xGexTe : Ga поддавлением // ФТП, 2004, том 38, выпуск 10, Стр. 1199

Предлагается новый метод определения объемного времени жизни неосновных носителей заряда в слитках монокристаллического кремния. Измеренный на сверхвысокой частоте сигнал фотопроводимости, нормированный по его начальному значению, сравнивается с результатами расчета полного числа избыточных носителей заряда N(t)/Nst, где Nst соответствует квазистационарной фотопроводимости. Местоположение точки пересечения кривой релаксации фотопроводимости и зависимости N(t=tau)/Nst определяет объемное время жизни tau=tauv. Измерения проводились на слитках кремния, полученных методом бестигельной зонной плавки и методом Чохральского, с различной величиной удельного электрического сопротивления. Представленные результаты измерений хорошо согласуются с расчетом.
Бородовский П.А., Булдыгин А.Ф., Токарев А.С. Определение времени жизни неосновных носителей заряда вслитках кремния по релаксации фотопроводимости, измеренной на сверхвысоких частотах // ФТП, 2004, том 38, выпуск 9, Стр. 1043

Обнаружено наличие неоднородного уширения синей полосы люминесценции специально не легированных пленок нитрида галлия, выращенных методом химических транспортных реакций на подложках сапфира ориентации(0001) и кремния ориентации(111). Проведенные исследования спектров свечения при различных условиях возбуждения пленок GaN позволили обнаружить при комнатной температуре в синей спектральной области их люминесценции 3элементарные полосы с максимумами2.65, 2.84 и3.01 эВ. Сделаны предположения о типе собственных и примесных дефектов, участвующих вформировании различных центров синего свечения вGaN.
Грузинцев А.Н., Редькин А.Н., Таций В.И., Barthou C., Benalloul P. Элементарные полосы голубого свечения нелегированных пленок нитрида галлия // ФТП, 2004, том 38, выпуск 9, Стр. 1039

Впервые исследована корреляция между уровнем шума 1/f и степенью упорядоченности мозаичной структуры в эпитаксиальных слоях нитрида галлия. Образцы с уровнем легирования Nd-Na~ 8· 1016 см-3 и относительно высоким уровнем упорядоченности характеризовались величиной параметра Хоуге alpha~ 1.5· 10-3. Полученное значение является рекордно низким для тонких эпитаксиальных пленокGaN. Для образцов с Nd-Na~ 1.1· 1018 см-3 и низким уровнем упорядоченности параметр Хоуге был существенно выше (alpha~ 5.5· 10-3), несмотря на то что при равном уровне упорядоченности величинаalpha, как правило, уменьшается с увеличением уровня легирования. Таким образом, степень упорядоченности мозаичной структуры сказывается не только на оптических и электрических, но и на флуктуационных характеристиках эпитаксиальных слоевGaN.
Шмидт Н.М., Левинштейн М.Е., Лундин В.В., Бесюлькин А.И., Копьев П.С., Rumyantsev S.L., Pala N., Shur M.S. Низкочастотный шум вэпитаксиальных слоях нитрида галлия сразной степенью упорядоченности мозаичной структуры // ФТП, 2004, том 38, выпуск 9, Стр. 1036

Экспериментально установлено, что вакуумный отжиг нелегированных кристаллов ZnSe в температурном интервале 700-1200 K приводит к существенному увеличению интенсивности голубой полосы люминесценции и подавлению красно-оранжевой. Предложена модель дефектообразования, объясняющая наблюдаемые характеристики.
Махний В.П., Слетов А.М., Ткаченко И.В. Влияние вакуумного отжига на краевую люминесценцию нелегированного селенида цинка // ФТП, 2004, том 38, выпуск 9, Стр. 1034